據(jù)外媒New Atlas報(bào)道，得克薩斯大學(xué)的工程師們創(chuàng)造了有史以來最小的記憶存儲設(shè)備之一，由一種二維材料制成，橫截面面積只有一平方納米。這種被稱為 “原子電阻”的裝置是通過單個(gè)原子的運(yùn)動來工作的，這將為具有難以置信的信息密度的更小的記憶系統(tǒng)鋪平道路。

這種新設(shè)備屬于一類新興的電子器件，稱為記憶電阻（Memristors），它使用電阻開關(guān)存儲數(shù)據(jù)。從本質(zhì)上講，當(dāng)某種材料暴露在一定的電壓下時(shí)，其電阻可以切換，變得更強(qiáng)或更弱。這種現(xiàn)象可用于將數(shù)據(jù)寫入設(shè)備，隨后可測量其相對電阻以“讀取”存儲的數(shù)據(jù)。

在這種情況下，這種電阻開關(guān)是通過單原子移入和移出納米級孔來處理的，這將改變材料的導(dǎo)電性。有關(guān)材料是二硫化鉬，盡管該團(tuán)隊(duì)表示，這一概念也應(yīng)該適用于一系列類似的材料。

“縮放的科學(xué)圣杯是下降到一個(gè)原子控制記憶功能的水平，這就是我們在新研究中完成的，”該研究的相應(yīng)作者Deji Akinwande說。

該團(tuán)隊(duì)表示，新裝置是有史以來最小的原子存儲器單元。二硫化鉬被制作成尺寸為1×1納米的薄片，厚度只有一個(gè)原子。如果要擴(kuò)大規(guī)模，它可以用來制造每平方厘米約25TB的存儲容量的芯片，這比目前的閃存所能提供的容量高100倍左右。它運(yùn)行所需的能量也更少。

“這項(xiàng)工作取得的成果為開發(fā)未來一代應(yīng)用鋪平了道路。..。..如超密集存儲、神經(jīng)形態(tài)計(jì)算系統(tǒng)、射頻通信系統(tǒng)等?！泵绹戃娧芯哭k公室項(xiàng)目經(jīng)理Pani Varanasi說。

該研究成果發(fā)表在《自然-納米技術(shù)》雜志上。
責(zé)編AJX