2018年，中電化合物半導(dǎo)體項目落戶在杭州灣新區(qū)。目前，該項目的6英寸碳化硅襯底及外延片、碳化硅基氮化鎵外延片已進(jìn)入客戶認(rèn)證階段。預(yù)計最快明年便能實現(xiàn)量產(chǎn)。 按照計劃，這個全浙江省首個第三代半導(dǎo)體項目設(shè)計年產(chǎn)能將達(dá)8萬片，達(dá)產(chǎn)后的年銷售額可達(dá)6億元。 杭州灣新區(qū)開發(fā)區(qū)投資合作局副局長林直表示，目前，寧波正全力打造10條國內(nèi)領(lǐng)先、具有國際影響力的標(biāo)志性產(chǎn)業(yè)鏈，其中，集成電路便是其中重要的一條。

以中電化合物半導(dǎo)體為主的第三代半導(dǎo)體材料項目將進(jìn)一步完善、強化杭州灣新區(qū)乃至全市集成電路產(chǎn)業(yè)鏈，有助于寧波搶占新一代信息技術(shù)制高點。 當(dāng)前，第一代半導(dǎo)體材料在輸出功率方面已達(dá)極限，要提高功率只能增大器件體積，并留出足夠散熱空間，第三代半導(dǎo)體材料即以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料應(yīng)運而生，從根本上解決功率與體積的矛盾，成為半導(dǎo)體技術(shù)研究前沿和競爭焦點。

主要應(yīng)用于5G通訊、新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。 隨著5G、新能源汽車等產(chǎn)業(yè)的不斷推動，我國第三代半導(dǎo)體材料市場高速增長。2019年市場規(guī)模7.86億元，同比增長31.7%，未來三年仍將保持20%以上的增速；2019年，我國第三代半導(dǎo)體器件市場規(guī)模86.29億元，增長率99.7%，至2022年，市場規(guī)模將達(dá)到608.21億元，增長率78.4%。 我國計劃在2021—2025年期間，把大力支持發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入正在制定的“十四五”規(guī)劃。將在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等各個方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體行業(yè)。

原文標(biāo)題：浙江省首個第三代半導(dǎo)體項目即將量產(chǎn)

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