終于突破了，中國(guó)芯傳來好消息，制造高端芯片的兩大難點(diǎn)被解決！

截至2019年，我國(guó)芯片自給率僅有30%。

這意味著，國(guó)內(nèi)超過70%的芯片，都是通過進(jìn)口渠道獲得，這是一個(gè)相當(dāng)可怕的數(shù)據(jù)。70%的芯片都需要進(jìn)口，這揭示出兩個(gè)讓人無奈的事實(shí)。第一，我國(guó)每年需要拿出一大筆錢對(duì)外購(gòu)買芯片；第二，我們隨時(shí)都面臨著被斷供芯片的危機(jī)。

而更糟糕的是，現(xiàn)在第二個(gè)事實(shí)已經(jīng)在部分中企身上應(yīng)驗(yàn)了。美國(guó)之所以對(duì)華為實(shí)行芯片斷供，就是因?yàn)槠淇吹搅宋覈?guó)在芯片制造領(lǐng)域的巨大短板。

必須要解決國(guó)內(nèi)芯片領(lǐng)域的短板！

不然，華為今天的遭遇，將會(huì)原封不動(dòng)地降臨到其他中國(guó)企業(yè)身上。

值得慶幸的是，華為今天的遭遇，已經(jīng)引起我們國(guó)家重視。在今年8月，國(guó)家出臺(tái)了多項(xiàng)扶持國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的政策，同時(shí)，國(guó)家還定下計(jì)劃，在2025年，中國(guó)芯片自給率必須要達(dá)到70%。

五年時(shí)間，讓國(guó)內(nèi)芯片的自給率從30%飆升至70%，這是一個(gè)相當(dāng)大的目標(biāo)，也很不好實(shí)現(xiàn)。當(dāng)然，不好實(shí)現(xiàn)，并不意味著不可能實(shí)現(xiàn)。特別是，近段時(shí)間國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體公司頻頻傳來捷報(bào)，更是助長(zhǎng)了全體國(guó)人的信心。

就在本月，中國(guó)芯傳來好消息！終于突破了，制造高端芯片的兩大難點(diǎn)被中國(guó)成功解決！

先說高端芯片制造的第一大難點(diǎn)：在芯片制造過程中，光刻膠是不可或缺的材料。而以往，國(guó)內(nèi)只能制造生產(chǎn)低端芯片的光刻膠，而生產(chǎn)高端芯片所需的光刻膠，則幾乎都被日韓半導(dǎo)體企業(yè)所壟斷。

這就導(dǎo)致，如果我國(guó)想制造高端芯片，那就必須向日韓光刻膠制造商購(gòu)買，而只能對(duì)外采購(gòu)，無疑會(huì)極大地降低中國(guó)芯的抗風(fēng)險(xiǎn)能力。值得欣慰的是，現(xiàn)在高端光刻膠的問題終于突破了！

就在幾天前，寧波南大光電發(fā)布重要公告，內(nèi)容大意是：該司生產(chǎn)的高端ArF光刻膠已經(jīng)通過各項(xiàng)測(cè)試，良品率達(dá)標(biāo)。據(jù)介紹，南大光電此次通過測(cè)試的ArF光刻膠，可以用于90nm-7nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的集成電路制造工藝。

可用于90nm-7nm工藝，這意外著，后續(xù)我國(guó)在生產(chǎn)高端芯片時(shí)，無需再擔(dān)心沒有自主可控的高端光刻膠可用的問題。

而除了實(shí)現(xiàn)高端光刻膠國(guó)產(chǎn)化的目標(biāo)外，在高端芯片封測(cè)的這一大難題上，我們也終于取得突破！可能有人還不了解，芯片制造的最后環(huán)節(jié)，就是封測(cè)。而封測(cè)技術(shù)的強(qiáng)弱，則將決定一顆芯片是否好用。

特別是高端芯片，封測(cè)步驟更是至關(guān)重要，也是一大難點(diǎn)！而在此之前，國(guó)內(nèi)企業(yè)掌握的封測(cè)技術(shù)，都較為低端，無法用于高端芯片。

但如今，國(guó)內(nèi)的歐菲光集團(tuán)正式傳來好消息，該司已成功研發(fā)半導(dǎo)體封裝用高端引線框架。據(jù)悉，這一次歐菲光集團(tuán)研發(fā)的“引線框架”，就是一種較為先進(jìn)的封測(cè)技術(shù)，可用于高端芯片的封測(cè)！

一個(gè)月之內(nèi)傳來兩個(gè)有關(guān)高端芯片制造的捷報(bào)，不少國(guó)內(nèi)網(wǎng)友也是感慨道：越來越有信心了，照這個(gè)速度，等到了2025年，我們還真的有可能實(shí)現(xiàn)芯片自給率達(dá)到70%的目標(biāo)。

事實(shí)上，這并非網(wǎng)友盲目樂觀，因?yàn)樵谏鲜鰞杉覈?guó)內(nèi)半導(dǎo)體公司傳來突破的消息之前，中芯國(guó)際還傳來一個(gè)重磅消息，其研發(fā)的N＋1芯片制程工藝已經(jīng)成功流片。

而根據(jù)測(cè)試，用中芯國(guó)際N＋1工藝制造的芯片，整體水準(zhǔn)與臺(tái)積電生產(chǎn)的7nm芯片相當(dāng)接近。

解決了高端光刻膠、高端芯片封測(cè)技術(shù)這兩個(gè)大難題，再加上中芯國(guó)際也已經(jīng)可以制造水平接近臺(tái)積電7nm的芯片。

這意味著，我國(guó)已經(jīng)初步具備生產(chǎn)高端芯片的基礎(chǔ)。后續(xù)隨著這三家的技術(shù)進(jìn)一步完善，五年后，我國(guó)確實(shí)有望實(shí)現(xiàn)芯片自給率達(dá)到70%的目標(biāo)。

而美國(guó)的封鎖，也將不攻自破！
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