根據(jù)東方衛(wèi)視的報(bào)道，首片國(guó)產(chǎn) 6 英寸碳化硅 MOSFET（金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管）晶圓于 10 月 16 日在上海正式發(fā)布。

從終端應(yīng)用層上來(lái)看在碳化硅材料在高鐵、汽車電子、智能電網(wǎng)、光伏逆變、工業(yè)機(jī)電、數(shù)據(jù)中心、白色家電、消費(fèi)電子、5G通信、次世代顯示等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，市場(chǎng)潛力巨大。2015年，汽車巨頭豐田便展示了全碳化硅模組的PCU。相比之下，碳化硅PCU僅為傳統(tǒng)硅PCU的體積的1/5，重量減輕35%，電力損耗從20%降低到5%，提升混動(dòng)車10%以上的經(jīng)濟(jì)性，經(jīng)濟(jì)社會(huì)效益十分明顯。

據(jù)介紹，國(guó)產(chǎn) 6 英寸碳化硅 MOSFET 晶圓，基于碳化硅（第三代半導(dǎo)體材料）制成，用于新能源車、光伏發(fā)電等新能源產(chǎn)業(yè)。

上海瞻芯電子創(chuàng)始人兼總經(jīng)理張永熙表示：“如果用了碳化硅 MOSFET（金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管）新能源汽車作電驅(qū)動(dòng)的話，續(xù)航里程可以有 5% 到 10% 的提升；比如說(shuō)用了碳化硅工藝器件的光伏逆變器的話，效率也可以非常大的提升尤其在能耗上面降低 50% ?！?br />
不過(guò)目前說(shuō)碳化硅完全取代硅晶芯片還為時(shí)過(guò)早，第三代半導(dǎo)體材料和傳統(tǒng)硅材料，應(yīng)用領(lǐng)域是完全不同的，硅更多的是用來(lái)制作存儲(chǔ)器、處理器、數(shù)字電路和模擬電路等傳統(tǒng)的集成電路芯片。而碳化硅因?yàn)槟艹惺艽箅妷汉痛箅娏鳎貏e適合用來(lái)制造大功率器件、微波射頻器件以及光電器件等。碳化硅如果做商業(yè)數(shù)字芯片是明顯的大材小用，在不考慮外界因素和成本的前提下只能說(shuō)兩者是互補(bǔ)關(guān)系，對(duì)于部分功率器件領(lǐng)域，未來(lái)碳化硅芯片將占據(jù)優(yōu)勢(shì)。

上海瞻芯電子科技有限公司是一家聚焦于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司，2017年成立于上海自貿(mào)區(qū)臨港新片區(qū)。官方表示，經(jīng)過(guò)三年的深度研發(fā)和極力攻關(guān)，瞻芯電子成為中國(guó)第一家掌握6英寸SiC MOSFET和SBD工藝，以及SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片的公司。

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