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2020年Intel TOP3技術(shù)創(chuàng)新:10nm工藝位列第二

璟琰乀 ? 來源:快科技 ? 作者:快科技 ? 2020-12-21 15:45 ? 次閱讀
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2020年還有不到2周就過完了,年底又是一個(gè)回顧總結(jié)的季節(jié)了,Intel公司在這一年中有什么技術(shù)創(chuàng)新呢?芯片業(yè)內(nèi)人士給點(diǎn)評了一下,10nm SuperFin工藝位列第二。推出這個(gè)評選的是推特用戶Witeken,他不僅經(jīng)常爆料AMD/Intel最新信息,也是芯片行業(yè)的專業(yè)人士,評選的主要是芯片技術(shù)層面的,很專業(yè)。

根據(jù)他的選擇,2020年Intel第一大技術(shù)創(chuàng)新是Lakefield處理器上的Foveros 3D堆棧,這是一種新的3D封裝技術(shù),可以把不通工藝的IP核心封裝在一起,Lakefield的5核心就是1個(gè)大4小,分別使用了10nm、22nm工藝的。

第二個(gè)創(chuàng)新是Tiger Lake上首發(fā)的10nm SuperFin工藝,這也是今年Intel在CPU工藝上最重要的一次進(jìn)步,使用了全新的Super MIM器件,號稱實(shí)現(xiàn)了單節(jié)點(diǎn)內(nèi)最大的性能提升,超過15%。

雖然很多人看工藝數(shù)字都覺得Intel的10nm SF工藝不如臺積電7nm、5nm先進(jìn),但是別忘了,Intel在半導(dǎo)體技術(shù)上的根底還在,10nm工藝的創(chuàng)新確實(shí)不少。

第三大創(chuàng)新就是硅基光電子,帶寬是PCIe 6.0的6倍,這也是Intel布局未來半導(dǎo)體技術(shù)的一個(gè)重點(diǎn)領(lǐng)域,光電子技術(shù)也很領(lǐng)先,只是現(xiàn)在還沒大規(guī)模商業(yè)化。

其他還有3條新技術(shù),分別涉及低溫工藝、A,MX指令集及Statix 10 NX FPGA芯片等,相比前面三條更加專業(yè)。

責(zé)任編輯:haq

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