存儲(chǔ)器市場(chǎng)已出現(xiàn)典范轉(zhuǎn)型，以智能型手機(jī)為中心的行動(dòng)時(shí)代（mobile era），逐步轉(zhuǎn)進(jìn)人工智能（AI）等的數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)時(shí)代。

數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)需要搭載大量DRAM及NAND Flash協(xié)助運(yùn)算，預(yù)計(jì)2021年將出現(xiàn)另一個(gè)半導(dǎo)體超級(jí)周期，半導(dǎo)體公司正在加大努力以獲取更大的市場(chǎng)份額。尤其在存儲(chǔ)器半導(dǎo)體市場(chǎng)中，對(duì)新技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)正在加劇。

明年將是DDR5的DRAM競(jìng)爭(zhēng)

而因?yàn)槠湫阅芡怀觯沟肈DR5產(chǎn)品因?yàn)槭来惶娴氖袌?chǎng)需求下，有空間為存儲(chǔ)器廠帶來(lái)不小收益，這也是預(yù)期全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)將迎接新成長(zhǎng)周期的主因。

DDR5 DRAM作為下一代產(chǎn)品，其傳輸速度和容量都比當(dāng)前市場(chǎng)主流DDR4DRAM快得多。

DDR5DRAM的工作電壓為1．1V，這比DDR4芯片的1．2V降低了9%。DDR5的最大容量為64Gb，是當(dāng)前DDR4的四倍。

DDR5產(chǎn)品有望提高芯片制造商的盈利能力，因?yàn)槠鋯蝺r(jià)高于DDR4 DRAM，DDR4 DRAM的單價(jià)比DDR3 DRAM高1．5倍，DDR5 DRAM的價(jià)格漲幅應(yīng)該也是差不多。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢預(yù)測(cè)，DDR5在PC DRAM市場(chǎng)中的市占率，將從2020年的不到1%，成長(zhǎng)到2021年的10%，足足是10倍以上的成長(zhǎng)。

尤其是DDR5產(chǎn)品在服務(wù)器DRAM市場(chǎng)中，其市占率也將從2020年的4%，提升到2021年的15%。

因此，在市場(chǎng)快速成長(zhǎng)的情況下，全球三大存儲(chǔ)器廠都開(kāi)始準(zhǔn)備搶攻商機(jī)。

隨著2021年全球三大存儲(chǔ)器廠將陸續(xù)大規(guī)模量產(chǎn)下一代DDR5 DRAM，預(yù)計(jì)存儲(chǔ)器市場(chǎng)將迎接下一個(gè)成長(zhǎng)周期。

而存儲(chǔ)器市場(chǎng)有望在2021年重回增長(zhǎng)軌道，但預(yù)計(jì)市場(chǎng)規(guī)模只有1331億美元，無(wú)法超越2018年創(chuàng)下的歷史記錄1633億美元;到2022年，預(yù)計(jì)存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模同比增長(zhǎng)29%至1710億美元。

在NAND Flash快閃存儲(chǔ)器上相互角力

業(yè)界預(yù)期，NAND Flash快閃存儲(chǔ)器市場(chǎng)的成長(zhǎng)將比DRAM市場(chǎng)更快，原因在于智能手機(jī)向5G發(fā)展，以及資料中心的服務(wù)器對(duì)SSD的需求所造成。

這使得NAND Flash快閃存儲(chǔ)器市場(chǎng)到2024前將以每年30%到35%的速度增長(zhǎng)，相較于DRAM的年平均成長(zhǎng)率為15%到20%而言，NAND Flash快閃存儲(chǔ)器市場(chǎng)的成長(zhǎng)速度快很多。

美光在2020年11月宣布，已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)全球首批176層堆疊的NAND Flash快閃存儲(chǔ)器。

2020年10月，SK海力士宣布將以90億美元收購(gòu)英特爾的NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)，使得SK海力士在全球NAND Flash快閃存儲(chǔ)器市場(chǎng)的市占率有望達(dá)到20%以上;在今年12月日宣布已經(jīng)完成176層堆疊NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)。

三星方面則是計(jì)劃2021年發(fā)布第7代V-NAND快閃存儲(chǔ)器，第7代V-NAND快閃存儲(chǔ)器最多可以達(dá)到256層堆疊的能力。

對(duì)智能型手機(jī)來(lái)說(shuō)，在導(dǎo)入3D感測(cè)、4K影像、虛擬及擴(kuò)充實(shí)境（VR/AR）功能后，終端邊緣運(yùn)算也得搭載更多的DRAM及NAND Flash。

此外，正在快速起飛的車用電子、云端運(yùn)算、數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用，對(duì)存儲(chǔ)器需求更是較今年呈現(xiàn)倍數(shù)成長(zhǎng)。

NAND Flash進(jìn)入3D NAND制程要全面更改設(shè)備，資本支出同樣龐大，但至2021年的位元年復(fù)合成長(zhǎng)率僅40—45%。

預(yù)計(jì)明年NAND Flash各類產(chǎn)品總需求位元數(shù)包含Client SSD（31%）、Enterprise SSD（20%）、UFS與eMMC（41%）與NAND Wafer（8%）。

由于供貨商數(shù)量遠(yuǎn)高于DRAM，加上供給位元成長(zhǎng)的幅度居高不下，預(yù)計(jì)2021年價(jià)格仍將逐季下跌。

手機(jī)存儲(chǔ)容量升級(jí)驅(qū)動(dòng)移動(dòng)存儲(chǔ)器需求

目前智能手機(jī)仍然是市場(chǎng)中消耗DRAM最多的一個(gè)項(xiàng)目，未來(lái)三到五年之內(nèi)仍將維持這種狀態(tài)。

隨著明年服務(wù)器、智能手機(jī)以及PC 的增長(zhǎng)，會(huì)帶來(lái)需求的變緊，尤其是下半年，價(jià)格會(huì)隨之稍漲，具體漲幅多少主要取決于明年三大領(lǐng)域的增長(zhǎng)幅度。

未來(lái)手機(jī)上存儲(chǔ)芯片的容量將不會(huì)下降，反而是會(huì)越來(lái)越大，短期來(lái)看，至少明年的容量與今年持平，但長(zhǎng)期來(lái)看，容量的增長(zhǎng)將會(huì)是不可逆的。

未來(lái)容量的增長(zhǎng)將會(huì)依靠中低端手機(jī)驅(qū)動(dòng)，所以隨著時(shí)間的推移，存儲(chǔ)方面未來(lái)將會(huì)呈現(xiàn)增長(zhǎng)趨緩。

現(xiàn)在手機(jī)基本上都是12GB、16GB的內(nèi)存，再往上增長(zhǎng)就會(huì)出現(xiàn)浪費(fèi)，除非有新的功能或者技術(shù)的出現(xiàn)，帶動(dòng)DRAM的增長(zhǎng)。

高通預(yù)計(jì)到2022年5G智能手機(jī)出貨量將超過(guò)7．5億部，在低端手機(jī)市場(chǎng)，2GB DRAM及以下的占比逐漸減少，高端手機(jī)逐漸普及至8GB甚至12GB。

而閃存單芯片容量也從128GB/256GB推進(jìn)至256GB/512GB，5G智能手機(jī)的加速滲透以及存儲(chǔ)容量升級(jí)有望驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品需求提升。

全球存儲(chǔ)器巨頭將導(dǎo)入EUV技術(shù)

目前全球3大DRAM存儲(chǔ)器廠商美光在進(jìn)行EUV運(yùn)用于DRAM先進(jìn)制程，準(zhǔn)備與韓國(guó)三星、SK海力士競(jìng)爭(zhēng)。

目前三星已在第3代10納米級(jí)DRAM存儲(chǔ)器生產(chǎn)導(dǎo)入EUV技術(shù)，且還預(yù)計(jì)2021年發(fā)表第4代10納米級(jí)的DRAM存儲(chǔ)器生產(chǎn)增加EUV技術(shù)。

至于SK海力士則將在2021年量產(chǎn)第4代10納米級(jí)DRAM存儲(chǔ)器導(dǎo)入EUV技術(shù)，目前SK海力士也分批導(dǎo)入EUV設(shè)備，預(yù)計(jì)在京畿道利川市的新DRAM工廠建立EUV技術(shù)產(chǎn)線。

英特爾 12 代酷睿 Alder Lake （ADL）混合架構(gòu)處理器會(huì)支持DDR5，但最早也要到2021年Q3。

AMD的Zen4已經(jīng)規(guī)劃了對(duì)DDR5的支持，發(fā)布時(shí)間也在2021年。DDR5要全面在PC上普及，看來(lái)至少還需要2年的時(shí)間。

結(jié)尾：國(guó)產(chǎn)代表長(zhǎng)信存儲(chǔ)差距縮小

存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要分支，約占2019年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的30%。長(zhǎng)期以來(lái)，我國(guó)使用的存儲(chǔ)芯片嚴(yán)重依賴進(jìn)口，占到我國(guó)集成電路進(jìn)口總額的40%左右。

目前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、福建晉華這三家國(guó)內(nèi)廠商正奮力追趕。隨著量產(chǎn)的推進(jìn)，依賴進(jìn)口的局面有望得到緩解。

2019年三季度，長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)64層3D NAND的量產(chǎn)，預(yù)計(jì)128層產(chǎn)品今年底到明年上半年量產(chǎn)，公司也在去年宣布要投資DRAM。

如今，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)主要量產(chǎn)19nm內(nèi)存產(chǎn)品，技術(shù)水平落后兩三年的時(shí)間。不過(guò)在2021年，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)將實(shí)現(xiàn)17nm內(nèi)存芯片的量產(chǎn)，內(nèi)存存儲(chǔ)密度將進(jìn)一步提升，差距也將進(jìn)一步縮小。

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