緊迫的時(shí)間表有時(shí)會(huì)讓工程師忽略除了 VIN、 VOUT和負(fù)載要求等以外的其他關(guān)鍵細(xì)節(jié)，將PCB應(yīng)用的電源設(shè)計(jì)放在事后再添加。遺憾的是，后續(xù)生產(chǎn)PCB時(shí)，之前忽略的這些細(xì)節(jié)會(huì)成為難以診斷的問題。例如，在經(jīng)過漫長的調(diào)試過程后，設(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)電路會(huì)隨機(jī)出現(xiàn)故障，比如，因?yàn)殚_關(guān)噪聲，導(dǎo)致隨機(jī)故障的來源則很難追查。

選擇繁多

對(duì)于特定的電源設(shè)計(jì)，可能有多種可行的解決方案。在下面的示例中，我們將介紹多種選擇，例如單芯片電源與多電壓軌集成電路（IC）。我們將評(píng)估成本和性能取舍。探討低壓差（LDO）穩(wěn)壓器與開關(guān)穩(wěn)壓器（一般稱為降壓或升壓穩(wěn)壓器）之間的權(quán)衡考量。還將介紹混合方法（即LDO穩(wěn)壓器和降壓穩(wěn)壓器的混合與匹配），包括電壓輸入至輸出控制（VIOC）穩(wěn)壓器解決方案。

在本文中，我們將分析開關(guān)噪聲，以及在開關(guān)電源設(shè)計(jì)無法充分濾波時(shí)，PCB電路會(huì)受哪些影響。從總體設(shè)計(jì)角度來看，還需考慮成本、性能、實(shí)施和效率等因素。

例如，如何根據(jù)給定的一個(gè)或多個(gè)電源實(shí)現(xiàn)多電源拓?fù)鋬?yōu)化設(shè)計(jì)？我們將藉此深入探討設(shè)計(jì)、IC接口技術(shù)、電壓閾值電平，以及哪類穩(wěn)壓器噪聲會(huì)影響電路。我們將分析一些基本邏輯電平，例如5 V、3.3 V、2.5 V和1.8 V晶體管-晶體管邏輯（TTL）、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS），及其各自的閾值要求。

本文還會(huì)提及正發(fā)射極耦合邏輯（PECL）、低壓PECL（LVPECL）和電流模式邏輯（CML）等先進(jìn)邏輯，但不會(huì)詳細(xì)介紹。這些都是超高速接口，對(duì)于它們來說，低噪聲電平非常重要。設(shè)計(jì)人員需要知道如何避免信號(hào)擺幅引起的這些問題。

在電源設(shè)計(jì)中，成本和性能要求并存，所以設(shè)計(jì)人員必須仔細(xì)考慮邏輯電平和對(duì)干凈電源的要求。在公差和噪聲方面，通過設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)可靠性并提供適當(dāng)裕量，也可以避免生產(chǎn)問題。

設(shè)計(jì)人員需要了解與電源設(shè)計(jì)相關(guān)的權(quán)衡考量：哪些可實(shí)現(xiàn)？哪些可接受？如果設(shè)計(jì)達(dá)不到要求的性能，那么設(shè)計(jì)人員必須重新審視選項(xiàng)和成本，以滿足規(guī)格要求。例如，多軌器件（例如 ADP5054）可以在保持成本高效的同時(shí)提供所需的性能優(yōu)勢(shì)。

典型設(shè)計(jì)示例

我們先來舉個(gè)設(shè)計(jì)示例。圖1顯示將12 V和3.3 V輸入電源作為主電源的電路板框圖。主電源必須降壓，以便針對(duì)PCB應(yīng)用產(chǎn)生5 V、2.5 V、1.8 V，甚至3.3 V電壓。如果外部3.3 V電源能夠提供足夠的電源和低噪聲，那么可以直接使用3.3 V輸入電軌，無需額外調(diào)節(jié)，以免產(chǎn)生額外成本。如果不能，則可以使用12 V輸入電軌，通過降壓至PCB應(yīng)用所需的3.3 V來滿足電源要求。

圖1.需要多軌電源解決方案的應(yīng)用電路板概覽。

邏輯接口概述

PCB一般使用多個(gè)電源。IC可能僅使用5 V電源；或者，它可能要求多個(gè)電源，輸入/輸入接口使用5 V和3.3 V，內(nèi)部邏輯使用2.5 V，低功耗休眠方式使用1.8 V。低功耗模式可能始終開啟，用于定時(shí)器功能、管理等邏輯，或用于中斷時(shí)啟用喚醒模式，或者用于IRQ引腳，以啟用IC功能并為其供電，也就是5 V、3.3 V和2.5 V電源。所有這些或其中部分邏輯接口通常都在IC內(nèi)部。

圖2顯示了標(biāo)準(zhǔn)邏輯接口電平，包括各種TTL和CMOS閾值邏輯電平，以及它們可接受的輸入和輸出電壓邏輯定義。在本文中，我們將討論何時(shí)將輸入邏輯驅(qū)動(dòng)至低電平（用輸入電壓低 （VIL）表示），何時(shí)驅(qū)動(dòng)至高電平（用輸入邏輯電平高 VIH表示）。我們將重點(diǎn)分析VIL，即圖2中標(biāo)記為“Avoid”的閾值不確定區(qū)域。

在所有情況下，必須考慮±10%的電源公差。圖3顯示了高速差分信號(hào)。本文將著重探討圖2所示的標(biāo)準(zhǔn)邏輯電平。

圖2.標(biāo)準(zhǔn)邏輯接口電平。

開關(guān)噪聲

未經(jīng)過充分濾波時(shí)，開關(guān)穩(wěn)壓器降壓或升壓電源設(shè)計(jì)可能產(chǎn)生幾十毫伏至幾百毫伏的開關(guān)噪聲，尖峰可能達(dá)到400 mV至600 mV。所以，了解開關(guān)噪聲是否會(huì)給使用的邏輯電平和接口造成問題非常重要。

安全裕度

為確保提供合適的安全裕度，實(shí)現(xiàn)可靠的PSU，一條設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)法則是采用最糟糕情況下的–10%公差。例如，對(duì)于5 V TTL，0.8 V的VIL變成0.72 V，對(duì)于1.8 V CMOS，0.63 V的VIL變成0.57 V，閾值電壓（VTH）也相應(yīng)降低（5 V TTL VTH = 1.35 V，1.8 V CMOS VTH = 0.81 V）。開關(guān)噪聲（VNS）可能為幾十毫伏到幾百毫伏。此外，邏輯電路本身也會(huì)產(chǎn)生信號(hào)噪聲（VN），即干擾噪聲?？傇肼曤妷海╒TN = VN + VNS）可能在100 mV至800 mV之間。將VTN添加至標(biāo)稱信號(hào)中，以生成總信號(hào)電壓（VTSIG）：實(shí)際的總信號(hào)（VTSIG = VTSIG + VTN）會(huì)影響閾值電壓（VTH），進(jìn)一步擴(kuò)大了avoid區(qū)域。VTH區(qū)域內(nèi)的信號(hào)電平是不確定的，在該區(qū)域內(nèi)，邏輯電路可以任意隨機(jī)翻轉(zhuǎn)；例如，在最糟糕的情形下，會(huì)錯(cuò)誤觸發(fā)邏輯1，而不是邏輯0。

圖3.高速差分邏輯接口電平。

多軌PSU注意事項(xiàng)和提示

通過了解接口輸入和IC內(nèi)部邏輯的閾值電平，我們現(xiàn)在知道哪些電平會(huì)觸發(fā)正確的邏輯電平，哪些會(huì)（意外）觸發(fā)錯(cuò)誤的邏輯電平。問題在于：要滿足這些閾值，電源的噪聲性能需要達(dá)到什么水平？低壓差線性穩(wěn)壓器噪聲很低，但在高壓降比下卻并不一定高效。開關(guān)穩(wěn)壓器可以有效降壓，但會(huì)產(chǎn)生一些噪聲。高效低噪的電源系統(tǒng)應(yīng)包含這兩種電源的組合。本文著重介紹各種組合，包括在開關(guān)穩(wěn)壓器后接LDO穩(wěn)壓器的混合方法。

（在需要時(shí)）最大化效率和最小化噪聲的方法

從圖1所示的設(shè)計(jì)示例可以看出，為了充分提高5 V穩(wěn)壓的效率并盡可能降低開關(guān)噪聲，需要分接12 V電路并使用降壓穩(wěn)壓器，例如 ADP2386。從標(biāo)準(zhǔn)邏輯接口電平來看，5 V TTL VIL 和 5 V CMOS VIL 分別是0.8 V和1.5 V，僅使用開關(guān)穩(wěn)壓器時(shí)，也具備適當(dāng)?shù)脑６?。?duì)于這些電軌，通過使用降壓拓?fù)淇蓪?shí)現(xiàn)效率最大化，而開關(guān)噪聲則低于采用5 V（TTL和CMOS）技術(shù)時(shí)的 VIL。通過使用降壓穩(wěn)壓器（例如圖4a所示的ADP2386配置），效率可以高達(dá)95%，如ADP2386的典型電路和效率曲線圖所示（見圖4b）。如果在此設(shè)計(jì)中使用噪聲較低的LDO穩(wěn)壓器，從VIN到VOUT的7 V壓降會(huì)導(dǎo)致消耗大量內(nèi)部功率，一般表現(xiàn)為產(chǎn)生熱量和損失效率。為了以少量額外成本實(shí)現(xiàn)可靠設(shè)計(jì)，在降壓穩(wěn)壓器后接LDO穩(wěn)壓器來產(chǎn)生5 V電壓也是一項(xiàng)額外優(yōu)勢(shì)。

圖4.ADP2386的（a）典型電路和（b）效率曲線圖。

圖5.典型的ADP125應(yīng)用。

2.5 V和1.8 V CMOS的 VIL 分別是0.7 V和0.63 V。遺憾的是，此邏輯電平的安全裕度尚不足以避免開關(guān)噪聲。要解決此問題，有兩種方案可選。第一種：如果圖1所示的外部3.3 V電源具備足夠功率且噪聲極低，則分接這個(gè)外部3.3 V電源，并使用線性穩(wěn)壓器（LDO穩(wěn)壓器），例如 ADP125 （圖5）或 ADP1740 來獲得2.5 V和1.8 V電源。注意，從3.3 V到1.8 V有1.5 V壓降。如果此壓降會(huì)導(dǎo)致問題，則可以使用混合方法。第二種：如果外部3.3 V電源的噪聲不低，或不能提供足夠功率，則分接12 V電源，通過降壓穩(wěn)壓器后接LDO穩(wěn)壓器來產(chǎn)生3.3 V、2.5 V和1.8 V電源；混合方法如圖6所示。

加入LDO穩(wěn)壓器會(huì)稍微增加成本和板面積以及少量散熱，但要實(shí)現(xiàn)安全裕度，有必要作出這些取舍。使用LDO穩(wěn)壓器會(huì)小幅降低效率，但可以通過保持 VIN 至 VOUT的少量壓降，使這種效率降幅達(dá)到最低：3.3 V至2.5 V，保持0.8 V，或3.3 V至1.8 V，保持1.5 V?？梢允褂脦IOC功能的穩(wěn)壓器盡可能提高效率和瞬變性能。VIOC可以調(diào)節(jié)上游開關(guān)穩(wěn)壓器的輸出，從而在LDO穩(wěn)壓器兩端保持合理的壓降。帶VIOC功能的穩(wěn)壓器包括 LT3045、 LT3042 和 LT3070-1。

LT3070-1是一款5 A、低噪聲、可編程輸出、85 mV低壓差線性穩(wěn)壓器。如果必須使用LDO穩(wěn)壓器，則存在散熱問題，其中功耗= VDROP × I。例如，LT3070-1支持3 A，穩(wěn)壓器兩端的功率降幅（或功耗）典型值為3 A × 85 mV = 255 mW。相比壓差為400 mV，輸出電流同樣為3 A，功耗為1.2 W的一些典型LDO穩(wěn)壓器，LT3070-1的功耗僅為其五分之一。

或者，我們可以使用混合方法，以犧牲成本為代價(jià)來提高效率。圖6中效率和性能均得到優(yōu)化，其中先使用降壓穩(wěn)壓器（ADP2386）將電壓降至允許的最低電壓，盡量提高效率，后接一個(gè)LDO穩(wěn)壓器（ADP1740）。

圖6.使用ADP2386和ADP1740組合的混合拓?fù)洹?/p>

此練習(xí)提供一個(gè)通用設(shè)計(jì)示例，用于顯示一些拓?fù)浜图夹g(shù)。但是，也不能忘記考慮其他因素，例如IMAX、成本、封裝、壓降等。

也提供低噪聲降壓和升壓穩(wěn)壓器選項(xiàng)，例如 Silent Switcher? regulators，它具備極低的噪聲和低EMI。例如，從性能、封裝、尺寸和布局區(qū)域來看， LT8650S 和 LTC3310S 具有成本高效特性。

封裝、功率、成本、效率和性能取舍

量產(chǎn)PCB設(shè)計(jì)通常要求使用緊湊的多軌電源，以實(shí)現(xiàn)高功率、高效率、出色的性能和低噪聲。例如，ADP5054四通道降壓穩(wěn)壓器為FPGA等應(yīng)用提供高功率（17 A）單芯片多軌電源解決方案，如圖7所示。整個(gè)電源解決方案約41 mm × 20 mm大小。ADP5054本身的大小僅為7 mm × 7 mm，可以提供17 A總電流。要在緊湊空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)極高的功率電平，可以考慮使用ADI的 μModule? regulators，例如 LTM4700，可以在15 mm × 22 mm的封裝大小內(nèi)提供高達(dá)100 A電流。

圖7.適合FPGA應(yīng)用的ADP5054單芯片多軌電源解決方案。

圖8.ADP5054原理圖。

ADP5054

寬輸入電壓范圍：4.5 V 至 15.5 V

±整個(gè)溫度范圍下的輸出精度為 1.5%

250 kHz 至 2 MHz 可調(diào)開關(guān)頻率，并具有單獨(dú)的 ?× 頻率選項(xiàng)

功率調(diào)整

通道 1 和通道 2

具有低端 FET 驅(qū)動(dòng)器的可編程 2 A/4 A/6 A 同步降壓穩(wěn)壓器

通道 3 和通道 4：2.5 A 同步降壓穩(wěn)壓器

靈活的并行操作

單一 12 A 輸出（通道 1 和通道 2 并聯(lián)）

單一 5 A 輸出（通道 3 和通道 4 并聯(lián)）

低 1/f 噪聲密度

在 10 Hz 至 100 kHz 頻率下，0.8 VREF 時(shí)為 40 μV rms

0.811 V 精確閾值的精密啟用

有源輸出放電開關(guān)

FPWM/PSM 模式選擇

頻率同步輸入或輸出

通道 1 輸出具有電源正常標(biāo)記

UVLO、OCP 和 TSD 保護(hù)

48 引腳 7 mm × 7 mm LFCSP

工作結(jié)溫范圍為 ?40°C 至 +125°C

原文轉(zhuǎn)自亞德諾半導(dǎo)體

責(zé)任編輯：haq