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天天都在說的芯片,到底是什么

電子設計 ? 來源:電子設計 ? 作者:電子設計 ? 2020-12-24 15:01 ? 次閱讀
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假設一百年或者幾百年之后,回顧2018年到2019年的大國關系,未來的人們可能發(fā)明一個新詞,或許就叫做芯片戰(zhàn)爭。雖然這種戰(zhàn)爭暫時還沒聽到槍炮聲響和看到硝煙,但是對未來世界格局的深遠影響,可能不亞于一場次級別的世界大戰(zhàn)。這是因為圍繞芯片這種國際商品而產生的交易額,是當今全球原油交易市場總額的數倍。

圍繞石油的大戰(zhàn)已經不止一次,現(xiàn)在圍繞芯片開始的激烈斗爭,也將重構二十一世紀上半葉的基本世界格局。那么現(xiàn)在大家?guī)缀跆焯炻牭叫酒@個詞。那么芯片到底是什么,為何設計和生產芯片成了一門高技術,對大多數人來說,恐怕都是半懂半不懂,或假裝聽得懂,也算一種基本態(tài)度。芯片說到底,其實就是一種微電路。那么什么又是電路?打開電腦的機箱,或者任何一種有程序化功能的電器內部,都會看到電路板。芯片就是一種極度微小但功能強大的微縮邏輯電路。

現(xiàn)代集成電路是由基爾比在1958年發(fā)明的。因此榮獲2000年諾貝爾物理獎,實用集成電路的發(fā)明人是諾伊斯,因過世早而未能同時獲獎,諾貝爾所有獎項只發(fā)給在世的人。集成電路可以把很大數量的微晶體管集成到一個小的純硅的薄片上,這是一個巨大的進步。集成電路相對離散晶體管有兩個主要優(yōu)勢:成本和性能。

成本低是由于芯片把所有的組件通過照相平版技術,作為一個單位印刷,而不是在一個時間只制作一個晶體管。性能高是由于組件快速開關,消耗更低能量,因為組件很小且彼此靠近。現(xiàn)在已經進入納米級,比如7納米級的芯片,一平方厘米面積內就可以集成64個億的微元件,已經接近物理規(guī)律的極限,再靠的更近,電子可能就直接穿透了電路之間的空間自然隔離,導致芯片電路自然失效了,這就是摩爾定律在微電子領域內的作用。

先進的集成電路是微處理器或多核處理器的核心,可以控制計算機到手機等一切電子設備。雖然設計開發(fā)一個復雜集成電路的成本非常高,但是當分散到通常以億計的產品上,每個集成電路的成本最小化。最終利潤就足夠豐厚。

制作芯片的基礎材料是單晶硅薄片。單晶硅是經過早年的多次試驗后,認為是最合適的大規(guī)模制作集成電路的半導體材料。成為集成電路主流的基層。硅元素在地球地殼中含量很高,比如沙子水泥都含有大量的硅元素,但是能利用的是純度極高的單晶硅,也就是提煉出不含億分之一雜質的硅結晶,這種結晶體,直徑越粗壯越好,越大的結晶,可以切割成直徑越大的圓盤薄,在這種薄片上可以印刷更多的呈現(xiàn)長方形的小芯片。單晶硅圓盤的制作直徑,是芯片加工企業(yè)的第一個技術高低的指標。過去研發(fā)無缺陷純單晶硅晶體的方法就用了數十年的時間。制作芯片的基材,除了使用單晶硅,還有III-V族材料,比如砷化鎵也可以。

現(xiàn)在流水線式的單晶硅芯片的制作完整過程包括芯片設計、晶片制作、封裝制作、測試等幾個環(huán)節(jié),其中晶片制作過程尤為的復雜。首先是芯片設計,根據設計的需求,生成的“圖樣”。而制造芯片的原料是晶圓。晶圓的成分是純硅,硅是由石英沙所精練出來的,晶圓便是硅加以純化99.9999999%,接著是將這些純硅制成硅晶棒,成為制造集成電路的石英半導體的材料,將其切片就是芯片制作具體所需要的晶圓。晶圓越薄,直徑越大生產的成本越低,但對工藝就要求的越高。

然后對晶圓進行涂膜,涂膜能抵抗氧化以及耐溫能力,其材料為光阻的一種。再往后是晶圓的光刻顯影、蝕刻。光刻工藝的基本流程。首先是在晶圓或襯底表面涂上一層光刻膠并烘干。烘干后的晶圓被傳送到光刻機里面。光線透過一個掩模,把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上,實現(xiàn)曝光,激發(fā)光化學反應。對曝光后的晶圓進行第二次烘烤,即所謂的曝光后烘烤,后烘烤是的光化學反應更充分。

最后,把顯影液噴灑到晶圓表面的光刻膠上,對曝光圖形顯影。顯影后,掩模上的圖形就被存留在了光刻膠上。如果看不明白這一點,就可以把晶圓看做老式膠卷照相機的顯影工藝。

涂膠、烘烤和顯影都是在勻膠顯影機中完成的,曝光是在光刻機中完成的。勻膠顯影機和光刻機一般都是聯(lián)機作業(yè)的,晶圓通過機械手在各單元和機器之間傳送。整個曝光顯影系統(tǒng)是封閉的,晶圓不直接暴露在周圍環(huán)境中,以減少環(huán)境中有害成分對光刻膠和光化學反應的影響。

這個復雜的過程使用了對紫外光敏感的化學物質,即遇紫外光則變軟。通過控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蝕劑,使得其遇紫外光就會溶解。這時可以用上第一份遮光物,使得紫外光直射的部分被溶解,這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。這樣剩下的部分就與遮光物的形狀一樣了,而這效果正是所要的。

下一個工序是摻加雜質,將晶圓中植入離子,生成相應的P、N類半導體。具體工藝是從硅片上暴露的區(qū)域開始,放入化學離子混合液中。經過上面的幾道工藝之后,晶圓上就形成了一個個格狀的晶粒。通過針測的方式對每個晶粒進行電氣特性檢測。將制造完成晶圓固定,綁定引腳,按照需求去制作成各種不同的封裝形式。經過上述工藝流程以后,芯片制作就已經全部完成了,最后步驟是將芯片進行測試、剔除不良品,最后包裝上市。

審核編輯:符乾江

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