chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

元器件的失效機(jī)理有哪些

電子設(shè)計(jì) ? 來源:電子設(shè)計(jì) ? 作者:電子設(shè)計(jì) ? 2020-11-03 21:45 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

元件的失效直接受濕度、溫度、電壓、機(jī)械等因素的影響。

1、溫度導(dǎo)致失效:

1.1 環(huán)境溫度是導(dǎo)致元件失效的重要因素。

溫度變化對半導(dǎo)體器件的影響:構(gòu)成雙極型半導(dǎo)體器件的基本單元 P-N 結(jié)對溫度的變化很敏感,當(dāng) P-N 結(jié)反向偏置時(shí),由少數(shù)載流子形成的反向漏電流受溫度的變化影響,其關(guān)系為:

式中:ICQ―――溫度 T0C 時(shí)的反向漏電流

ICQR――溫度 TR℃時(shí)的反向漏電流

T-TR――溫度變化的絕對值

由上式可以看出,溫度每升高 10℃,ICQ 將增加一倍。這將造成晶體管放大器的工作點(diǎn)發(fā)生漂移、晶體管電流放大系數(shù)發(fā)生變化、特性曲線發(fā)生變化,動(dòng)態(tài)范圍變小。

溫度與允許功耗的關(guān)系如下:


式中:PCM―――最大允許功耗

TjM―――最高允許結(jié)溫

T――――使用環(huán)境溫度

RT―――熱阻

由上式可以看出,溫度的升高將使晶體管的最大允許功耗下降。

由于 P-N 結(jié)的正向壓降受溫度的影響較大,所以用 P-N 為基本單元構(gòu)成的雙極型半導(dǎo)體邏輯元件(TTL、HTL 等集成電路)的電壓傳輸特性和抗干擾度也與溫度有密切的關(guān)系。當(dāng)溫度升高時(shí),P-N 結(jié)的正向壓降減小,其開門和關(guān)門電平都將減小,這就使得元件的低電平抗干擾電壓容限隨溫度的升高而變?。桓唠娖娇垢蓴_電壓容限隨溫度的升高而增大,造成輸出電平偏移、波形失真、穩(wěn)態(tài)失調(diào),甚至熱擊穿。

2.1 溫度變化對電阻的影響

溫度變化對電阻的影響主要是溫度升高時(shí),電阻的熱噪聲增加,阻值偏離標(biāo)稱值,允許耗散概率下降等。比如,RXT 系列的碳膜電阻在溫度升高到 100℃時(shí),允許的耗散概率僅為標(biāo)稱值的 20%。

但我們也可以利用電阻的這一特性,比如,有經(jīng)過特殊設(shè)計(jì)的一類電阻:PTC(正溫度系數(shù)熱敏電阻)和 NTC(負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻),它們的阻值受溫度的影響很大。

對于 PTC,當(dāng)其溫度升高到某一閾值時(shí),其電阻值會(huì)急劇增大。利用這一特性,可將其用在電路板的過流保護(hù)電路中,當(dāng)由于某種故障造成通過它的電流增加到其閾值電流后,PTC 的溫度急劇升高,同時(shí),其電阻值變大,限制通過它的電流,達(dá)到對電路的保護(hù)。而故障排除后,通過它的電流減小,PTC 的溫度恢復(fù)正常,同時(shí),其電阻值也恢復(fù)到其正常值。

對于 NTC,它的特點(diǎn)是其電阻值隨溫度的升高而減小。

2.2 溫度變化對電容的影響

溫度變化將引起電容的到介質(zhì)損耗變化,從而影響其使用壽命。溫度每升高 10℃時(shí),電容器的壽命就降低 50%,同時(shí)還引起阻容時(shí)間常數(shù)變化,甚至發(fā)生因介質(zhì)損耗過大而熱擊穿的情況。

此外,溫度升高也將使電感線圈、變壓器、扼流圈等的絕緣性能下降。

3、濕度導(dǎo)致失效

濕度過高,當(dāng)含有酸堿性的灰塵落到電路板上時(shí),將腐蝕元器件的焊點(diǎn)與接線處,造成焊點(diǎn)脫落,接頭斷裂。

濕度過高也是引起漏電耦合的主要原因。

而濕度過低又容易產(chǎn)生靜電,所以環(huán)境的濕度應(yīng)控制在合理的水平。

4、過高電壓導(dǎo)致器件失效

施加在元器件上的電壓穩(wěn)定性是保證元器件正常工作的重要條件。過高的電壓會(huì)增加元器件的熱損耗,甚至造成電擊穿。對于電容器而言,其失效率正比于電容電壓的 5 次冪。對于集成電路而言,超過其最大允許電壓值的電壓將造成器件的直接損壞。

電壓擊穿是指電子器件都有能承受的最高耐壓值,超過該允許值,器件存在失效風(fēng)險(xiǎn)。主動(dòng)元件和被動(dòng)元件失效的表現(xiàn)形式稍有差別,但也都有電壓允許上限。晶體管元件都有耐壓值,超過耐壓值會(huì)對元件有損傷,比如超過二極管、電容等,電壓超過元件的耐壓值會(huì)導(dǎo)致它們擊穿,如果能量很大會(huì)導(dǎo)致熱擊穿,元件會(huì)報(bào)廢。

5、振動(dòng)、沖擊影響:

機(jī)械振動(dòng)與沖擊會(huì)使一些內(nèi)部有缺陷的元件加速失效,造成災(zāi)難性故障,機(jī)械振動(dòng)還會(huì)使焊點(diǎn)、壓線點(diǎn)發(fā)生松動(dòng),導(dǎo)致接觸不良;若振動(dòng)導(dǎo)致導(dǎo)線不應(yīng)有的碰連,會(huì)產(chǎn)生一些意象不到的后果。

可能引起的故障模式,及失效分析。

電氣過應(yīng)力(Electrical Over Stress,EOS)是一種常見的損害電子器件的方式,是元器件常見的損壞原因,其表現(xiàn)方式是過壓或者過流產(chǎn)生大量的熱能,使元器件內(nèi)部溫度過高從而損壞元器件(大家常說的燒壞),是由電氣系統(tǒng)中的脈沖導(dǎo)致的一種常見的損害電子器件的方式。

審核編輯 黃昊宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 元器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    113

    文章

    4872

    瀏覽量

    97354
  • 失效機(jī)理
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    29

    瀏覽量

    11894
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    常見的電子元器件失效分析匯總

    電子元器件失效可能導(dǎo)致電路功能異常,甚至整機(jī)損毀,耗費(fèi)大量調(diào)試時(shí)間。部分半導(dǎo)體器件存在外表完好但性能劣化的“軟失效”,進(jìn)一步增加了問題定位的難度。電阻器
    的頭像 發(fā)表于 10-17 17:38 ?69次閱讀
    常見的電子<b class='flag-5'>元器件</b><b class='flag-5'>失效</b>分析匯總

    集成電路制造中封裝失效機(jī)理和分類

    隨著封裝技術(shù)向小型化、薄型化、輕量化演進(jìn),封裝缺陷對可靠性的影響愈發(fā)凸顯,為提升封裝質(zhì)量需深入探究失效機(jī)理與分析方法。
    的頭像 發(fā)表于 09-22 10:52 ?321次閱讀
    集成電路制造中封裝<b class='flag-5'>失效</b>的<b class='flag-5'>機(jī)理</b>和分類

    五大常見電子元器件失效全解析

    電子設(shè)備中絕大部分故障最終都可溯源至元器件失效。熟悉各類元器件失效模式,往往僅憑直覺就能鎖定故障點(diǎn),或僅憑一次簡單的電阻、電壓測量即可定位問題。電阻器類電阻器家族包括固定電阻與可變電
    的頭像 發(fā)表于 08-28 10:37 ?388次閱讀
    五大常見電子<b class='flag-5'>元器件</b>的<b class='flag-5'>失效</b>全解析

    風(fēng)華貼片電感的失效模式哪些?如何預(yù)防?

    風(fēng)華高科作為國內(nèi)電子元器件領(lǐng)域的龍頭企業(yè),其貼片電感產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、通信設(shè)備及工業(yè)控制領(lǐng)域。然而,在實(shí)際應(yīng)用中,貼片電感可能因設(shè)計(jì)缺陷、材料缺陷或工藝問題導(dǎo)致失效。本文結(jié)合行業(yè)實(shí)踐與技術(shù)文獻(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:38 ?391次閱讀

    IGBT 芯片表面平整度差與 IGBT 的短路失效機(jī)理相關(guān)性

    一、引言 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為電力電子領(lǐng)域的核心器件,廣泛應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)等關(guān)鍵領(lǐng)域。短路失效是 IGBT 最嚴(yán)重的失效模式之一,會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)癱瘓甚至安全事故。研究發(fā)現(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 08-25 11:13 ?1008次閱讀
    IGBT 芯片表面平整度差與 IGBT 的短路<b class='flag-5'>失效</b><b class='flag-5'>機(jī)理</b>相關(guān)性

    電子元器件為什么會(huì)失效

    電子元器件失效是指其在規(guī)定工作條件下,喪失預(yù)期功能或性能參數(shù)超出允許范圍的現(xiàn)象。失效可能發(fā)生于生命周期中的任一階段,不僅影響設(shè)備正常運(yùn)行,還可能引發(fā)系統(tǒng)級(jí)故障。導(dǎo)致失效的因素復(fù)雜多樣,
    的頭像 發(fā)表于 08-21 14:09 ?500次閱讀
    電子<b class='flag-5'>元器件</b>為什么會(huì)<b class='flag-5'>失效</b>

    怎么找出PCB光電元器件失效問題

    在電子信息產(chǎn)品中,PCB作為元器件的載體與電路信號(hào)傳輸?shù)年P(guān)鍵樞紐,其質(zhì)量與可靠性對整機(jī)設(shè)備起著決定性作用。隨著產(chǎn)品小型化及環(huán)保要求的提升,PCB正向高密度、高Tg和環(huán)保方向發(fā)展。然而,受成本和技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 08-15 13:59 ?457次閱讀
    怎么找出PCB光電<b class='flag-5'>元器件</b><b class='flag-5'>失效</b>問題

    LED失效的典型機(jī)理分析

    一、芯片缺陷在LED器件失效案例中,芯片缺陷是一個(gè)不容忽視的因素。失效的LED器件表現(xiàn)出正向壓降(Vf)增大的現(xiàn)象,在電測過程中,隨著正向電壓的增加,樣品仍能發(fā)光,這暗示著LED內(nèi)部
    的頭像 發(fā)表于 07-08 15:29 ?326次閱讀
    LED<b class='flag-5'>失效</b>的典型<b class='flag-5'>機(jī)理</b>分析

    深入剖析典型潮敏元器件分層問題

    潮敏物料主要是指非密封封裝的IC,受潮后主要失效模式為內(nèi)部分層。在電子組裝領(lǐng)域,潮敏元器件一直是影響產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性的關(guān)鍵因素之一。這些元器件受潮后容易出現(xiàn)各種失效問題,給生產(chǎn)過程帶來
    的頭像 發(fā)表于 05-14 14:37 ?564次閱讀
    深入剖析典型潮敏<b class='flag-5'>元器件</b>分層問題

    元器件失效分析哪些方法?

    失效分析的定義與目標(biāo)失效分析是對失效電子元器件進(jìn)行診斷的過程。其核心目標(biāo)是確定失效模式和失效
    的頭像 發(fā)表于 05-08 14:30 ?649次閱讀
    <b class='flag-5'>元器件</b><b class='flag-5'>失效</b>分析<b class='flag-5'>有</b>哪些方法?

    元器件失效之推拉力測試

    元器件失效之推拉力測試在當(dāng)代電子設(shè)備的生產(chǎn)與使用過程中,組件的故障不僅可能降低產(chǎn)品的性能,還可能導(dǎo)致產(chǎn)品徹底失效,給用戶帶來麻煩和經(jīng)濟(jì)損失,同時(shí)對制造商的聲譽(yù)和成本也會(huì)造成負(fù)面影響。為什么要做推拉
    的頭像 發(fā)表于 04-29 17:26 ?539次閱讀
    <b class='flag-5'>元器件</b><b class='flag-5'>失效</b>之推拉力測試

    電子元器件失效分析與典型案例(全彩版)

    本資料共分兩篇,第一篇為基礎(chǔ)篇,主要介紹了電子元器件失效分析基本概念、程序、技術(shù)及儀器設(shè)備;第二篇為案例篇,主要介紹了九類元器件失效特點(diǎn)、失效
    發(fā)表于 04-10 17:43

    詳解半導(dǎo)體集成電路的失效機(jī)理

    半導(dǎo)體集成電路失效機(jī)理中除了與封裝有關(guān)的失效機(jī)理以外,還有與應(yīng)用有關(guān)的失效機(jī)理。
    的頭像 發(fā)表于 03-25 15:41 ?1295次閱讀
    詳解半導(dǎo)體集成電路的<b class='flag-5'>失效</b><b class='flag-5'>機(jī)理</b>

    封裝失效分析的流程、方法及設(shè)備

    本文首先介紹了器件失效的定義、分類和失效機(jī)理的統(tǒng)計(jì),然后詳細(xì)介紹了封裝失效分析的流程、方法及設(shè)備。
    的頭像 發(fā)表于 03-13 14:45 ?1284次閱讀
    封裝<b class='flag-5'>失效</b>分析的流程、方法及設(shè)備

    塑封器件絕緣失效分析

    塑封器件絕緣失效機(jī)理探究與改進(jìn)策略塑封器件因其緊湊、輕便、經(jīng)濟(jì)及卓越的電學(xué)特性,在電子元件封裝行業(yè)中占據(jù)著重要地位。但隨著其在更嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用需求增加,傳統(tǒng)工業(yè)級(jí)塑封材料和技術(shù)的局限
    的頭像 發(fā)表于 11-14 00:07 ?915次閱讀
    塑封<b class='flag-5'>器件</b>絕緣<b class='flag-5'>失效</b>分析