本應(yīng)用筆記介紹了邁來(lái)芯增強(qiáng)型單線CAN收發(fā)器應(yīng)用提示。它描述了推薦的應(yīng)用電路，包括儲(chǔ)能電容器的特殊應(yīng)用電路以及解決方案，例如，向儲(chǔ)能電容器添加反向保護(hù)二極管和/或串聯(lián)電阻。

推薦應(yīng)用電路

TH8056的推薦應(yīng)用電路完全滿足GMLAN設(shè)備測(cè)試規(guī)范GME6718GS修訂版1.7。

特殊應(yīng)用電路，包括一個(gè)> 500 μF的存儲(chǔ)電容器

以下應(yīng)用電路在Vbat引腳上使用了一個(gè)額外的> 500 μF的儲(chǔ)能電容器。這與《單線CAN物理層規(guī)范GMW3089 V2.3》第3.12.1節(jié)中推薦的應(yīng)用電路不同。

TH8056的這種特殊應(yīng)用電路符合GMLAN設(shè)備測(cè)試規(guī)范GME6718 Rev 1.7（第2.11.5節(jié)（與電池短路的總線））。在以下條件下，將無(wú)法滿足第2.11.6節(jié)中所述的測(cè)試要求。

使用大于500 μF的儲(chǔ)能電容器

CANH引腳上的電壓上升時(shí)間非常短

沒(méi)有可用的電源電流限制

為了完全遵守GMLAN設(shè)備測(cè)試規(guī)范GME6718GS Rev 1.7，必須對(duì)外部組件進(jìn)行少量改動(dòng)。

可能有三種不同的解決方案：

在儲(chǔ)能電容器和TH8056之間增加反向保護(hù)二極管

在存儲(chǔ)池中增加一個(gè)大于51Ω的串聯(lián)電阻

將一個(gè)大于51Ω的串聯(lián)電阻與一個(gè)二極管并聯(lián)至儲(chǔ)能電容器

解決方案1：在儲(chǔ)能電容器和TH8056之間增加反向保護(hù)二極管D

該模塊將通過(guò)第一反極性保護(hù)二極管由電池供電。電容器將被充電至電池電壓。只有收發(fā)器將通過(guò)具有附加壓降的第二反極性二極管供電。為了符合GM3089，增加的二極管D2應(yīng)該提供低的正向壓降。同樣，原始的反向保護(hù)二極管D1也應(yīng)由肖特基二極管代替。

解決方案2：在儲(chǔ)能電容器上增加一個(gè)串聯(lián)電阻R> 51Ω

在正常應(yīng)用模式下，51Ω串聯(lián)電阻R對(duì)模塊行為沒(méi)有影響（根據(jù)GMW3089）。該模塊將通過(guò)反極性保護(hù)二極管由電池供電。電容器C將被充電至電池電壓。對(duì)于啟動(dòng)脈沖，模塊將由電容器C供電。收發(fā)器的電流消耗約為5mA，啟動(dòng)期間無(wú)總線流量。估計(jì)其他組件的電流消耗約為50mA，并且由電阻器R引起的壓降為2.5V。這會(huì)影響所連接微控制器將內(nèi)容保存到EEPROM或其他時(shí)間緊迫活動(dòng)的可用時(shí)間。可以通過(guò)增加電容器C的值來(lái)改善此限制。

解決方案3 –將并聯(lián)電阻R> 51Ω與二極管D并聯(lián)添加到儲(chǔ)能電容器

在正常應(yīng)用模式下，51Ohm串聯(lián)電阻不會(huì)影響模塊性能（根據(jù)GMW3089）。該模塊將通過(guò)反極性保護(hù)二極管由電池供電。電容器將被充電至電池電壓。如果發(fā)生啟動(dòng)脈沖，則模塊將由電容器供電。

由于正向偏置的二極管，由模塊的電流消耗引起的通過(guò)電阻器的壓降將被鉗位在0.4至1.0V。在這種情況下，僅損失了10％的可用電壓裕量。建議增加的二極管應(yīng)與反極性二極管相同。

編輯：hfy