12月1日，據(jù)日媒報(bào)道，比利時(shí)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu) IMEC的CEO兼總裁Luc Van den hove在日本東京ITF論壇上透露，通過與 ASML的緊密合作將下一代高分辨率EUV技術(shù)進(jìn)行了商業(yè)化。

Luc Van den hove并公布了3nm及以下制程的微縮層面技術(shù)細(xì)節(jié)。截至目前，ASML 已經(jīng)布局了 3m、2nm、1.5nm、1nm 甚至 Sub 1nm 的未來發(fā)展路線規(guī)劃。

根據(jù)先前晶圓大工大廠臺(tái)積電和三星電子介紹，從 7nm制程技術(shù)開始，部分制程技術(shù)已經(jīng)推出了 NA=0.33 的 EUV 曝光設(shè)備，5nm制程技術(shù)也達(dá)成了頻率的提升，但對(duì)于2nm以下的超精細(xì)制程技術(shù)，則還是需要能夠達(dá)成更高的分辨率和更高 NA （NA=0.55） 的曝光設(shè)備。

對(duì)此，目前 ASML 也已經(jīng)完成了做為 NXE:5000 系列的高 NA EUV 曝光設(shè)備的基本設(shè)計(jì)，但商業(yè)化的時(shí)間則是預(yù)計(jì)最快在 2022 年左右。

該報(bào)道指出，包括日本在內(nèi)的許多半導(dǎo)體公司已經(jīng)退出了微縮化工藝，聲稱摩爾定律已經(jīng)走到了盡頭，或者稱它成本過高且無利可圖。

但ASML過去一直與IMEC密切合作開發(fā)光刻技術(shù)，但為了開發(fā)使用高 NA EUV 曝光設(shè)備，ASML在IMEC的園區(qū)內(nèi)成立了新的“IMEC-ASML 高 NA EUV 實(shí)驗(yàn)室”，以共同開發(fā)和使用高 NA EUV 曝光設(shè)備的相關(guān)技術(shù)。

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