安森美 (onsemi) MJD31C雙極晶體管為NPN設(shè)備，專為通用放大器和低速開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。此系列互補(bǔ)功率晶體管采用環(huán)氧樹脂，符合UL 94 V-0（0.125英寸）標(biāo)準(zhǔn)；其引腳經(jīng)成型處理，適用于表面貼裝應(yīng)用，采用塑料編帶包裝。MJD31C晶體管的工作溫度范圍為-65°C至150°C，發(fā)射極-基極電壓為5V EB ，持續(xù)電流為3A DC 。這些雙極晶體管通常采用DPAK（TO-252）封裝，是無(wú)鉛和符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的器件。MJD31C NPN晶體管非常適合電源管理、負(fù)載開關(guān)、線性穩(wěn)壓器、恒流驅(qū)動(dòng)背光和電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：onsemi MJD31C雙極晶體管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

• 引線設(shè)計(jì)用于表面貼裝應(yīng)用，采用塑料套管
• 塑料套管中直引線型（“1”后綴）
• 引線設(shè)計(jì)版本，采用16mm膠帶和卷軸（后綴“T4”）
• 與流行的TIP31和TIP32系列在電氣性能上相似
• 環(huán)氧樹脂符合UL 94 V-0 @ 0.125" 標(biāo)準(zhǔn)
• NJV前綴，適用于需要獨(dú)特現(xiàn)場(chǎng)和控制變更要求的汽車及其他應(yīng)用
• 符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)并具有PPAP功能
• 無(wú)鉛，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

?MJD31C/MJD32C系列雙極功率晶體管技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、產(chǎn)品概述與核心定位

MJD31C（NPN）與MJD32C（PNP）構(gòu)成互補(bǔ)型功率晶體管對(duì)，專為?通用放大器?和?低速開關(guān)應(yīng)用?設(shè)計(jì)。其電氣特性與經(jīng)典的TIP31/TIP32系列兼容，兼具? 表面貼裝（DPAK/IPAK封裝） ? 與?通孔安裝?靈活性，適用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制及汽車電子領(lǐng)域。

二、關(guān)鍵特性與技術(shù)創(chuàng)新

1. ?封裝與環(huán)保優(yōu)勢(shì)?
   • 提供直插（IPAK）與彎腳（DPAK）兩種封裝，支持? 16mm卷帶包裝（T4后綴） ?，適配自動(dòng)化貼裝產(chǎn)線。
   • ?無(wú)鉛且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)?，環(huán)氧樹脂材料通過UL 94 V-0防火等級(jí)認(rèn)證。
   • ?NJV前綴型號(hào)?滿足汽車電子AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)與PPAP流程要求。
2. ?電氣性能亮點(diǎn)?
   • ?高耐壓能力?：MJD31C/MJD32C的集電極-發(fā)射極擊穿電壓（VCEO）達(dá)100V，基礎(chǔ)版本（MJD31/32）為40V。
   • ?電流承載?：連續(xù)集電極電流3A，峰值電流5A，適用于中功率場(chǎng)景。
   • ?熱管理優(yōu)化?：結(jié)到外殼熱阻（RθJC）僅8.3°C/W，支持高效散熱設(shè)計(jì)。

三、極限參數(shù)與可靠性設(shè)計(jì)

?設(shè)計(jì)警示?：

• 基極電流（IB）需嚴(yán)格限制在1A以內(nèi)，避免燒毀控制電路。
• ?ESD防護(hù)等級(jí)?：人體模型（HBM）3B級(jí)（≥4kV），機(jī)器模型（MM）M3級(jí)（≥400V）。

四、電氣特性深度解析

1. ?靜態(tài)性能?
   • ? 直流電流增益（hFE） ?：在IC=3A、VCE=4V時(shí)，典型值10-50，確保放大器線性區(qū)的穩(wěn)定性。
   • ?飽和壓降?：VCE(sat)最大1.2V（IC=3A, IB=375mA），降低開關(guān)損耗。
2. ?動(dòng)態(tài)特性?
   • ? 增益帶寬積（fT） ?：3MHz（IC=0.5A），兼顧低頻放大與中速開關(guān)需求。
   • ?開關(guān)時(shí)間?：通過圖3-4的典型曲線可知，在IC=1A時(shí)導(dǎo)通延遲（td）約0.05ms，適用于≤10kHz的開關(guān)場(chǎng)景。

五、熱設(shè)計(jì)與可靠性保障

1. ?散熱策略?
   • ?降額曲線?（圖1）：環(huán)境溫度每升高1°C，允許功耗降低0.12W（加散熱）或0.012W（無(wú)散熱）。
   • ?瞬態(tài)熱阻?（圖5）：?jiǎn)蚊}沖作用下，1ms脈沖時(shí)間內(nèi)熱阻顯著降低，允許短時(shí)過載。
2. ? 安全操作區(qū)（SOA） ?
   • 圖14/23明確雙極型器件的二次擊穿邊界，設(shè)計(jì)時(shí)需限制同時(shí)出現(xiàn)的高壓與大電流組合。

六、典型應(yīng)用電路設(shè)計(jì)

1. ?放大器配置?
   • 利用hFE-VCE特性曲線（圖6-7），在IC=0.1-1A區(qū)間選擇高增益工作點(diǎn)，優(yōu)化信噪比。
   • ?基極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)?：VBE(on)最大1.8V，需匹配足夠驅(qū)動(dòng)電壓以避免欠飽和。
2. ?低速開關(guān)應(yīng)用?
   • 測(cè)試電路（圖2）中采用快速恢復(fù)二極管（如1N5825）加速關(guān)斷，降低存儲(chǔ)時(shí)間ts的影響。

七、選型與供應(yīng)鏈指南

?注意?：NJV前綴型號(hào)需通過?PPAP流程?驗(yàn)證，適用于高可靠性場(chǎng)景。