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哈工大的史詩(shī)級(jí)成果:DPP-EUV光源

poa0_zhenjingsh ? 來源:半導(dǎo)體界 ? 作者:半導(dǎo)體界 ? 2021-02-01 10:41 ? 次閱讀
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哈工大在國(guó)家急需時(shí)刻從不缺席,現(xiàn)在國(guó)家急需光刻機(jī)。哈工大的DPP-EUV光源出來,真的是史詩(shī)級(jí)成果,一流大學(xué)就應(yīng)該有世界頂尖水平,這是哈工大在超精密加工,超精密測(cè)量領(lǐng)域幾十年積累的結(jié)果! 中科院長(zhǎng)春光機(jī)所在光刻機(jī)所需的透鏡及曝光系統(tǒng)上早已有突破,而最新的消息也顯示,長(zhǎng)春光機(jī)所在實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)搭建出了一套EUV光源設(shè)備。 而長(zhǎng)春光機(jī)所正基于哈工大DPP-EUV光源研制EUV曝光機(jī),預(yù)計(jì)兩年內(nèi)可推出。光刻機(jī)的兩大核心部件為雙工件臺(tái)和曝光系統(tǒng)。

EUV光刻的全稱為極紫外光刻(Extreme Ultra-violet),其光源主要有2種: 1、一種是DPP-EUV極紫外光源。放電激發(fā)等離子體EUV極紫外光源 荷蘭ASML光刻機(jī)公司,哈工大研究的都是這一種。 DPP EUV光源利用放電使負(fù)載(Xe或Sn)形成等離子體,輻射出紫外線,利用多層膜反射鏡多次反射凈化能譜,獲得1EUV光。

DPP EUV光源的優(yōu)點(diǎn)是產(chǎn)生EUV的能量轉(zhuǎn)換效率高,造價(jià)低;缺點(diǎn)是電極熱負(fù)載高,產(chǎn)生碎片多,機(jī)制復(fù)雜,光學(xué)器件易于受損,光收集角小。

2、激光等離子體光源(LPP) LPP EUV系統(tǒng)主要包括激光器、匯聚透鏡、負(fù)載、光收集器、掩膜、投影光學(xué)系統(tǒng)和芯片。 其原理是利用高功率激光加熱負(fù)載(Xe或Sn)形成等離子體,等離子體輻射出紫外線,利用多層膜反射鏡多次反射凈化能譜,獲得1EUV光。 LPP EUV光源的優(yōu)點(diǎn)是光源尺寸小,產(chǎn)生碎片或粒子的種類少,光收集效率高以及較容易放大EUV輸出功率。當(dāng)然它也有缺點(diǎn),主要是系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜,價(jià)格昂貴。 這2種光源。哈工大都在15年前就研究了!

中國(guó)研究EUV極紫外光源的2個(gè)主要單位: 1、哈工大氣體可調(diào)諧激光技術(shù)國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 。 2、中國(guó)科學(xué)院上海光機(jī)所(哈工大畢業(yè)的研究員負(fù)責(zé)的項(xiàng)目、副所長(zhǎng)。神光2的負(fù)責(zé)人之一)。 哈工大取的重大突破的是: 放電激發(fā)等離子體EUV極紫外光源。與荷蘭ASML光刻機(jī)公司的是同一種EUV極紫外光源。但是要把它做成為光刻機(jī),還需要2年時(shí)間! 荷蘭光刻機(jī),目前極紫外光源是美國(guó)產(chǎn),還有一些主要部件是德國(guó)等國(guó)生產(chǎn),清洗部件是藍(lán)英裝備生產(chǎn)。如果3-5納米光刻機(jī)兩年內(nèi)國(guó)產(chǎn),則華為有救!哈工大功勞舉世無(wú)雙! 下面這個(gè)全球領(lǐng)先的成果。也來自哈工大這個(gè)實(shí)驗(yàn)室。

哈工大在祖國(guó)需要的時(shí)候能沖上去,這就是軍工大學(xué)的擔(dān)當(dāng)! 其實(shí) 中國(guó)在1977年就成功研究了光刻機(jī)。 那個(gè)時(shí)候,還沒有荷蘭ASML光刻機(jī)公司這個(gè)公司。 可惜中國(guó)80年代,都是造不如買去了。 以前日本人走的是激光等離子體光源。 荷蘭ASML光刻機(jī)公司走的是氣體放電激發(fā)等離子體EUV極紫外光源 (哈工大氣體可調(diào)諧激光技術(shù)國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 研究的東西與他們一樣)。

原文標(biāo)題:光刻機(jī)研發(fā):哈工大在國(guó)家急需時(shí)刻從不缺席

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責(zé)任編輯:haq

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原文標(biāo)題:光刻機(jī)研發(fā):哈工大在國(guó)家急需時(shí)刻從不缺席

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