9月25日，據(jù)外媒消息，高通新一代旗艦芯片組計(jì)劃將于今年12月正式推出，預(yù)計(jì)將命名為驍龍875系列，此次將采用三星5nm EUV工藝，相比7nm制程功率提升20%，這是三星首次拿下高通旗艦芯片完整訂單，價(jià)值1萬(wàn)億韓元（約8.45億美元），此前三星只代工過(guò)高通中端芯片組驍龍765G系列。

早在今年2月份，高通發(fā)布了采用5nm工藝的驍龍X60 5G基帶芯片。隨后，三星就證實(shí)了這筆全球第一單5nm芯片訂單，采用5nm EUV工藝為高通生產(chǎn)這款芯片。 在去年的美國(guó)SFF晶圓代工論壇上，三星公布了新一代的邏輯工藝路線(xiàn)圖。

在三星7nm節(jié)點(diǎn)中，三星這一次放棄來(lái)LPE（Low Power Early）低功耗進(jìn)程，直接進(jìn)入了7nm LPP（EUV光刻工藝輔助）、6nm LPP、5nm LPE、4nm LPE等衍生版。在7nm EUV遇阻量產(chǎn)前，還退而求其次的推出了8nm工藝。 據(jù)韓媒Business Korea此前報(bào)道，三星電子已經(jīng)成功攻克了3nm和1nm工藝所使用的GAA（Gate-All-Around，環(huán)繞式柵極技術(shù)）工藝技術(shù)，三星將其稱(chēng)之為 MBCFET（Multi-Bridge Channel FET，板片狀結(jié)構(gòu)多路橋接鰭片），使得三星在3nm節(jié)點(diǎn)真正發(fā)生重大變革，未來(lái)將會(huì)在3nm技術(shù)上就提前導(dǎo)入GAA技術(shù)而放棄FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管），該技術(shù)自從45nm時(shí)代就已經(jīng)開(kāi)始使用，極限也就到5nm工藝了，未來(lái)的3nmh或2nm想繼續(xù)使用FinFET技術(shù)不太現(xiàn)實(shí)。

值得一提的是，近日臺(tái)積電正式宣布將會(huì)在2nm工藝上放棄FinFET技術(shù)，引入最新的GAA技術(shù)，其優(yōu)勢(shì)主要就在于能夠解決在FinFET工藝因?yàn)橹喂に囘^(guò)小而導(dǎo)致的漏電問(wèn)題。 三星作為臺(tái)積電的主要對(duì)手也早已蓄勢(shì)待發(fā)，去年年末，三星突然爆出一個(gè)消息，“未來(lái)十年要在晶圓代工業(yè)務(wù)投入1160億美元，爭(zhēng)取奪得全球芯片代工第一的位置?！?2020年三星再次將重點(diǎn)轉(zhuǎn)移到5nm上，顯然是有意再次向臺(tái)積電發(fā)起挑戰(zhàn)。無(wú)獨(dú)有偶，在GAA技術(shù)層面，甚至比臺(tái)積電還早一步入局。 三星今年在芯片代工領(lǐng)域進(jìn)展非常順利。三星電子不僅在上月拿下IBM公司的新一代POWER 10中央處理器的訂單，而且在本月拿下NVIDIA的新型圖形處理器訂單，并不斷擴(kuò)大市場(chǎng)份額。據(jù)市場(chǎng)分析公司集邦咨詢(xún)（TrendForce）相關(guān)數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)今年第三季度三星電子在全球晶圓代工的份額將達(dá)17.4%。

三星想要真正意義追趕上臺(tái)積電也會(huì)隨著臺(tái)積電高歌猛進(jìn)的緊湊布局變得更加困難。 臺(tái)積電在此前舉辦的第26屆線(xiàn)上技術(shù)研討會(huì)上，除了公布了7nm的增產(chǎn)計(jì)劃以及3nm的投產(chǎn)計(jì)劃之外，特別提到了他們5nm 缺陷密度（Defect Density）提升數(shù)據(jù)，其提升趨勢(shì)已經(jīng)超過(guò)了7nm時(shí)的同期水準(zhǔn)。

缺陷密度是影響良品率的最關(guān)鍵因素之一，隨著EUV的引入，使得步驟得到精簡(jiǎn)、合并，同樣的特征尺寸現(xiàn)在使用單次曝光即可完成，出現(xiàn)缺陷和偏差的幾率大幅降低。臺(tái)積電5nm同期良率提升速度這么快，和EUV光刻機(jī)的大規(guī)模部署有極大的關(guān)聯(lián)。 另外，相較于臺(tái)積電N7+，基于Cortex A72核心的全新5nm芯片能夠提供1.8倍的邏輯密度、速度增快15%。據(jù)臺(tái)積電總裁魏哲家在臺(tái)積電技術(shù)論壇上表示，5nm正加速量產(chǎn)，加強(qiáng)版5nm預(yù)計(jì)2021年量產(chǎn)。 5nm是目前世界上能夠達(dá)到的最高工藝水準(zhǔn)，但是臺(tái)積電并不打算只停留在5nm，3nm預(yù)計(jì)2022年下半年實(shí)現(xiàn)5.5萬(wàn)片產(chǎn)能，2023年單月再達(dá)到10萬(wàn)片。 相較 5nm，3nm 速度提升 15%，功耗降低 30%，電晶體密度提升 70%，蘋(píng)果已經(jīng)包下了首波3nm芯片，可能明年發(fā)布的iPhone 13將采用3nm工藝制程，另外還有多家客戶(hù)也進(jìn)入了3nm生產(chǎn)線(xiàn)產(chǎn)能中。而在2nm技術(shù)方面，臺(tái)積電預(yù)計(jì)將會(huì)在2023年實(shí)現(xiàn)風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)。

據(jù)DigiTimes報(bào)道，臺(tái)積電5nm使用了先進(jìn)的技術(shù)與特殊處理，預(yù)計(jì)晶圓成本將相當(dāng)昂貴。根據(jù)美國(guó)CSET計(jì)算，以5nm計(jì)數(shù)器制造的12吋晶圓成本約1.6988萬(wàn)美元，遠(yuǎn)高于7nm成本9346美元，漲幅超過(guò)80%。 再者，由于臺(tái)積電大部分產(chǎn)線(xiàn)為蘋(píng)果A14以及麒麟9000系列芯片占用，剩余產(chǎn)能基本無(wú)法滿(mǎn)足高通的需求，高通選擇三星電子作為驍龍875代工廠(chǎng)似乎成了必然。 ｜不只是驍龍875國(guó)外@Roland Quandt爆料：驍龍875(SM8350)將有Lahaina和Lahaina+兩個(gè)版本，有可能會(huì)被命名為“驍龍875”和“驍龍875G”，（從以往高通的“套路”來(lái)看，驍龍875G應(yīng)該就是驍龍875 Plus的定位，即驍龍875的官方超頻版本，相比普通版提高CPU和GPU時(shí)鐘速度，進(jìn)而性能提升。）除此之外，高通還將在2021年推出驍龍775G，這也是高通首款采用6nm工藝的芯片。

驍龍875很可能會(huì)首發(fā)Cortex-X1超大核心，配備1個(gè)Cortex-X1超大核、3個(gè)Cortex-A78大核以及四個(gè)Cortex-A55小核的強(qiáng)勁配置。根據(jù)ARM介紹，Cortex X1采用全新內(nèi)核體系結(jié)構(gòu)，另外，同時(shí)配X60 5G調(diào)制解調(diào)器，其性能有望和蘋(píng)果A14一較高下。

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原文標(biāo)題：三星“彎道超車(chē)”？拿下高通旗艦芯片完整訂單！

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