英特爾提出集成光電:可實現(xiàn)1000倍提升
12 月 4 日消息 在今年的研究院開放日活動上，英特爾提出了 “集成光電”，即將光互連 I/O 直接集成到服務(wù)器和封裝中，實現(xiàn) 1000 倍提升，同時降低成本。
英特爾首席工程師、英特爾研究院 PHY 研究實驗室主任 James Jaussi 表示，之所以現(xiàn)在需要遷移到光互連 I/O，主要有兩個原因，一個是我們正在快速接近電氣性能的物理極限，一個是 I/O 功耗墻，會導(dǎo)致無法計算。
英特爾認(rèn)為集成光電要具備五大 “關(guān)鍵技術(shù)模塊”。在光調(diào)制方面，英特爾開發(fā)了微型微射線調(diào)制器，它們體積縮小了 1000 倍，在服務(wù)器封裝里可以放置幾百個這樣的器件；第二個是在光探測領(lǐng)域，推出全硅光電探測器，可以降低成本；第三個是在光放大領(lǐng)域，推出集成半導(dǎo)體光學(xué)放大器，降低總功耗；最后通過協(xié)同集成，將 CMOS 電路和硅光子技術(shù)整合起來。
早在 2016 年，英特爾就推出了一款全新的硅光子產(chǎn)品 “100G PSM4”，這款產(chǎn)品結(jié)合了硅電子和光學(xué)技術(shù)，能夠在獨立的硅芯片上實現(xiàn)近乎光速的數(shù)據(jù)傳輸，同時降低成本。英特爾已經(jīng)為客戶提供超過 400 萬個 100G 的硅光子產(chǎn)品。
責(zé)任編輯：YYX
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