chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Intel第三代可擴(kuò)展至強(qiáng)“Ice Lake-SP”性能曝光

lhl545545 ? 來源:快科技 ? 作者:上方文Q ? 2020-11-30 09:56 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

Intel首次采用10nm工藝的第三代可擴(kuò)展至強(qiáng)“Ice Lake-SP”已經(jīng)推遲到2021年第一季度,將會和AMD 7nm工藝、Zen3架構(gòu)的的第三代霄龍正面對決,無論規(guī)格還是性能都討不到什么便宜。

B站網(wǎng)友“結(jié)城安穗-YuuKi_AnS”曝光了Ice Lake-SP的一顆工程樣品,隸屬于至強(qiáng)銀牌4300系列,14核心28線程,17MB二級緩存(每核心獨(dú)享1.25MB),21MB三級緩存(平均每核心1.5MB),基準(zhǔn)頻率2.0GHz,最高睿頻4.0GHz,但實(shí)際運(yùn)行中全核頻率只有1.8-2.0GHz,熱設(shè)計功耗165W。

雖然是一顆工程樣品,但這樣的頻率確實(shí)有點(diǎn)沒法看,而同樣是早期樣品的霄龍7763基準(zhǔn)已達(dá)2.45GHz,加速則為3.55GHz。

二代可擴(kuò)展至強(qiáng)沒有14核心,與之最接近的是12核心至強(qiáng)銀牌4214,頻率2.2-3.2GHz,但熱設(shè)計功耗只有85W,另外新版至強(qiáng)銀牌4214R頻率提至2.4-3.5GHz,熱設(shè)計功耗也不過100W。

難道10nm真的如此弱雞,頻率沒上去,功耗卻控制不住了?只能期待正式版還有大招了。
責(zé)任編輯:pj

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • intel
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    3503

    瀏覽量

    190215
  • 頻率
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    1571

    瀏覽量

    61416
  • 10nm
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    164

    瀏覽量

    30449
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    開啟連接新紀(jì)元——芯科科技第三代無線SoC現(xiàn)已全面供貨

    搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過PSA 4級認(rèn)證
    的頭像 發(fā)表于 10-09 15:57 ?2.6w次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基礎(chǔ),將其定位為平面柵碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)的一次重要演進(jìn),其目標(biāo)不僅在于追趕,更在于在特定性能維度上超越市場現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代(B3M)平臺概述 B3M系列是基本半導(dǎo)體推出的第三代
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?206次閱讀
    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準(zhǔn)電壓源

    BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
    的頭像 發(fā)表于 07-10 17:48 ?663次閱讀
    上海貝嶺發(fā)布<b class='flag-5'>第三代</b>高精度基準(zhǔn)電壓源

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?379次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b>半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵(GaN
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?1435次閱讀

    第三代半導(dǎo)體器件封裝:挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存

    一、引言隨著科技的不斷發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來,第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的高溫、高頻、高耐壓等特性,逐漸
    的頭像 發(fā)表于 02-15 11:15 ?1264次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b>半導(dǎo)體器件封裝:挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存

    EE-230:第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-230:第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 01-08 14:43 ?0次下載
    EE-230:<b class='flag-5'>第三代</b>SHARC系列處理器上的代碼疊加

    第三代半導(dǎo)體廠商加速出海

    近年來,在消費(fèi)電子需求帶動下,加上新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏、風(fēng)電、工業(yè)控制等產(chǎn)業(yè)的興起,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體廠商發(fā)展迅速。
    的頭像 發(fā)表于 01-04 09:43 ?1055次閱讀

    第三代半導(dǎo)體對防震基座需求前景?

    隨著科技的發(fā)展,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于快速擴(kuò)張階段。在全球范圍內(nèi),各國都在加大對第三代半導(dǎo)體的投入,建設(shè)了眾多新的晶圓廠和生產(chǎn)線。如中國,多地都有相關(guān)大型項(xiàng)目規(guī)劃與建設(shè),像蘇州的國家第三代半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 12-27 16:15 ?870次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b>半導(dǎo)體對防震基座需求前景?

    第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展

    當(dāng)前,第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中,新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)的重要動力之一,新能源汽車需要高效、高密度的功率器件來實(shí)現(xiàn)更長的續(xù)航里程和更優(yōu)的能量管理。
    的頭像 發(fā)表于 12-16 14:19 ?1144次閱讀

    第三代寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹

    ? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢,且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對其進(jìn)行簡單介紹。 以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶化合物半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 12-05 09:37 ?2274次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b>寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹

    第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識

    第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導(dǎo)體領(lǐng)域的一顆“新星”——第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)。它以其卓越的性能
    的頭像 發(fā)表于 11-27 16:06 ?2520次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b>半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識

    晶科能源第三代Tiger Neo系列產(chǎn)品的問題解答

    近期發(fā)布了采用N型TOPCon技術(shù)的第三代Tiger Neo系列產(chǎn)品后, 關(guān)于這款極具競爭力的產(chǎn)品,小編挑選了大家最為關(guān)心的10個問題進(jìn)行解答。
    的頭像 發(fā)表于 11-12 10:19 ?1219次閱讀

    高通第三代驍龍8移動平臺解鎖沉浸式游戲體驗(yàn)

    隨著手游市場不斷攀升,玩家需求不斷增加,也讓智能手機(jī)支持的游戲功能越來越豐富和多樣化。作為眾多游戲手機(jī)、性能旗艦的首選平臺,第三代驍龍8移動平臺利用CPU、GPU、NPU的異構(gòu)計算能力,以卓越能效
    的頭像 發(fā)表于 11-08 10:54 ?4885次閱讀

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用

    隨著科技的發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)歷了多次變革,而第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn),正在深刻改變我們的日常生活和工業(yè)應(yīng)用。
    的頭像 發(fā)表于 10-30 11:24 ?2602次閱讀