關于DDR的設計，經(jīng)歷過無數(shù)項目歷練的攻城獅們，肯定是很得心應手的。對于信號質量方面的改善，相信大家應該已經(jīng)有自己的獨門技巧了。同組同層，容性負載補償，加上拉電阻等等，總有一款適合你的DDR。但是對于時序方面的控制，理論上只有一個辦法——繞等長，速率越高的DDR，等長控制越嚴格，從±100mil，到±50mil，甚至±10mil。

本來我們的layout工程師也是在這樣一條路上穩(wěn)步前進。但是最近有個DDR4的項目，繞好了等長，如下圖所示，一切都安排的明明白白之后，給SI工程師仿真，只等仿真結果一出來就gerber out，根本不用懷疑，信號質量肯定妥妥的，沒問題。

結果，SI工程師沒有同意投板，卻提出了不合常理的時序要求，如下圖所示：

等長要求CS，CKE，ODT這些信號比其余CMD信號每段長120mil，按照這樣來算的話，到U1這個位置，長度差就到了600mil。這和設計指導不一樣。

瞬間感覺自己很委屈，這樣的等長到時候地址控制線之間的延時會相差100ps左右，這樣時序的margin就會變小，甚至可能跑不到要求的2400Mbps，于是硬氣的提出了自己的質疑。

SI工程師也知道這種情況下，應該和設計人員普及一下關于時序方面的知識，不然后續(xù)遇到類似的DDR，不做仿真的話，可能會需要降頻運行。于是將U1的仿真結果給設計人員看，藍色的是CS,ODT,CKE等信號，綠色是其他的CMD信號，從時間上來看，藍色的比綠色的信號快90ps左右。

這種情況的原因不是因為設計人員的誤操作，或者不同層的時序不一致，也不是像上次文章中提到的層疊中的DK設置不一樣，而是因為DDR顆粒的選型導致的，如下面圖片所示：

這款SDRAM的CS,CKE,ODT為單DIE結構，但是其他的信號卻是雙DIE結構，在封裝中做T型拓撲，這樣意味著雙DIE的信號的容性更大一些，那么相應的上升沿會更緩一些，這個是比較好的影響，這樣的話，信號質量會比較好，從圖中的結果也可以看出來，綠色信號的振鈴比較小。另一個影響是容性更大，意味著時延會更慢一些，所以相同等長的情況下，由于顆粒內部拓撲的影響，導致CMD信號會傳輸?shù)母恍w現(xiàn)在仿真結果中，自然是雙DIE信號和單DIE信號會有不一樣的上升沿和一定的延時差。

layout工程師恍然大悟，這是因為顆粒內部的結構和常規(guī)設計不一樣導致，自然不能沿用常規(guī)的設計指導，以后遇到這種雙DIE的DDR還是需要仿真之后再調整等長，不然可能會出問題。于是很愉快的按照上面的時序意見修改了版本，結果如下，后期客戶反饋，DDR2400跑的飛起，一版成功。

編輯：hfy