美光宣布“uMCP5”已量產(chǎn)，首次將LPDDR5內(nèi)存+UFS閃存二合一
繼今年3月首次公開之后，美光今天宣布，全新的“uMCP5”已經(jīng)做好了大規(guī)模量產(chǎn)的準(zhǔn)備。
美光uMCP5在全球首次通過MCP多芯片封裝的方式，將LPDDR5內(nèi)存、UFS閃存整合在一顆芯片內(nèi)，可大大提升智能手機(jī)的存儲密度，節(jié)省內(nèi)部空間、成本、功耗。
據(jù)悉，美光在單顆芯片內(nèi)，集成了自家的LPDDR5內(nèi)存芯片、NAND閃存芯片、UFS 3.1控制器，TFBGA封裝格式，電壓1.8V，工作溫度從-25℃到+85℃。
其中內(nèi)存部分，LPDDR5的數(shù)據(jù)傳輸率最高達(dá)6400Mbps，相比于LPDDR4速度提升多達(dá)50％，同時(shí)能效也提升了幾乎20％。
閃存部分，UFS 3.1相比于UFS 2.1功耗節(jié)省了約20％，持續(xù)讀取速度翻番，持續(xù)下載速度加快20％，可靠性也提升了約66％，編程/擦寫循環(huán)次數(shù)達(dá)到5000次。
美光uMCP5提供四種容量組合，分別為8GB+128GB、8GB+256GB、12GB+128GB、12GB+256GB。
責(zé)編AJX
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
閃存
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1871瀏覽量
116824 -
UFS
+關(guān)注
關(guān)注
6文章
112瀏覽量
26097 -
LPDDR5
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
91瀏覽量
13103
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
深科技：LPDDR5 PoPt超薄疊層封裝方案量產(chǎn)導(dǎo)入
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，深科技主要從事高端存儲芯片的封裝與測試，產(chǎn)品包括 DRAM 運(yùn)存（DDR4/DDR5）、LPDDR 低功耗運(yùn)存（LPDDR4/LPDDR5）、NAND FLASH
網(wǎng)絡(luò)電源二合一防雷浪涌保護(hù)器應(yīng)用解決方案
1. 什么是“網(wǎng)絡(luò)電源二合一防雷器” “網(wǎng)絡(luò)電源二合一防雷器”（下文簡稱二合一SPD），是將以太網(wǎng)端口（含PoE供電）與電源端口（AC或DC）的浪涌保護(hù)集成在同一外殼的
美光宣布：停止移動 NAND開發(fā)，包括終止UFS5開發(fā)
產(chǎn)品的開發(fā)，包括終止UFS5的開發(fā)。 此項(xiàng)決策僅影響全球移動 NAND 產(chǎn)品的開發(fā)工作，美光將繼續(xù)開發(fā)并支持其他 NAND 解決方案，如SSD和面向汽車及其他終端市場的NAND解決方
芯動科技獨(dú)家推出28nm/22nm LPDDR5/4 IP
面對近來全球大廠陸續(xù)停產(chǎn)LPDDR4/4X以及DDR4內(nèi)存顆粒所帶來的巨大供應(yīng)短缺，芯動科技憑借行業(yè)首屈一指的內(nèi)存接口開發(fā)能力，服務(wù)客戶痛點(diǎn)，率先在全球多個主流28nm和22nm工藝節(jié)
LPDDR5X更輕薄了！明年旗艦機(jī)型或將采用
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，近日美光（Micron）宣布，正在交付全球首款基于1γ工藝的LPDDR5X內(nèi)存樣品。該產(chǎn)品采用第六代10nm級別1γ（1-gamma）DRAM，速率達(dá)到10.7G
美光科技出貨全球首款基于1γ制程節(jié)點(diǎn)的LPDDR5X內(nèi)存 突破性封裝技術(shù)
? ? 美光LPDDR5X內(nèi)存專為旗艦智能手機(jī)設(shè)計(jì)，以業(yè)界領(lǐng)先的超薄封裝提供高速等級并顯著降低功耗。 2025年6月6日，愛達(dá)荷州博伊西市——美
美光為 Motorola 最新款 Razr 60 Ultra 注入 AI 創(chuàng)新動能
基于美光 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0 存儲解決方案，合力打造 Motorola 功能強(qiáng)大的翻蓋手機(jī) ? 最新動態(tài)：
發(fā)表于 05-27 15:01
?977次閱讀
二合一信號防雷器與三合一信號防雷器的行業(yè)應(yīng)用方案
關(guān)注，但二者在功能定位、應(yīng)用場景上存在顯著差異。 地凱科技 將深入解析兩類設(shè)備的技術(shù)特性，并提供選型指導(dǎo)與行業(yè)解決方案。 二、二合一與三合一
LPDDR5X：面向高性能與能效的增強(qiáng)型移動內(nèi)存
LPDDR5X：面向高性能與能效的增強(qiáng)型移動內(nèi)存 概述 LPDDR5X（低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X）是LPDDR5 DRAM的升級版本，專為移動
LPDDR5X速率刷新記錄，LPDDR5-Ultra-Pro DRAM來了
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，在國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上三星推出最新LPDDR5規(guī)范，將數(shù)據(jù)傳輸速率提高到12700MT/s (12.7GT/s)。 ? 三星稱其為LPDDR5
發(fā)表于 02-28 00:07
?4268次閱讀
三星Galaxy S25系列搭載美光LPDDR5X內(nèi)存和UFS 4.0
美光科技股份有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布，三星Galaxy S25系列的部分設(shè)備已搭載美光
黑芝麻智能與美光科技攜手拓展ADAS方案性能
近期，黑芝麻智能與美光科技聯(lián)合宣布了一項(xiàng)重要合作，雙方將共同推出一種全新的高級駕駛輔助系統(tǒng)(AD
黑芝麻智能與美光科技將合作推出新型ADAS解決方案
A2000家族芯片和美光科技LPDDR5內(nèi)存，將極大提升ADAS系統(tǒng)處理復(fù)雜駕駛場景的能力，進(jìn)一步滿足智能駕駛場景和算法的需求。 在智能汽車
季豐電子開發(fā)出LPDDR5的SER測試方案并在中子輻射下完成SER實(shí)驗(yàn)
近日，受國內(nèi)存儲大廠委托，季豐電子在原有SER技術(shù)基礎(chǔ)上，開發(fā)出了LPDDR5的SER測試方案，并成功在中子輻射下完成SER實(shí)驗(yàn)。 本次LPDDR5芯片的SER（軟錯誤率）測試領(lǐng)域，主要涵蓋硬件
鎧俠量產(chǎn)四層單元QLC UFS 4.0閃存
近日，鎧俠宣布成功量產(chǎn)業(yè)界首款采用四層單元（4LC）技術(shù)的QLC UFS 4.0閃存。這款新型閃存相較于傳統(tǒng)的TLC
工商網(wǎng)監(jiān)
評論