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兆易創(chuàng)新公布自研內(nèi)存進(jìn)展:首發(fā)4Gb DDR3、明年上半年問世

工程師鄧生 ? 來源:快科技 ? 作者:憲瑞 ? 2020-11-03 11:13 ? 次閱讀
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2019年國內(nèi)的合肥長鑫推出了國產(chǎn)DDR4內(nèi)存,結(jié)束了國內(nèi)沒有DRAM芯片自產(chǎn)的日子,此后也有其他公司準(zhǔn)備進(jìn)軍內(nèi)存市場,比如兆易創(chuàng)新。該公司日前透露了其內(nèi)存計(jì)劃,2021年上半年將推出4Gb DDR3內(nèi)存。

兆易創(chuàng)新在電話會議中透露,自研DRAM現(xiàn)在還在按照原計(jì)劃進(jìn)行,目前研發(fā)進(jìn)度跟預(yù)期基本一樣,預(yù)期明年上半年會有產(chǎn)品出來。

兆易創(chuàng)新表示,自研第一個產(chǎn)品會是DDR3, 4Gb,面向利基市場。

2021年還在研發(fā)DDR3內(nèi)存?別急,雖然明年DDR3內(nèi)存已經(jīng)不是什么新東西了,DDR5都要上市了,但DDR3還不會被淘汰,而且兆易創(chuàng)新主要是用于利基市場,也就是消費(fèi)電子產(chǎn)品,對內(nèi)存的性能、容量等要求不高。

考慮到兆易創(chuàng)新的主力產(chǎn)品,比如NOR閃存、MCU主控等等都是面向嵌入式、消費(fèi)電子等市場的,其首款內(nèi)存主打這一市場也不讓人意外。

即便是DDR3內(nèi)存,對任何沒有內(nèi)存研發(fā)、設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)的公司來說,技術(shù)門檻還是很高的,兆易創(chuàng)新選擇看似落后但比較穩(wěn)妥的研發(fā)路線也沒什么可說的。

去年底,兆易創(chuàng)新宣布募資33.2億元研發(fā)內(nèi)存,這點(diǎn)錢并不算多,所以研發(fā)DDR3內(nèi)存情有可原。

他們還公布了內(nèi)存研發(fā)的路線圖,如下所示:

·2020年,兆易創(chuàng)新將啟動首款DRAM芯片產(chǎn)品定義,包括市場定位、產(chǎn)品規(guī)格及芯片設(shè)計(jì)工藝。

·2020年,兆易創(chuàng)新將定義首款芯片的生產(chǎn)職稱,并將經(jīng)過驗(yàn)證后的設(shè)計(jì)開展流片試樣,反復(fù)修改直至通過系統(tǒng)驗(yàn)證。

·2021年,對首款芯片試樣進(jìn)行封裝測試,并送交系統(tǒng)芯片商進(jìn)行功能認(rèn)證,并最終通過客戶驗(yàn)證。

·2021年,首款芯片通過驗(yàn)證之后進(jìn)行小批量生產(chǎn),測試成功后進(jìn)行大批量生產(chǎn)。

·2022-2025年,進(jìn)行新系列芯片研發(fā)及量產(chǎn)。

責(zé)任編輯:PSY

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