本文探討了各種不含鹵素（halogen-free）的DDR4插座的開(kāi)發(fā)工作，并且根據(jù)嚴(yán)格的JEDEC DDR4規(guī)范和IEC 61249-2無(wú)鹵素依從性，討論了不同的外殼材料選項(xiàng)。##針腳保持力將端子
2014-08-04 17:21:24
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本篇主要針對(duì)Zynq UltraScale + MPSoC的DDR接口，從硬件設(shè)計(jì)的角度進(jìn)行詳細(xì)介紹，最后展示一下小編之前自己設(shè)計(jì)的基于ZU+的外掛8顆DDR4的設(shè)計(jì)。 目前比較常用的DDR
2020-12-21 14:04:3611144 
相對(duì)于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線(xiàn)過(guò)渡，這樣的設(shè)計(jì)可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:446127 
DDR5已經(jīng)開(kāi)始商用，但是有的產(chǎn)品還才開(kāi)始使用DDR4。本文分享一些DDR4的測(cè)試內(nèi)容。DDR4 和前代的 DDR3 相比， 它的速度大幅提升，最高可以達(dá)到 3200Mb/s,這樣高速的信號(hào)，對(duì)信號(hào)完整性的要求就更加嚴(yán)格，JESD79‐4 規(guī)范也對(duì) DDR4 信號(hào)的測(cè)量提出了一些要求。
2024-01-08 09:18:244649 
日本著名存儲(chǔ)設(shè)備制造商Century Micro近日宣布即將推出新的DDR4內(nèi)存模塊，具有3，200 MHz的原生速率。
2019-07-07 10:37:453924 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，TrendForce報(bào)告顯示，6月初，DDR4和DDR5芯片在現(xiàn)貨市場(chǎng)上的價(jià)格已基本持平，有些DDR4芯片的價(jià)格甚至高于DDR5芯片，呈現(xiàn)“價(jià)格倒掛”現(xiàn)象。DDR4 16Gb
2025-06-27 00:27:004541 DDR4 DESIGNDDR4 DESIGNDDR4 DESIGN拿走拿走！
2015-04-24 18:06:37
DDR4 SDRAM的尋址方式有哪些？
2021-10-27 06:50:24
DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM有什么不同之處?
2021-03-12 06:22:08
DDR4 SDRAM結(jié)構(gòu)和尋址DDR4 SDRAM的封裝和尋址新的改變功能快捷鍵合理的創(chuàng)建標(biāo)題，有助于目錄的生成如何改變文本的樣式插入鏈接與圖片如何插入一段漂亮的代碼片生成一個(gè)適合你的列表創(chuàng)建一個(gè)
2021-07-29 06:58:22
（UG583）“UltraScale架構(gòu)PCB設(shè)計(jì)用戶(hù)指南”的V1.10表示（通常）DDR4接口信號(hào)reset_n不需要滿(mǎn)足適用于地址/命令/控制組中其他信號(hào)的偏移約束。但是，在專(zhuān)門(mén)引用DDR4
2020-08-27 17:10:06
DDR4的工作原理以及尋址方式DDR4是什么？DDR4全稱(chēng)，DDR4-DRAM，與其他DDRDRAM一樣，是當(dāng)前電子系統(tǒng)架構(gòu)中使用最為廣泛的的RAM存儲(chǔ)器。這句話(huà)可以分解出3個(gè)關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器
2021-11-11 07:13:53
；?增加ACT_n控制指令為增強(qiáng)數(shù)據(jù)讀寫(xiě)可靠性增加的變更點(diǎn)主要有：?DBI；?Error Detection；1 電源變化DDR3與DDR4的96 Ball封裝pin定義...
2021-11-12 08:07:07
DBI示例5 Error Detection功能隨著DDR4數(shù)據(jù)速率的提升，誤碼率也隨之提升，故DDR4中增加Error Detection技術(shù)對(duì)DQ和CMD、ADD信號(hào)。對(duì)于DQ信號(hào)使用內(nèi)置的CRC
2019-11-12 12:40:17
還未接觸過(guò)DDR4，在LAYOUT顆粒設(shè)計(jì)中，布局布線(xiàn)上DDR3與DDR4有沒(méi)有區(qū)別？有哪些區(qū)別？
2019-03-07 10:11:39
DDR內(nèi)存格式發(fā)展歷程（DDR~DDR4） 一、DDR DDR=Double Data Rate雙倍速內(nèi)存。嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱(chēng)為DDR，部分初學(xué)者也常看到DDR
2011-02-27 16:47:17
DDR4 SDRAM（Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory，簡(jiǎn)稱(chēng)為 DDR4
2024-09-13 20:18:47
MT40A512M16LY-075E:B MT40A1G8SA-075:EMT29F64G08CBABAWP:BMT40A256M16GE-083E IT:BMT40A512M8RH-083E:B 鎂光DDR4 時(shí)時(shí)發(fā)集團(tuán)亞洲有限公司 QQ:535553245
2019-02-18 10:51:21
一款適合你的DDR。但是對(duì)于時(shí)序方面的控制，理論上只有一個(gè)辦法——繞等長(zhǎng)，速率越高的DDR，等長(zhǎng)控制越嚴(yán)格，從±100mil，到±50mil，甚至±10mil。本來(lái)我們的layout工程師也是在這
2019-06-20 09:06:44
東莞專(zhuān)業(yè)收購(gòu)DDR4東莞長(zhǎng)期高價(jià)回收DDR4，專(zhuān)業(yè)收購(gòu)DDR4，深圳帝歐電子長(zhǎng)期現(xiàn)金高價(jià)回收DDR4。帝歐電子趙生 ***，QQ：764029970//1816233102，mail
2021-05-08 17:42:19
密不可分，它們也是DDR4區(qū)別于DDR3的主要技術(shù)突破。POD電平的全稱(chēng)是Pseudo Open-Drain 偽漏極開(kāi)路，其與DDR3對(duì)比簡(jiǎn)單的示例電路如下圖二所示。圖二 POD示意電路從中可以看到
2022-12-16 17:01:46
（Self-Refresh Temperature）等兩種功能，讓存儲(chǔ)器在休眠時(shí)也能夠隨著溫度變化去控制對(duì)存儲(chǔ)器顆粒的充電頻率，以確保系統(tǒng)資料的完整性。DDR4 SDRAM （Double Data Rate Fourth
2019-08-01 10:17:46
佛山回收DDR4高價(jià)回收DDR4，佛山專(zhuān)業(yè)收購(gòu)DDR4，深圳帝歐電子長(zhǎng)期現(xiàn)金高價(jià)回收DDR4。帝歐電子趙生 ***，QQ：764029970//1816233102，mail
2021-07-15 19:36:21
佛山回收DDR4高價(jià)回收DDR4，佛山專(zhuān)業(yè)收購(gòu)DDR4，深圳帝歐電子長(zhǎng)期現(xiàn)金高價(jià)回收DDR4。帝歐電子趙生 ***，QQ：764029970//1816233102，mail
2021-12-27 19:25:08
。但是對(duì)于時(shí)序方面的控制，理論上只有一個(gè)辦法——繞等長(zhǎng)，速率越高的DDR4，等長(zhǎng)控制越嚴(yán)格，從±100mil，到±50mil，甚至±5mil……一個(gè)平平無(wú)奇的日子，網(wǎng)紅芬?guī)е潞献鞯目蛻?hù)項(xiàng)目經(jīng)理李工
2022-09-19 14:51:37
深圳專(zhuān)業(yè)收購(gòu)DDR4深圳長(zhǎng)期高價(jià)回收DDR4，專(zhuān)業(yè)收購(gòu)DDR4，深圳帝歐電子長(zhǎng)期現(xiàn)金高價(jià)回收DDR4。帝歐電子趙生 ***，QQ：764029970//1816233102，mail
2021-01-30 17:36:35
回收DDR4，收購(gòu)DDR4,24h開(kāi)心財(cái)富熱線(xiàn)：趙生--135-3012-2202QQ-8798-21252 帝歐電子長(zhǎng)期專(zhuān)業(yè)高價(jià)回收f(shuō)lash， 回收DDR，回收手機(jī)字庫(kù)?；厥杖耭lash，回收
2021-09-08 14:59:58
本帖最后由 dealicdz 于 2021-3-30 15:41 編輯
蘇州專(zhuān)業(yè)收購(gòu)DDR4曉色又侵窗紙。窗外雞聲初起。蘇州長(zhǎng)期高價(jià)回收DDR4，專(zhuān)業(yè)收購(gòu)DDR4，深圳帝歐電子長(zhǎng)期現(xiàn)金高價(jià)回收
2021-03-17 17:59:10
DDR4和DDR3的區(qū)別在哪里？DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存相比，有哪些優(yōu)勢(shì)呢？
2021-06-18 08:58:23
DDR4,什么是DDR4
DDR 又稱(chēng)雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪(fǎng)問(wèn)的內(nèi)存美國(guó)JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:393959 JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)，全球微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)領(lǐng)導(dǎo)制定機(jī)構(gòu)日前公布了廣為業(yè)界期待的DDR4(雙倍數(shù)據(jù)速率4)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵屬性。 預(yù)計(jì)將于2012年中期發(fā)布的JEDEC DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)與之前幾代的技術(shù)
2011-08-24 08:57:462350 微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)終于發(fā)布了下一代同步DDR內(nèi)存的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)：DDR4，它的數(shù)據(jù)傳輸速度將比DDR3快一倍，且功耗更低。JEDEC的DDR4技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的公布是數(shù)年來(lái)世界各地的內(nèi)存
2012-09-30 20:30:562016 Altera公司（Nasdaq： ALTR）今天宣布，在硅片中演示了DDR4存儲(chǔ)器接口，其工作速率是業(yè)界最高的2，666 Mbps。
2014-12-19 15:13:014257 作者：Steve Leibson, 賽靈思戰(zhàn)略營(yíng)銷(xiāo)與業(yè)務(wù)規(guī)劃總監(jiān) Adrian Cosoroaba和Terry Magee在本月MemCon上給出了關(guān)于DDR4 SDRAM接口的詳細(xì)展示，該演示
2017-02-08 14:03:011172 DDR4是JEDEC組織關(guān)于DRAM器件的下一代標(biāo)準(zhǔn)。DDR4主要是針對(duì)需要高帶寬低功耗的場(chǎng)合。這些需求導(dǎo)致了DDR4芯片引入了一些新的特點(diǎn)，這些新的特點(diǎn)，導(dǎo)致在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，引入一些新的設(shè)計(jì)需求
2017-10-13 20:13:18
10 DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133～3200MT/s。DDR4 新增了4 個(gè)Bank Group 數(shù)據(jù)組的設(shè)計(jì)，各個(gè)Bank
2017-11-07 10:48:5155968 
雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們?cè)賮?lái)看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變：
2017-11-08 15:42:2332470 SDRAM）：DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133～3200 MT/s。
2017-11-17 13:15:4928010 本文主要介紹了DDR4封裝規(guī)格.
2018-06-26 08:00:0057 關(guān)鍵詞：
JEDEC , DDR4 , 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)
微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)終于發(fā)布了下一代同步DDR內(nèi)存的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)：DDR4，它的數(shù)據(jù)傳輸速度將比DDR3快
2018-09-30 00:15:013010 本文介紹了DDR4技術(shù)的特點(diǎn)，并簡(jiǎn)單介紹了ANSYS工具用來(lái)仿真DDR4的過(guò)程。文章中主要介紹的對(duì)象為DDR4 3200MHz內(nèi)存，因?yàn)橛布O客對(duì)DDR4性能的不斷深挖，目前已經(jīng)有接近5000MHz的量產(chǎn)內(nèi)存。
2018-10-14 10:37:2827840 Xilinx推出業(yè)界首款面向All Programmable UltraScale?器件的高性能DDR4內(nèi)存解決方案，每秒數(shù)據(jù)速率高達(dá)2400 Mb.UltraScale器件采用ASIC級(jí)架構(gòu)，可
2018-11-30 05:33:004449 2014年，推出了第四代DDR內(nèi)存（DDR4），降低了功耗，提高了數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的芯片密度。 DDR4內(nèi)存還具有改進(jìn)的數(shù)據(jù)完整性，增加了對(duì)寫(xiě)入數(shù)據(jù)的循環(huán)冗余檢查和片上奇偶校驗(yàn)檢測(cè)。
2019-07-26 14:34:0151736 12月8日消息，近日，七彩虹推出了兩款DDR4 普條，都是DDR4 2666頻率，8GB單條售價(jià)188元，16GB單條售價(jià)299元。
2019-12-09 15:49:497054 DDR5相比DDR4有什么新特性？
2020-01-10 14:21:0411626 2 月 28 日訊，國(guó)產(chǎn)首枚 DDR4 內(nèi)存現(xiàn)已面世。在長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的官方網(wǎng)站上，目前已經(jīng)公開(kāi)列出了自家的 DDR4 內(nèi)存芯片、DDR4 內(nèi)存條、LPDDR4X 內(nèi)存芯片，全部產(chǎn)品都符合國(guó)際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。
2020-03-02 11:18:281708 Xilinx 提供了UltraScaleFPGA器件的高性能DDR4內(nèi)存解決方案，每秒數(shù)據(jù)速率高達(dá)2400 Mb。UltraScale器件采用ASIC級(jí)架構(gòu)，可支持大量I/O和超大存儲(chǔ)帶寬，并能夠
2020-05-28 15:00:575104 才能將當(dāng)前的PC和服務(wù)器設(shè)計(jì)為與DDR5兼容。 同時(shí)，為了幫助減緩需求曲線(xiàn)以提高數(shù)據(jù)速率，DDR4進(jìn)行了升級(jí)，具有更高的密度，更快的速度和更快的響應(yīng)速度。以下是DDR4的一些最新進(jìn)展，以保持其3A游戲中的份額。 美光為游戲做好準(zhǔn)備 美光的全球計(jì)算機(jī)內(nèi)存和存儲(chǔ)消費(fèi)品牌
2020-09-23 16:37:533796 對(duì)于時(shí)序方面的控制，理論上只有一個(gè)辦法——繞等長(zhǎng)，速率越高的DDR，等長(zhǎng)控制越嚴(yán)格，從±100mil，到±50mil，甚至±10mil。 本來(lái)我們的layout工程師也是在這樣一條路上穩(wěn)步前進(jìn)。但是最近有個(gè)DDR4的項(xiàng)目，繞好了等長(zhǎng)，如下圖所示，一切都安排
2021-03-26 11:57:133145 第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息，所以正式產(chǎn)品還沒(méi)上市就讓人沒(méi)了新鮮感，也許正是這個(gè)原因，很多小伙伴的好奇的目光開(kāi)始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺(tái)，特別是DDR5內(nèi)存。它到底和DDR4有啥不同，我們要不要等等呢
2021-02-27 12:13:5420208 
流媒體視頻和星載人工智能。 我之前介紹過(guò)面向宇航應(yīng)用的 Teledyne e2v 的耐輻射 DDR4 (DDR4T04G72)，可提供 4GB 的存儲(chǔ)容量，高達(dá)1.2GHz 的時(shí)鐘頻率和 2.4GT/s 的數(shù)據(jù)速率（帶寬為 172.8Gb/s），本文將更深入地介紹這款宇航級(jí) DDR4 存儲(chǔ)器的細(xì)節(jié)。 本文的
2021-07-26 15:30:303237 DDR4布線(xiàn)之a(chǎn)llegro約束規(guī)則設(shè)置綜述
2021-09-08 10:34:290 DDR4意義就是把入門(mén)級(jí)內(nèi)存提升到了4GB，更大的容量...
2021-10-09 15:39:3715692 DDR4的工作原理以及尋址方式DDR4是什么？DDR4全稱(chēng)，DDR4-DRAM，與其他DDRDRAM一樣，是當(dāng)前電子系統(tǒng)架構(gòu)中使用最為廣泛的的RAM存儲(chǔ)器。這句話(huà)可以分解出3個(gè)關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器
2021-11-06 13:51:01165 POD模式；? 增加ACT_n控制指令為增強(qiáng)數(shù)據(jù)讀寫(xiě)可靠性增加的變更點(diǎn)主要有：? DBI；? Error Detection；1 電源變化DDR3與DDR4的96 Ball封裝pin定義...
2021-11-06 20:36:0030 在Versal新一代ACAP器件上，除了延續(xù)之前Ultrascale/Ultrascale+系列器件上已有的DDR4 IP之外，還配置了最新的DDR4/LPDDR4 硬核控制器 (NOC IP)。它
2022-07-06 10:42:175678 DDR4燒錄王軟件V32下載
2022-08-28 11:12:3445 對(duì)于DDR4的設(shè)計(jì)，相信攻城獅們經(jīng)歷過(guò)萬(wàn)千項(xiàng)目的歷練，肯定是很得心應(yīng)手，應(yīng)該已經(jīng)有自己的獨(dú)門(mén)技巧了。
2022-09-19 15:05:253049 
迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測(cè)試板專(zhuān)門(mén)為內(nèi)存顆粒測(cè)試設(shè)計(jì)，阻抗一致性?xún)?yōu)異，極低延遲，最高速率支持6.4Gbps，可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測(cè)試。
2022-10-10 09:33:488531 本文檔定義了DDR4 SDRAM規(guī)范，包括特性、功能、交流和直流特性、封裝和球/信號(hào)分配。本標(biāo)準(zhǔn)旨在定義符合JEDEC 2 Gb的最低要求x4、x8和x16 DDR4 SDRAM設(shè)備通過(guò)16 Gb
2022-11-29 10:00:1727 據(jù)傳輸速率/引腳（DDR4-2666）。芯片的設(shè)計(jì)符合以下關(guān)鍵DDR4 SDRAM功能，如張貼的CAS、可編程CWL、內(nèi)部（自）校準(zhǔn)、，使用ODT引腳和異步復(fù)位的管芯端接。所有控制和地址輸入都與一對(duì)外部提供的差分時(shí)鐘同步。輸入被鎖存在差分時(shí)鐘的交叉點(diǎn)（CK上升和CK下降）。所有I/O都與一對(duì)雙向選通（DQS
2022-12-05 11:54:2425 DDR4內(nèi)存模塊支持單個(gè)64位通道(如果考慮ECC，則為72位通道)。相比之下，DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個(gè)獨(dú)立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:444033 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 09:50:473 DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無(wú)法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2535589 DDR4 3200和DDR4 3600是兩種常見(jiàn)的內(nèi)存頻率規(guī)格，它們?cè)谛阅苌蠒?huì)有一定的差別，但差別大小取決于具體的應(yīng)用場(chǎng)景和系統(tǒng)配置。
2023-08-22 14:45:0562821 DDR4 3200和3600是內(nèi)存模塊的頻率標(biāo)準(zhǔn)，表示其頻率值，具有以下差異
2023-09-26 15:24:1835674 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來(lái)越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開(kāi)始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:0013842 PCB的DDR4布線(xiàn)指南和PCB的架構(gòu)改進(jìn)
2023-12-07 15:15:584192 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《全套DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-09 09:51:219 米）02活動(dòng)內(nèi)容1、本次活動(dòng)重點(diǎn)分析DDR4/DDR5的內(nèi)存控制原理，內(nèi)存控制技術(shù)中的讀寫(xiě)原理方法、原理圖設(shè)計(jì)和關(guān)鍵的信號(hào)特征。講解DDR4/DDR5的原理圖設(shè)計(jì)
2024-07-06 08:12:51979 
DDR4，即第四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory），是計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)的一個(gè)重要
2024-09-04 11:43:349814 DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的時(shí)鐘頻率和速率之間存在著緊密的關(guān)系，這種關(guān)系對(duì)于理解DDR4內(nèi)存的性能特性至關(guān)重要。以下將詳細(xì)探討DDR4時(shí)鐘頻率和速率之間的關(guān)系，包括它們?nèi)绾蜗嗷ビ绊憽⑷绾魏饬恳约霸趯?shí)際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
2024-09-04 11:44:278379 DDR4內(nèi)存模塊是計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)的一項(xiàng)重要進(jìn)步，它是Double Data Rate（雙倍數(shù)據(jù)速率）第四代內(nèi)存技術(shù)的具體實(shí)現(xiàn)形式。
2024-09-04 12:35:503948 DDR4內(nèi)存頻率的最高值是一個(gè)隨著技術(shù)進(jìn)步而不斷演變的指標(biāo)。目前，DDR4內(nèi)存的頻率已經(jīng)取得了顯著的提升，但具體到最高頻率，則需要結(jié)合多個(gè)方面來(lái)討論。
2024-09-04 12:37:1512516 DDR4（Double Data Rate 4th Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory，即第四代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
2024-09-04 12:38:573356 DDR4（Double Data Rate 4）接口引腳的具體定義和功能是一個(gè)復(fù)雜且詳細(xì)的話(huà)題，涉及到電源、地、控制信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)、地址信號(hào)以及數(shù)據(jù)信號(hào)等多個(gè)方面。
2024-09-04 12:39:5425738 DDR4（DDR4-SDRAM，即第4代DDR-SDRAM）作為當(dāng)前電子系統(tǒng)架構(gòu)中使用最為廣泛的RAM存儲(chǔ)器，其結(jié)構(gòu)和尋址方式對(duì)于理解其高性能和存儲(chǔ)容量至關(guān)重要。
2024-09-04 12:42:124260 DDR4（Double Data Rate 4）作為當(dāng)前主流的計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)，相較于其前身DDR3，在性能、功耗、容量等多個(gè)方面都有了顯著提升。
2024-09-04 12:43:1013367 DDR4內(nèi)存的傳輸速率是衡量其性能的重要指標(biāo)之一，它直接決定了內(nèi)存模塊在單位時(shí)間內(nèi)能夠傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量。
2024-09-04 12:44:256008 DDR4內(nèi)存的工作頻率是指DDR4內(nèi)存條在運(yùn)行時(shí)所能達(dá)到的速度，它是衡量DDR4內(nèi)存性能的一個(gè)重要指標(biāo)。DDR4內(nèi)存作為目前廣泛使用的內(nèi)存類(lèi)型之一，其工作頻率經(jīng)歷了從最初的低頻率到當(dāng)前的高頻率的不斷發(fā)展。
2024-09-04 12:45:396941 DDR4 SDRAM（Double Data Rate Fourth Synchronous Dynamic Random Access Memory）控制器作為現(xiàn)代計(jì)算系統(tǒng)中的重要組成部分，其
2024-09-04 12:55:472088 DDR4（Double Data Rate 4）時(shí)序參數(shù)是描述DDR4內(nèi)存模塊在執(zhí)行讀寫(xiě)操作時(shí)所需時(shí)間的一組關(guān)鍵參數(shù)，它們直接影響到內(nèi)存的性能和穩(wěn)定性。以下是對(duì)DDR4時(shí)序參數(shù)的詳細(xì)解釋?zhuān)w了主要的時(shí)序參數(shù)及其功能。
2024-09-04 14:18:0711145 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)也在不斷發(fā)展。DDR（Double Data Rate）內(nèi)存條作為計(jì)算機(jī)的重要組成部分，其性能直接影響到電腦的運(yùn)行速度和穩(wěn)定性。DDR3和DDR4是目前市場(chǎng)上最常
2024-11-20 14:24:2211366 DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 1. DDR5內(nèi)存簡(jiǎn)介 DDR5（Double Data Rate 5）是第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM）。它是DDR4的后續(xù)產(chǎn)品，提供更高
2024-11-22 15:38:037932 DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異 隨著技術(shù)的發(fā)展，內(nèi)存技術(shù)也在不斷進(jìn)步。DDR5內(nèi)存作為新一代的內(nèi)存技術(shù)，相較于DDR4內(nèi)存，在性能上有著顯著的提升。 1. 數(shù)據(jù)傳輸速率 DDR5內(nèi)存的最大數(shù)
2024-11-29 14:58:405418 DDR4內(nèi)存適合多種類(lèi)型的主板，主要取決于主板的芯片組和處理器插槽類(lèi)型。以下是一些常見(jiàn)的支持DDR4內(nèi)存的主板： 一、Intel平臺(tái)主板 Z系列主板 ： 如Z370、Z390、Z490、Z590等
2024-11-29 15:03:4715990 DDR3、DDR4、DDR5是計(jì)算機(jī)內(nèi)存類(lèi)型的不同階段，分別代表第三代、第四代和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM）。以下是它們之間的性能對(duì)比： 一、速度與帶寬 DDR3 ：速度
2024-11-29 15:08:2819722 據(jù)報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費(fèi)級(jí)平臺(tái)的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513468 ? ? ? 本文講述了使用Altium designer設(shè)計(jì)SOC和DDR等高速PCB時(shí)候，如何設(shè)計(jì)信號(hào)線(xiàn)等長(zhǎng)。DDR信號(hào)線(xiàn)分成兩大部分。一是數(shù)據(jù)線(xiàn)部分，二是地址線(xiàn)、控制信號(hào)線(xiàn)部分。本文著重詳細(xì)
2025-07-28 16:33:124 本文緊接著前一個(gè)文檔《AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)技巧-數(shù)據(jù)線(xiàn)等長(zhǎng) 》。本文著重講解DDR地址線(xiàn)、控制信號(hào)線(xiàn)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)，因?yàn)榈刂肪€(xiàn)、控制信號(hào)線(xiàn)有分支，SOC有可能帶有2片DDR或者更多，我們叫做T型分支
2025-07-29 16:14:512 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）前段時(shí)間，三星、SK海力士、美光等DRAM大廠已計(jì)劃陸續(xù)退出部分DDR4市場(chǎng)，將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DDR5、LPDDR5和HBM。由此引發(fā)DDR4供應(yīng)鏈波動(dòng)，同時(shí)在供給不足的擔(dān)憂(yōu)
2025-06-19 00:54:0010160 
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