chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

韓國本土企業(yè)在EUV光刻技術(shù)方面取得了極大進(jìn)展

ss ? 來源:滿天芯 ? 作者:滿天芯 ? 2020-11-16 18:07 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

據(jù)韓國媒體 BusinessKorea 上周報(bào)道,韓國本土企業(yè)在 EUV 光刻技術(shù)方面取得了極大進(jìn)展。但并沒有提到是哪一家企業(yè),合理推測(cè)應(yīng)指代韓國整個(gè)半導(dǎo)體光刻產(chǎn)業(yè)。

韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局(KIPO)發(fā)布的《過去10年(2011-2020年)專利申請(qǐng)報(bào)告》顯示,2014年,向韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局(KIPO)提交的與EUV光刻相關(guān)的專利申請(qǐng)數(shù)量達(dá)到88件的峰值,2018年達(dá)到55件,2019年達(dá)到50件。

特別是,韓國公司正在迅速縮小其在極紫外光刻技術(shù)上與外國公司的差距。2019年,韓國本土提出的專利申請(qǐng)數(shù)量為40件,超過了國外企業(yè)的10件。這是韓國提交的專利申請(qǐng)首次超過國外。2020年,韓國提交的申請(qǐng)數(shù)量也是國外的兩倍多。

過去10年,包括三星電子在內(nèi)的全球企業(yè)進(jìn)行了密集的研發(fā),以確保技術(shù)領(lǐng)先地位。最近,代工公司開始使用5nm EUV光刻技術(shù)來生產(chǎn)智能手機(jī)的應(yīng)用處理器

從公司來看,全球六大公司的專利申請(qǐng)數(shù)占了總數(shù)的59%,卡爾蔡司(德國)18%,三星電子(韓國)15%,ASML(荷蘭)11%,S&S Tech(韓國)8%,臺(tái)積電(中國臺(tái)灣)6%,SK海力士(韓國)1%。

從具體技術(shù)項(xiàng)目看,工藝技術(shù)申請(qǐng)專利占32%,曝光裝置技術(shù)申請(qǐng)專利占31%,掩膜技術(shù)申請(qǐng)專利占28%,其他申請(qǐng)專利占9%。在工藝技術(shù)領(lǐng)域,三星電子占39%,臺(tái)積電占15%。在光罩領(lǐng)域,S&S科技占28%,Hoya(日本)占15%,漢陽大學(xué)(韓國)占10%,朝日玻璃(日本)占10%,三星電子占9%。

責(zé)任編輯:xj

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 三星電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    34

    文章

    15891

    瀏覽量

    182879
  • 光刻機(jī)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    1196

    瀏覽量

    48737
  • EUV
    EUV
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    614

    瀏覽量

    88530
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    俄羅斯亮劍:公布EUV光刻機(jī)路線圖,挑戰(zhàn)ASML霸主地位?

    ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)?全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局中,光刻機(jī)被譽(yù)為 “半導(dǎo)體工業(yè)皇冠上的明珠”,而極紫外(EUV光刻技術(shù)更是先進(jìn)制程
    的頭像 發(fā)表于 10-04 03:18 ?9396次閱讀
    俄羅斯亮劍:公布<b class='flag-5'>EUV</b><b class='flag-5'>光刻</b>機(jī)路線圖,挑戰(zhàn)ASML霸主地位?

    白光干涉儀EUV光刻后的3D輪廓測(cè)量

    EUV(極紫外)光刻技術(shù)憑借 13.5nm 的短波長,成為 7nm 及以下節(jié)點(diǎn)集成電路制造的核心工藝,其光刻后形成的三維圖形(如鰭片、柵極、接觸孔等)尺寸通常在 5-50nm 范圍,高
    的頭像 發(fā)表于 09-20 09:16 ?538次閱讀

    上海光機(jī)所在全息光刻研究方面取得進(jìn)展

    圖1 肘形圖形為目標(biāo)圖形,不同方法得到的全息掩模分布、空間像與光刻膠輪廓 近日,中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所高端光電裝備部李思坤研究員團(tuán)隊(duì)全息光刻研究方面
    的頭像 發(fā)表于 09-19 09:19 ?382次閱讀
    上海光機(jī)所在全息<b class='flag-5'>光刻</b>研究<b class='flag-5'>方面</b><b class='flag-5'>取得</b><b class='flag-5'>進(jìn)展</b>

    EUV光刻膠材料取得重要進(jìn)展

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 隨著集成電路工藝的不斷突破, 當(dāng)制程節(jié)點(diǎn)持續(xù)向7nm及以下邁進(jìn),傳統(tǒng)的光刻技術(shù)已難以滿足高精度、高密度的制造需求,此時(shí),波長13.5nm的極紫外(EUV光刻
    的頭像 發(fā)表于 08-17 00:03 ?4017次閱讀

    中科院微電子所突破 EUV 光刻技術(shù)瓶頸

    極紫外光刻(EUVL)技術(shù)作為實(shí)現(xiàn)先進(jìn)工藝制程的關(guān)鍵路徑,半導(dǎo)體制造領(lǐng)域占據(jù)著舉足輕重的地位。當(dāng)前,LPP-EUV 光源是極紫外光刻機(jī)所采
    的頭像 發(fā)表于 07-22 17:20 ?825次閱讀
    中科院微電子所突破 <b class='flag-5'>EUV</b> <b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>瓶頸

    CADENAS 2025 年金字塔公司聯(lián)系博覽會(huì)上取得圓滿成功

    表現(xiàn)出了極大的積極性和好奇心。這種直接的交流和相互了解讓我們覺得這次招聘會(huì)非常特別! 感謝奧格斯堡大學(xué)的活動(dòng)團(tuán)隊(duì) 展會(huì)出色的組織工作、友好的氛圍以及美味的食物再次給我們留下了深刻印象。每年的金字塔公司招聘會(huì)都為我們提供了一個(gè)接觸年輕人才的絕佳平臺(tái),2025 年的招聘會(huì)對(duì)我們來說又一次
    發(fā)表于 06-04 14:32

    清華大學(xué)激光干涉光刻全局對(duì)準(zhǔn)領(lǐng)域取得進(jìn)展

    圖1.拼接曝光加工系統(tǒng) 衍射光柵廣泛應(yīng)用于精密測(cè)量、激光脈沖壓縮、光譜分析等領(lǐng)域。干涉光刻作為一種無掩膜曝光光刻方法,衍射光柵加工制造方面具有高效率、高靈活度的優(yōu)勢(shì)。但干涉
    的頭像 發(fā)表于 05-22 09:30 ?505次閱讀
    清華大學(xué)<b class='flag-5'>在</b>激光干涉<b class='flag-5'>光刻</b>全局對(duì)準(zhǔn)領(lǐng)域<b class='flag-5'>取得</b>新<b class='flag-5'>進(jìn)展</b>

    詳談X射線光刻技術(shù)

    隨著極紫外光刻EUV技術(shù)面臨光源功率和掩模缺陷挑戰(zhàn),X射線光刻技術(shù)憑借其固有優(yōu)勢(shì),特定領(lǐng)域
    的頭像 發(fā)表于 05-09 10:08 ?1233次閱讀
    詳談X射線<b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    EUV光刻技術(shù)面臨新挑戰(zhàn)者

    光源技術(shù)方面 EUV光源的波長僅為13.5納米,遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于可見光,因此產(chǎn)生和維持如此短波長光源的難度極大。 目前,最成熟的EUV光源是由高純
    的頭像 發(fā)表于 02-18 09:31 ?1904次閱讀
    <b class='flag-5'>EUV</b><b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>面臨新挑戰(zhàn)者

    國內(nèi)AI行業(yè)近期取得顯著進(jìn)展

    近期,國內(nèi)AI行業(yè)視覺訓(xùn)練和應(yīng)用層面取得了多項(xiàng)令人矚目的進(jìn)展。其中,VideoWorld的純視覺訓(xùn)練方式LDM(可能是指某種特定技術(shù)或模
    的頭像 發(fā)表于 02-13 11:25 ?974次閱讀

    愛立信電信領(lǐng)域取得重大進(jìn)展

    近日,愛立信宣布電信領(lǐng)域取得了一項(xiàng)重大進(jìn)展——將大幅提高移動(dòng)運(yùn)營商管理不同環(huán)境中的用戶連接體驗(yàn)的能力。
    的頭像 發(fā)表于 02-12 10:34 ?7125次閱讀

    納米壓印光刻技術(shù)旨在與極紫外光刻EUV)競(jìng)爭(zhēng)

    來源:John Boyd IEEE電氣電子工程師學(xué)會(huì) 9月,佳能交付了一種技術(shù)的首個(gè)商業(yè)版本,該技術(shù)有朝一日可能顛覆最先進(jìn)硅芯片的制造方式。這種技術(shù)被稱為納米壓印光刻
    的頭像 發(fā)表于 01-09 11:31 ?1132次閱讀

    日本首臺(tái)EUV光刻機(jī)就位

    據(jù)日經(jīng)亞洲 12 月 19 日?qǐng)?bào)道,Rapidus 成為日本首家獲得極紫外 (EUV) 光刻設(shè)備的半導(dǎo)體公司,已經(jīng)開始北海道芯片制造廠內(nèi)安裝極紫外光刻系統(tǒng)。 它將分四個(gè)階段進(jìn)行安裝,
    的頭像 發(fā)表于 12-20 13:48 ?1417次閱讀
    日本首臺(tái)<b class='flag-5'>EUV</b><b class='flag-5'>光刻</b>機(jī)就位

    國外科研團(tuán)隊(duì)X射線科學(xué)領(lǐng)域取得了重大突破

    近日,據(jù)《自然·光子學(xué)》報(bào)道,歐洲X射線自由電子激光裝置(XFEL)和德國電子同步加速器研究中心團(tuán)隊(duì)X射線科學(xué)領(lǐng)域取得了重大突破。他們成功生成了前所未有的高功率、阿秒級(jí)硬X射線脈沖,且重復(fù)頻率達(dá)到
    的頭像 發(fā)表于 12-20 09:11 ?676次閱讀

    上海光機(jī)所在摻銩鈧酸釓脈沖激光研究方面取得進(jìn)展

    圖1 Tm:GdScO3板條激光器實(shí)驗(yàn)裝置圖 近期,中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所空天激光技術(shù)與系統(tǒng)部研究團(tuán)隊(duì)Tm:GdScO3脈沖激光研究方面取得了新的
    的頭像 發(fā)表于 12-12 06:24 ?647次閱讀
    上海光機(jī)所在摻銩鈧酸釓脈沖激光研究<b class='flag-5'>方面</b><b class='flag-5'>取得</b><b class='flag-5'>進(jìn)展</b>