1. 傳ASML取消與三星合作的半導(dǎo)體研究設(shè)施,轉(zhuǎn)而尋求替代方案
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2023年末,三星與ASML簽署了一項價值1萬億韓元的協(xié)議,雙方將在韓國京畿道東灘投資建設(shè)半導(dǎo)體芯片研究設(shè)施,并在那里共同努力改進EUV光刻制造技術(shù)。與此同時,三星還獲得了High-NA EUV光刻設(shè)備技術(shù)的優(yōu)先權(quán)。
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據(jù)外媒報道,ASML現(xiàn)在似乎放棄了與三星的合作建設(shè)半導(dǎo)體芯片研究設(shè)施,開始將早期購買的土地出售。據(jù)了解,ASML在去年購入了6塊土地,總面積達(dá)到了約19000平方米,其中2塊已經(jīng)出售,另外2塊在掛牌出售。至于具體什么原因,或者雙方計劃有什么改變,暫時還不清楚。
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2. 虛假宣傳最高可判刑2年!中汽協(xié)發(fā)布關(guān)于規(guī)范駕駛輔助宣傳與應(yīng)用的倡議書
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4月21日,中國汽車工業(yè)協(xié)會發(fā)布規(guī)范駕駛輔助宣傳與應(yīng)用的倡議書,倡議:規(guī)范營銷宣傳行為。倡議書中指出,企業(yè)應(yīng)嚴(yán)格依據(jù)《汽車駕駛自動化分級》(GB/T 40429—2021),杜絕虛假宣傳與過度營銷,避免使用模糊或誤導(dǎo)性表述,確保功能命名科學(xué)嚴(yán)謹(jǐn),防止駕駛員誤用、濫用風(fēng)險。對已發(fā)布的失實信息應(yīng)及時澄清并整改,主動承擔(dān)企業(yè)主體責(zé)任和社會責(zé)任。切實履行告知義務(wù)。
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更早前,公安部道路交通安全研究中心官方公眾號發(fā)文稱,根據(jù)《中華人民共和國廣告法》第二十八條,若車企通過廣告或宣傳材料虛構(gòu)、夸大輔助駕駛功能(如將2級輔助駕駛描述為 “自動駕駛”),誤導(dǎo)消費者購買,市場監(jiān)管部門可依據(jù)《中華人民共和國廣告法》對虛假宣傳行為處以廣告費用5-10倍罰款,情節(jié)嚴(yán)重的吊銷營業(yè)執(zhí)照。若虛假宣傳造成嚴(yán)重后果(如引發(fā)交通事故致人傷亡),可能觸犯《中華人民共和國刑法》第二百二十二條,可對責(zé)任人處2年以下有期徒刑或拘役,并處或單處罰金。
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3. 緊跟AMD、蘋果 傳英特爾下單臺積2納米
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臺積電二納米制程預(yù)計今年下半年進入量產(chǎn),除了日前公開相關(guān)下單訊息的AMD,以及一般預(yù)期將采用的大客戶蘋果之外,市場最新傳出英特爾也已加入臺積二納米制程首批客戶行列,而這三大客戶的產(chǎn)品也正在臺積電新竹廠區(qū)緊鑼密鼓準(zhǔn)備試產(chǎn),以利后續(xù)調(diào)整良率。
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針對上述傳聞,臺積電表示,不評論市場傳聞,也不評論特定客戶業(yè)務(wù)。英特爾對于相關(guān)消息也不予置評。去年二月時任英特爾執(zhí)行長的基辛格證實,英特爾將把兩款處理器關(guān)鍵的運算芯片塊(Compute tile)首度交給臺積電生產(chǎn)。
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4. 傳三星停產(chǎn)DDR4 6月截止訂單
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近日,業(yè)界消息指出,三星電子已正式通知客戶,將于2025年4月終止1z制程8Gb LPDDR4存儲器生產(chǎn)(EOL,End of Life),并要求客戶在6月前完成最后買進訂單,預(yù)計最遲于10月前出貨。
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廠商分析,主要是因為因為中國大陸低端手機用的LPDDR4訂單被當(dāng)?shù)卮鎯S拿走,三星未來將聚焦LPDDR5以上的高端產(chǎn)品。業(yè)界人士稱,三星有意停產(chǎn)部分DDR4產(chǎn)品主要有兩個原因,一是,集中資源于獲利能力更高的HBM與DDR5產(chǎn)品線,二是中國大陸存儲廠持續(xù)擴張DDR4產(chǎn)能導(dǎo)致市場競爭加劇與利潤壓縮。
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5. 英特爾詳細(xì)展示Intel 18A工藝:性能提升25%,功耗降低36%
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英特爾將在即將舉行的2025年VLSI研討會上詳細(xì)介紹其Intel 18A制造技術(shù)(1.8nm)相對于Intel 3(7nm)工藝的優(yōu)。正如預(yù)期的那樣,新的生產(chǎn)節(jié)點將在功耗、性能和面積(PPA)指標(biāo)方面帶來顯著提升,從而為客戶端和數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品帶來切實的優(yōu)勢。
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英特爾聲稱,與采用Intel 3工藝技術(shù)制造的相同模塊相比,Intel 18A制造工藝在相同電壓(1.1V)和復(fù)雜度下,性能提升25%,在相同頻率和1.1V電壓下,功耗降低36%。在較低電壓(0.75V)下,Intel 18A工藝性能提升18%,功耗降低 38%。此外,與Intel 3相比,Intel 18A工藝的面積縮小率始終達(dá)到0.72倍。Intel 18A制造技術(shù)是該公司首個采用環(huán)繞柵極(GAA)RibbonFET晶體管并采用PowerVia背面供電網(wǎng)絡(luò)(BSPDN)的節(jié)點,這兩項特性使其在PPA方面具有顯著優(yōu)勢。
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6. 美國宣布:征收高達(dá)3403%關(guān)稅!
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美國商務(wù)部周一(4月21日)宣布,將對從東南亞進口但主要由中國工廠生產(chǎn)的太陽能電池和電池板征收至高達(dá)3403.96%的關(guān)稅。反傾銷稅和反補貼稅將針對來自柬埔寨、泰國、越南和馬來西亞的太陽能電池(包括組件)。這些產(chǎn)品被發(fā)現(xiàn)受益于外國公司的不公平定價以及其政府向外國公司提供的不公平補貼。
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太陽能電池和電池板進口將面臨根據(jù)產(chǎn)品原產(chǎn)國而定的反補貼稅:柬埔寨最高3403.96%,泰國最高799.55%,越南最高542.64%,馬來西亞最高168.80%。中國的一些主要制造商,例如昊能光電、天合光能和晶科能源正面臨針對特定公司的關(guān)稅。這是繼去年一些公司提起的貿(mào)易訴訟之后,美國政府做出的最終裁定。
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今日看點丨美國宣布:征收高達(dá)3403%關(guān)稅!;傳三星停產(chǎn)DDR4
- DDR4(41400)
- 三星(32155)
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超越三星的國產(chǎn)內(nèi)存!朗科絕影DDR4-4266開箱 #硬聲創(chuàng)作季
SamsungDDR4產(chǎn)品評測三星
jf_49750429發(fā)布于 2022-11-03 07:39:43



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“全球最小”8Gb DDR4 芯片 三星DRAM地位再增強
三星在DRAM市場的霸主再一次的得到了增強。據(jù)報道,三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片,這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:01
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三星全球首發(fā)第二代10nm DRAM產(chǎn)品
三星被人稱為世界最賺錢的公司之一,三星Q3凈利潤高達(dá)98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級8Gb DDR4 DRAM芯片的消息,更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:33
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叫板三星 紫光成功研發(fā)國產(chǎn)首條自主DDR4內(nèi)存
DRAM內(nèi)存制造技術(shù)一直都是國家最為關(guān)注的重要戰(zhàn)略之一。在內(nèi)存市場中國沒有足夠的話語權(quán),都被三星、SK海力士、美光幾家企業(yè)幾乎壟斷。據(jù)報道,紫光打造的中國第一款自主的PC DDR4內(nèi)存條終于問世,讓我們看到了國產(chǎn)內(nèi)存崛起的希望。
2017-12-22 16:00:26
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三星二代10納米將加速未來DRAM芯片問世 進一步搶攻DRAM市場商機
三星的DRAM市場表現(xiàn)十分強勁,并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場龐大需求,三星將在明年擴大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
2017-12-27 11:22:38
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三星宣布,全球第一個開始量產(chǎn)基于16Gb(2GB) Die顆粒的新一代64GB DDR4 RDIMM內(nèi)存條
三月份首次公開展示之后,三星電子今天宣布,已經(jīng)全球第一個開始量產(chǎn)基于16Gb(2GB) Die顆粒的新一代64GB DDR4 RDIMM內(nèi)存條,主要面向企業(yè)和云服務(wù)應(yīng)用。
2018-06-13 15:09:00
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芝奇推頻率最高的DDR4內(nèi)存套裝
據(jù)報道,近日芝奇推出Trident Z RGB DDR4-4700套裝被稱之為是目前頻率最高的DDR4內(nèi)存套裝,采用三星B-die顆粒,開啟XMP功能就可以達(dá)到4700MHz的工作頻率。
2018-02-06 11:47:38
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進軍電競市場 三星正式量產(chǎn)DDR4存儲器
三星電子 30 日宣布,已開始正式量產(chǎn)全球首款 32GB 容量、適用于小型雙列直插式存儲器模組(SoDIMM)規(guī)格的電競筆電 DDR4 存儲器。而新的 SoDIMM 存儲器模組是以 10 納米制程技術(shù)打造,可以用戶享受豐富的電競游戲之外,并具有更大的容量與更快的速度,而且傭有更低的耗能表現(xiàn)。
2018-06-11 11:49:00
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對美國關(guān)稅征收中國采取措施,貿(mào)易反擊戰(zhàn)打擊美國高端半導(dǎo)體公司
中國正研究第二三批關(guān)稅報復(fù)清單,比如飛機芯片等領(lǐng)域。貿(mào)易專家魏建國表示,面對美國對華采取限制措施,中國已經(jīng)做好充分準(zhǔn)備,中國后續(xù)可能對美國關(guān)稅征收進一步采取措施。繼宣布第一批中止減讓產(chǎn)品清單之后,中國正在研究第二批、第三批清單,比如飛機、芯片領(lǐng)域。
2018-06-09 00:43:00
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三星第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM量產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升需求
12月20日,三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM,并持續(xù)擴大整體10nm級DRAM的生產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求,繼續(xù)加強三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:25
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三星10nm級DDR4 SoDIMM內(nèi)存,容量達(dá)到32GB單條
三星宣布推出基于10nm級(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組,用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條,頻率2666MHz,結(jié)構(gòu)上是由16個16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:01
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紫光宣布國產(chǎn)DDR4內(nèi)存年底提前推向市場,大陸地區(qū)三大存儲該如何應(yīng)對?
近日不少有關(guān)國產(chǎn)自主DDR4內(nèi)存的報道,目前已有合肥長鑫、長江存儲、福建晉華三家公司宣布2019年完成LPDDR4芯片。現(xiàn)在最新消息,紫光宣布國產(chǎn)DDR4內(nèi)存2018年年底提前推向市場。
2018-08-07 16:42:50
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DDR4技術(shù)有什么特點?如何采用ANSYS進行DDR4仿真?
本文介紹了DDR4技術(shù)的特點,并簡單介紹了ANSYS工具用來仿真DDR4的過程。文章中主要介紹的對象為DDR4 3200MHz內(nèi)存,因為硬件極客對DDR4性能的不斷深挖,目前已經(jīng)有接近5000MHz的量產(chǎn)內(nèi)存。
2018-10-14 10:37:28
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三星宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片
3月21日,三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:08
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三星突破DRAM的擴展極限 成功研發(fā)10nm級DDR4內(nèi)存
,動態(tài)隨機存取存儲器)。自開始批量生產(chǎn)第二代10nm級(1y-nm)8Gb DDR4以來僅僅16個月,三星不再使用Extreme Ultra-Violet(EUV)處理的情況下開發(fā)1z-nm 8Gb DDR4,說明三星突破了DRAM的擴展極限。
2019-03-21 17:30:54
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三星第三代10nm工藝DDR4內(nèi)存下半年量產(chǎn)
關(guān)鍵詞:DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。量產(chǎn)時間
2019-03-29 07:52:01
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DDR4設(shè)計規(guī)則及DDR4的PCB布線指南
2014年,推出了第四代DDR內(nèi)存(DDR4),降低了功耗,提高了數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的芯片密度。 DDR4內(nèi)存還具有改進的數(shù)據(jù)完整性,增加了對寫入數(shù)據(jù)的循環(huán)冗余檢查和片上奇偶校驗檢測。
2019-07-26 14:34:01
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蘋果公司被美國進口商品關(guān)稅調(diào)整帶來影響,三星電子確不會
特朗普表示,庫克提出了一個“很好的理由”,即美國最近進行的進口商品關(guān)稅調(diào)整可能給蘋果公司帶來一些影響,因為蘋果的競爭對手三星電子可能不會受到這些關(guān)稅調(diào)整帶來
2019-08-19 09:08:33
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美光正式量產(chǎn)1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存
日前美光公司宣布量產(chǎn)了1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存,這是第三代10nm級內(nèi)存工藝,這次量產(chǎn)也讓美光成為業(yè)界第一個量產(chǎn)1Znm工藝的公司,這一次進度比以往的標(biāo)桿三星公司還要快。
2019-08-26 12:43:00
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美國宣布從10月18日開始對從歐盟進口的飛機征收10%的懲罰性關(guān)稅
美國此前宣布,從10月18日開始,對從歐盟進口的飛機征收10%的懲罰性關(guān)稅。同時,對歐盟進口的奶酪、火腿、橄欖油和葡萄酒等加征25%的關(guān)稅。
2019-10-16 11:15:46
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合肥長鑫量產(chǎn)DDR4內(nèi)存 暫時不會產(chǎn)生什么大影響
9 月份合肥長鑫宣布量產(chǎn) 8Gb 顆粒的國產(chǎn) DDR4 內(nèi)存。對于國產(chǎn)內(nèi)存,市場預(yù)期不會對三星、SK 海力士及美光三大內(nèi)存巨頭帶來太大影響,但是會擠壓第四大內(nèi)存廠商南亞科的空間。對此南亞科予以否認(rèn),表示短時間內(nèi)沒什么大影響。
2019-11-19 10:44:31
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三星電子成功開發(fā)出了DDR5芯片
隨著現(xiàn)代計算機能力的不斷發(fā)展,推動著存儲器件朝著更高性能的方向發(fā)展。DDR5作為DDR4的后繼者,能支持更快的傳輸速率和更高的容量。近日,三星電子宣布成功開發(fā)DDR5芯片,可提供更強大、更可靠的性能,支持現(xiàn)代服務(wù)器不斷增長的需求。
2020-02-22 09:40:47
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[譯] 盡管DDR5快來了,DDR4還是取得新進展
DDR5暫無發(fā)布日期,DDR4正在取得重大進展。 今年夏天初,美光(Micron)和三星(Samsung)等公司宣布了采用DDR5的內(nèi)存的巨大飛躍。盡管新版本似乎在我們的掌控之中,但仍需要一段時間
2020-09-23 16:37:53
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芝奇發(fā)布多款專為三星定制優(yōu)化的高速DDR4內(nèi)存套裝
銳龍5000系列正式登場的同時,芝奇就發(fā)布了多款專為其進行定制優(yōu)化的高速DDR4內(nèi)存套裝,隸屬于知名的Trident Z Neo焰光戟系列。
2020-11-06 09:33:05
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七彩虹發(fā)布 iGame VULCAN DDR4 內(nèi)存,全面升級三星 B-die 顆粒
今日,七彩虹宣布 iGame 內(nèi)存全面升級,正式發(fā)布了 iGame VULCAN DDR4 內(nèi)存。 iGame VULCAN DDR4 延續(xù)了 VULCAN 顯卡紋理設(shè)計。值得一提的是,經(jīng)過網(wǎng)友命名
2020-12-25 10:31:31
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三星LCD產(chǎn)線停產(chǎn)的計劃再次延后
根據(jù)相關(guān)報道消息稱,根據(jù)三星顯示(SDC)向牙山產(chǎn)業(yè)園LCD產(chǎn)線職員透露消息,三星將停產(chǎn)液晶面板的計劃進一步延期,可能最長延遲到明年底,而有意思的是,這也是三星LCD產(chǎn)線停產(chǎn)計劃的再次延后。
2020-12-28 15:49:03
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三星延后液晶面板停產(chǎn)計劃
因市場需求快速回升,全球面板大廠三星電子旗下三星顯示器公司(三星SDC)周二宣布,其將繼續(xù)生產(chǎn)用于顯示器和電視機的液晶顯示器(LCD)面板,之前的停產(chǎn)計劃取消,主要原因還是市場需求太旺盛了。
2020-12-29 17:01:00
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一文分享宇航級DDR4的硬件設(shè)計指南
流媒體視頻和星載人工智能。 我之前介紹過面向宇航應(yīng)用的 Teledyne e2v 的耐輻射 DDR4 (DDR4T04G72),可提供 4GB 的存儲容量,高達(dá)1.2GHz 的時鐘頻率和 2.4GT/s 的數(shù)據(jù)速率(帶寬為 172.8Gb/s),本文將更深入地介紹這款宇航級 DDR4 存儲器的細(xì)節(jié)。 本文的
2021-07-26 15:30:30
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DDR4原理及硬件設(shè)計
DDR4的工作原理以及尋址方式DDR4是什么?DDR4全稱,DDR4-DRAM,與其他DDRDRAM一樣,是當(dāng)前電子系統(tǒng)架構(gòu)中使用最為廣泛的的RAM存儲器。這句話可以分解出3個關(guān)鍵字:存儲器
2021-11-06 13:51:01
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DDR4協(xié)議
本文檔定義了DDR4 SDRAM規(guī)范,包括特性、功能、交流和直流特性、封裝和球/信號分配。本標(biāo)準(zhǔn)旨在定義符合JEDEC 2 Gb的最低要求x4、x8和x16 DDR4 SDRAM設(shè)備通過16 Gb
2022-11-29 10:00:17
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ddr5的主板可以用ddr4內(nèi)存嗎 幾代CPU才能上DDR5
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5(第五代雙倍數(shù)據(jù)率)和DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率)是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù),它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此,DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中,也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:25
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ddr4 3200和3600差別大嗎 ddr4 3200和3600可以混用嗎
DDR4 3200和DDR4 3600是兩種常見的內(nèi)存頻率規(guī)格,它們在性能上會有一定的差別,但差別大小取決于具體的應(yīng)用場景和系統(tǒng)配置。
2023-08-22 14:45:05
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傳三星下半年將再度減產(chǎn)DDR4 有望帶動價格上升
隨著英特爾和amd將新的pc/筆記本電腦和服務(wù)器平臺更換為ddr4, ddr4的需求開始減少。因此,三星大幅減少ddr4的生產(chǎn),轉(zhuǎn)向ddr5,試圖鞏固業(yè)界第一的位置。
2023-09-15 11:40:33
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三星再次減產(chǎn),刺激DDR4價格上漲
三星公司計劃在下半年再次削減DRAM制程的產(chǎn)能,而今年以來這一減產(chǎn)主要針對DDR4。業(yè)界普遍預(yù)期,三星的目標(biāo)是在今年年底之前將庫存水平降至合理水平。這一減產(chǎn)舉措可能會導(dǎo)致DDR4市場價格上漲,而目前
2023-09-15 17:42:08
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DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別?
DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別? 隨著計算機的日益發(fā)展,內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及,更多的人開始對兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:00
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三星和SK海力士下半年停產(chǎn)DDR3內(nèi)存
近日,三星和SK海力士宣布,將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存,轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標(biāo)志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。
2024-05-17 10:12:21
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今日看點丨曝三星計劃Q3對DRAM、NAND漲價15%~20%;傳蘋果將大砍一半產(chǎn)線員工
%。市場消息同時稱,證實三星電子近期已向戴爾、惠普等客戶通報了這一漲價計劃。事實上,此前已有市場傳聞稱,伴隨“6·18”促銷活動結(jié)束,三星將把SSD漲價15%、DDR4漲價10%、DDR5漲價15
2024-06-27 11:02:40
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今日看點丨歐盟正式對中國新能源車加征關(guān)稅;三星電子改組,新設(shè)HBM芯片獨立研發(fā)團隊
1. 上汽仍為頂格受罰,歐盟正式對中國新能源車加征關(guān)稅 ? 7月4日報道稱,歐盟委員會決定對來自中國的電動汽車進口征收臨時反補貼稅,其中,比亞迪為17.4%,吉利19.9%,上汽37.6%,其他合作
2024-07-05 10:53:18
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DDR4的基本概念和特性
DDR4,即第四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory),是計算機內(nèi)存技術(shù)的一個重要
2024-09-04 11:43:34
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DDR4時鐘頻率和速率的關(guān)系
DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器)的時鐘頻率和速率之間存在著緊密的關(guān)系,這種關(guān)系對于理解DDR4內(nèi)存的性能特性至關(guān)重要。以下將詳細(xì)探討DDR4時鐘頻率和速率之間的關(guān)系,包括它們?nèi)绾蜗嗷ビ绊憽⑷绾魏饬恳约霸趯嶋H應(yīng)用中的表現(xiàn)。
2024-09-04 11:44:27
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DDR4尋址原理詳解
DDR4(Double Data Rate 4th Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory,即第四代雙倍速率同步動態(tài)隨機存取存儲器
2024-09-04 12:38:57
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什么是DDR4內(nèi)存的工作頻率
DDR4內(nèi)存的工作頻率是指DDR4內(nèi)存條在運行時所能達(dá)到的速度,它是衡量DDR4內(nèi)存性能的一個重要指標(biāo)。DDR4內(nèi)存作為目前廣泛使用的內(nèi)存類型之一,其工作頻率經(jīng)歷了從最初的低頻率到當(dāng)前的高頻率的不斷發(fā)展。
2024-09-04 12:45:39
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DDR4時序參數(shù)介紹
DDR4(Double Data Rate 4)時序參數(shù)是描述DDR4內(nèi)存模塊在執(zhí)行讀寫操作時所需時間的一組關(guān)鍵參數(shù),它們直接影響到內(nèi)存的性能和穩(wěn)定性。以下是對DDR4時序參數(shù)的詳細(xì)解釋,涵蓋了主要的時序參數(shù)及其功能。
2024-09-04 14:18:07
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如何選擇DDR內(nèi)存條 DDR3與DDR4內(nèi)存區(qū)別
隨著技術(shù)的不斷進步,計算機內(nèi)存技術(shù)也在不斷發(fā)展。DDR(Double Data Rate)內(nèi)存條作為計算機的重要組成部分,其性能直接影響到電腦的運行速度和穩(wěn)定性。DDR3和DDR4是目前市場上最常
2024-11-20 14:24:22
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DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異
DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異 隨著技術(shù)的發(fā)展,內(nèi)存技術(shù)也在不斷進步。DDR5內(nèi)存作為新一代的內(nèi)存技術(shù),相較于DDR4內(nèi)存,在性能上有著顯著的提升。 1. 數(shù)據(jù)傳輸速率 DDR5內(nèi)存的最大數(shù)
2024-11-29 14:58:40
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三大內(nèi)存原廠或?qū)⒂?025年停產(chǎn)DDR3/DDR4
據(jù)報道,業(yè)內(nèi)人士透露,全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光,有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進步和消費級平臺的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:51
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今日看點丨特朗普宣布關(guān)稅政策:所有國家加征10%,中國34%;高通推出第四代驍龍 8s 移動平臺
1. 特朗普宣布最新美國關(guān)稅政策:所有國家加征 10% ,中國 34% ? 據(jù)外媒報道,當(dāng)?shù)貢r間4月2日下午4點,美國總統(tǒng)特朗普正式宣布美國最新的關(guān)稅政策。根據(jù)新政,特朗普宣布如下關(guān)稅調(diào)整:1、美國
2025-04-03 11:11:12
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