關(guān)于負載開關(guān)ON時的浪涌電流

負載開關(guān)Q1導(dǎo)通瞬間會暫時流過比穩(wěn)態(tài)電流大得多的電流。輸出側(cè)的負載容量CL的電荷接近零時，向輸出VO施加電壓的瞬間會流過大充電電流。

這種流過大電流的現(xiàn)象稱作浪涌電流（Flash Current）。

浪涌電流的峰值大體可以通過輸入電壓VI、MOSFET Q1的RDS（on）和負載側(cè)負載容量CL的ESR確定，輸入電壓VIN變大時，電流也相應(yīng)變大。

浪涌電流顯著變大時，有可能會引起誤動作和系統(tǒng)問題。

而且，在超過最大額定電流時，有導(dǎo)致破壞的危險。通過與MOSFET Q1的柵極、源極間電阻R1并聯(lián)追加電容器C2， 并緩慢降低Q1的柵極電壓，可以緩慢地使RDS（on）變小，從而可以抑制浪涌電流。

■負載開關(guān)等效電路圖

關(guān)于Nch MOSFET負載開關(guān)ON時的浪涌電流應(yīng)對措施

■Nch MOSFET負載開關(guān)等效電路圖

Nch MOSFET 負載開關(guān)：RSQ020N03

VIN=5V， IO=1A，Q1_1G=1V→12V

Q2 OFF時，負載SWQ1 ON。（Q1的柵極電壓設(shè)定在VO（VGSQ1）之上。）

Q2 ON時，負載SWQ1 OFF。

Q1 ON時，由于會流過浪涌電流，所以作為應(yīng)對措施追加C2。

關(guān)于負載開關(guān)OFF時的逆電流

即使在負載開關(guān)Q1從ON到OFF時，由于存在輸出側(cè)負載容量CL，所以輸出VO引腳的電壓會殘留一定時間。

輸入VI側(cè)比輸出VO側(cè)電壓低時，由于MOSFET Q1的漏極、源極間存在寄生二極管，所以有時寄生二極管導(dǎo)通會發(fā)生從輸出VO側(cè)到輸入VIN側(cè)的逆電流。

要注意，不要超過MOSFET Q1的額定電流值。

關(guān)于輸入旁路電容器CIN的容量值，請在充分探討負載側(cè)條件、上升時間后再決定。

■負載開關(guān)等效電路圖

編輯：hfy