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三星和SK海力士在DRAM生產(chǎn)導(dǎo)入EUV,美光不跟進(jìn)

21克888 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:Norris ? 2020-10-09 10:34 ? 次閱讀
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日前,據(jù)韓國媒體報(bào)道,三星電子和SK海力士都將在DRAM生產(chǎn)中導(dǎo)入EUV技術(shù),以建立更高的技術(shù)壁壘。對此,美光(Micron)企業(yè)副總裁、中國臺(tái)灣美光董事長徐國晉表示,美光不打算跟進(jìn),目前并無采用 EUV 計(jì)劃。


目前,三星電子、SK海力士和美光科技占據(jù)全球DRAM市場約94%的份額,而三星電子和SK海力士約占74%的份額。

據(jù)ETNEWS報(bào)道,三星電子上個(gè)月開發(fā)出的EUV DRAM是基于該公司的第三代10nm級(jí)(1z)工藝構(gòu)建的16Gb LPDDR5 DRAM。該移動(dòng)DRAM的速度為6,400 Mb / sis,比當(dāng)今大多數(shù)旗艦智能手機(jī)中的12Gb LPDDR5(5,500 Mb / s)快16%。當(dāng)DRAM制成16GB封裝時(shí),它能夠在一秒鐘內(nèi)處理51.2GB。

不過,EUV光刻機(jī)需要大量投資,因?yàn)閱蝹€(gè)EUV光刻機(jī)的成本為1.29億美元。該技術(shù)還具有很高的技術(shù)壁壘。但是,三星電子做出了一項(xiàng)大膽的決定,就是將EUV DRAM商業(yè)化。三星電子的下一個(gè)目標(biāo)是將EUV技術(shù)應(yīng)用于基于第四代10nm級(jí)(1a)工藝的DRAM,該產(chǎn)品是三星電子的下一代產(chǎn)品。
SK海力士也在致力于EUV DRAM的開發(fā)。該公司的未來技術(shù)研究所成立EUV光刻研發(fā)的工作團(tuán)隊(duì),并且正在研究EUV光刻所需的必要技術(shù),例如光刻、蝕刻和掩模制造。

SK海力士的目標(biāo)是將EUV工藝應(yīng)用于明年年初生產(chǎn)的1a DRAM,該公司還正在制定接下來的路線圖,包括在2022年完成1b EUV DRAM的開發(fā)。

預(yù)計(jì)SK海力士未來將在其M16晶圓廠批量生產(chǎn)EUV DRAM,該工廠被認(rèn)為是該公司的下一代DRAM生產(chǎn)基地。據(jù)悉,該公司已在其利川園區(qū)放置了兩臺(tái)EUV光刻機(jī)。一旦M16晶圓廠的建設(shè)在今年年底完成,SK Hynix將開始在M16晶圓廠建造和部署與EUV光刻相關(guān)的必要設(shè)施和設(shè)備。

本文由電子發(fā)燒友綜合報(bào)道,內(nèi)容參考自IT之家,網(wǎng)易新聞,轉(zhuǎn)載請注明以上來源。

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