chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

Si825xx隔離柵極驅動器支持使用碳化硅等新興技術

Silicon Labs ? 來源:SiliconLabs ? 作者:SiliconLabs ? 2020-12-29 10:32 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

Silicon Labs(亦稱“芯科科技”)近期更加完善隔離柵極驅動器產品陣容。新產品新型Si823Hx/825xx系列結合了更快更安全的開關、低延遲和高噪聲抑制等能力,可更靠近功率晶體管放置,實現(xiàn)緊湊的印制電路板(PCB)設計。這些柵極驅動器所取得的新進展可以幫助電源轉換器設計人員滿足甚至超越日益提高的能效標準及尺寸限制,同時支持使用碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)和快速Si FET等新興技術。

Silicon Labs 的Si825xx系列產品為強健的柵極驅動器,適用于 SMPS逆變器等基于硅、氮化鎵或碳化硅的電源轉換器系統(tǒng)。該系列擁有支持高達 20 V 的高電壓輸入(邏輯端)VDD 電源引腳等升級功能。其具有強健的30 V 驅動器 VDD 能力、實現(xiàn)更緊的回路控制的低延遲、125 kV/μs 的高共模瞬變抗擾度 (CMTI),輸出引腳 -5 V 耐受電壓和過溫保護。這些產品還具有驅動器升壓階段,可在密勒平穩(wěn)區(qū)域提供更高的電流驅動能力,以實現(xiàn)更快的接通時間。

基于 Silicon Labs 專有 CMOS 電容隔離技術,這些產品在強大的隔離額定值方面具有卓越的性能,以驅動先進的 Gan 或 Sic FET 來實現(xiàn)最大程度的系統(tǒng)效率提升,同時借助欠壓鎖定保護和停滯時間可編程性等功能確保安全。

Si825xx隔離柵極驅動器特色規(guī)格·采用一個封裝的 HS/LS 隔離驅動器 ·5.0kVRMS 隔離 ·異步關閉選項所需的 DIS 或 EN 引腳 ·4.5V - 20.0 V 的輸入 VDD ·4.0A 對稱灌電流/拉電流峰值輸出 ·30ns 的最大傳輸延遲 ·瞬態(tài)抗擾度:>125 kV/μs ·強勁的 30 V 驅動器側供應 ·過溫保護 Si8252x隔離柵極驅動器評估套件設計者可利用該評估板評估 Silicon Labs的 Si8252x 系列高性能驅動器。該板填充有Si82520BD-IS3。板上設有測試端子,可快速評估設備的關鍵參數(shù),以便直接連接至設計者的終端系統(tǒng)。

責任編輯:xj

原文標題:【優(yōu)品推薦】Si825xx 隔離柵極驅動器大幅提高電源轉換器系統(tǒng)能效

文章出處:【微信公眾號:SiliconLabs】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電源
    +關注

    關注

    185

    文章

    18710

    瀏覽量

    261424
  • 轉換器
    +關注

    關注

    27

    文章

    9368

    瀏覽量

    155138
  • 驅動器
    +關注

    關注

    54

    文章

    9019

    瀏覽量

    153383
  • 隔離柵
    +關注

    關注

    0

    文章

    50

    瀏覽量

    10411

原文標題:【優(yōu)品推薦】Si825xx 隔離柵極驅動器大幅提高電源轉換器系統(tǒng)能效

文章出處:【微信號:SiliconLabs,微信公眾號:Silicon Labs】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    傾佳電子碳化硅MOSFET高級柵極驅動設計:核心原理與未來趨勢綜合技術評述

    傾佳電子碳化硅MOSFET高級柵極驅動設計:核心原理與未來趨勢綜合技術評述 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取
    的頭像 發(fā)表于 10-18 21:22 ?252次閱讀
    傾佳電子<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET高級<b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅動</b>設計:核心原理與未來趨勢綜合<b class='flag-5'>技術</b>評述

    數(shù)明半導體SiLM27531H柵極驅動器碳化硅器件中的應用

    碳化硅 MOSFET 憑借顯著的開關性能優(yōu)勢,在許多大功率應用中得到青睞。然而它的特性要求柵極驅動電路有較高要求,以優(yōu)化碳化硅器件的開關性能。盡管
    的頭像 發(fā)表于 09-03 17:54 ?4291次閱讀
    數(shù)明半導體SiLM27531H<b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅動器</b>在<b class='flag-5'>碳化硅</b>器件中的應用

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術應用打造
    發(fā)表于 06-25 09:13

    SiC碳化硅MOSFET驅動技術創(chuàng)新,賦能高效能源未來

    BASiC Semiconductor(基本半導體)作為領先的碳化硅(SiC)功率器件及驅動解決方案提供商,始終致力于通過技術創(chuàng)新推動電力電子系統(tǒng)的高效化與智能化。其最新推出的隔離型門
    的頭像 發(fā)表于 06-19 16:51 ?628次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET<b class='flag-5'>驅動</b><b class='flag-5'>技術</b>創(chuàng)新,賦能高效能源未來

    簡述碳化硅功率器件的應用領域

    碳化硅(SiliconCarbide,SiC)是一種新興的半導體材料,因其優(yōu)越的電氣特性和熱穩(wěn)定性,正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅(Si)材料,成為功率器件領域的重要選擇。SiC功率器件以其高效率、高溫耐受性
    的頭像 發(fā)表于 06-18 17:24 ?1353次閱讀

    ADUM4146提供故障檢測、米勒鉗位的11A高壓隔離雙極性柵極驅動器技術手冊

    ADuM4146是一款單通道柵極驅動器,專門針對驅動碳化硅(SiC)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)進行了優(yōu)化。ADI公司的*i*Coupler ^?^
    的頭像 發(fā)表于 05-29 15:31 ?653次閱讀
    ADUM4146提供故障檢測、米勒鉗位的11A高壓<b class='flag-5'>隔離</b>雙極性<b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅動器</b><b class='flag-5'>技術</b>手冊

    基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅動器

    關鍵作用。本文介紹了一種用于碳化硅升壓轉換的氮化鎵諧振柵極驅動器。該方案不僅能實現(xiàn)高效率,還能在高開關頻率下保持良好控制的開關轉換特性。諧振柵極
    的頭像 發(fā)表于 05-08 11:08 ?1035次閱讀
    基于氮化鎵的<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率MOSFET高頻諧振<b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅動器</b>

    麥科信光隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動態(tài)測試中的應用

    碳化硅(SiC)MOSFET 是基于寬禁帶半導體材料碳化硅(SiC)制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管,相較于傳統(tǒng)硅(Si)MOSFET,具有更高的擊穿電壓、更低的導通電阻、更快的開關速度以及更優(yōu)
    發(fā)表于 04-08 16:00

    為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡?

    ,碳化硅具備多項技術優(yōu)勢(圖1),這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心,以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器能源基礎設施領域嶄露頭角,成為眾多應用中的新興首選
    發(fā)表于 03-12 11:31 ?851次閱讀
    為什么<b class='flag-5'>碳化硅</b>Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到<b class='flag-5'>碳化硅</b>的過渡?

    BTP1521P/F是碳化硅MOSFET驅動隔離供電的性價比最優(yōu)解

    碳化硅(SiC)功率器件快速替代硅基器件的趨勢中,驅動隔離供電方案的性能與成本成為關鍵制約因素。基本半導體的 BTP1521P 和 BTP1521F 通過技術整合與設計創(chuàng)新,完美適配
    的頭像 發(fā)表于 03-01 10:16 ?1236次閱讀
    BTP1521P/F是<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET<b class='flag-5'>驅動</b><b class='flag-5'>隔離</b>供電的性價比最優(yōu)解

    國產碳化硅MOSFET和隔離驅動的真空鍍膜電源設計方案

    傾佳電子楊茜為客戶提供BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國產碳化硅MOSFET和隔離驅動的真空鍍膜電源設計方案,助力射頻電源業(yè)自主可控和產業(yè)升級! 傾佳電子楊茜致力于推動
    的頭像 發(fā)表于 02-13 21:56 ?836次閱讀
    國產<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET和<b class='flag-5'>隔離</b><b class='flag-5'>驅動</b>的真空鍍膜電源設計方案

    碳化硅薄膜沉積技術介紹

    多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?1807次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積<b class='flag-5'>技術</b>介紹

    意法半導體STGAP3S系列電隔離柵極驅動器概述

    意法半導體的STGAP3S系列碳化硅(SiC)和 IGBT功率開關柵極驅動器集成了意法半導體最新的穩(wěn)健的電隔離技術、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈
    的頭像 發(fā)表于 01-09 14:48 ?1195次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性
    發(fā)表于 01-04 12:37

    什么是米勒鉗位?為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位?

    隔離驅動BTD25350xx產品特性專門用于驅動SiC MOSFET的門極驅動芯片原方帶使能禁用腳DIS,死區(qū)時間設置腳DT副方
    發(fā)表于 01-04 12:30