12 月 4 日消息，據(jù)國外媒體報道，三星電子近期進行了大規(guī)模的人事調(diào)整，晉升了 214 名重要高管，半導(dǎo)體研究實驗室的負責(zé)人，在此次調(diào)整中也被晉升為執(zhí)行副總裁。

在本周早些時候，三星電子就宣布了部分人事調(diào)整，但當(dāng)時宣布的調(diào)整并不多，今日有韓媒報道，在此輪調(diào)整中，三星電子晉升了 214 名重要的高管，就人員數(shù)量而言，這是三星最近三年最大規(guī)模的高管晉升。

從外媒的報道來看，三星電子此次晉升的 214 名高管中，包括 31 名執(zhí)行副總裁、55 名高級副總裁、111 名副總裁和 17 名其他的重要高管。

在晉升的高管中，新晉升的執(zhí)行副總裁無疑是最受關(guān)注的，外媒在報道中表示，晉升的 31 名執(zhí)行副總裁，已經(jīng)展示了他們的領(lǐng)導(dǎo)能力和在業(yè)務(wù)發(fā)展方面的出色能力，將是未來 CEO 的潛在人選。

晉升的 31 名執(zhí)行副總裁中，就包括三星半導(dǎo)體研究實驗室的 Hwang Gi-hyun，他因在研發(fā)下一代 DRAM、NAND 閃存和生產(chǎn)流程方面的出色表現(xiàn)而獲得晉升。

其他晉升為執(zhí)行副總裁的高管中，還有視覺顯示業(yè)務(wù)的 Go Seung-hwan、數(shù)字設(shè)備業(yè)務(wù)部門的 Lee Gang-hyup、移動部門的 Kim Hak-sang、三星研究的 Choi Seung-beom 等。

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