三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù);據(jù)悉,2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞(GAA)晶體管技術(shù),相比第二代3nm工藝,性能提升
發(fā)表于 11-19 15:34
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據(jù)外媒韓國媒體 ETNews 在9 月 2 日發(fā)文報(bào)道稱全球首款2nm芯片被曝準(zhǔn)備量產(chǎn);三星公司已確認(rèn) Exynos 2600 將成為全球首款采用 2
發(fā)表于 09-04 17:52
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三星美國廠2nm 產(chǎn)線運(yùn)作 美國2nm晶圓代工廠近期再添生力軍,在特斯拉高階主管親自赴廠區(qū)督軍下,原本暫緩的三星美國德州新廠2
發(fā)表于 09-02 11:26
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我們來看看三星的最新消息: 曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 數(shù)碼博主“剎那數(shù)碼”爆料稱,三星
發(fā)表于 07-31 19:47
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在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的激烈競爭中,三星電子的戰(zhàn)略動向一直備受矚目。近期,有消息傳出,三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進(jìn)方面做出重大調(diào)整,原本計(jì)劃于2027年量產(chǎn)的1.4
發(fā)表于 07-03 15:56
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較為激進(jìn)的技術(shù)路線,以挽回局面。
4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r間 16 日報(bào)道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良率,這高于
發(fā)表于 04-18 10:52
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?據(jù)多方消息來源推測,三星電子可能取消原計(jì)劃于?2027?年量產(chǎn)的?1.4nm(FS1.4)晶圓代工工藝。三星在?“Sa
發(fā)表于 03-23 11:17
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在先進(jìn)制程領(lǐng)域目前面臨重重困難。三星 3nm(SF3)GAA 工藝自 2023 年量產(chǎn)以來,由于良率未達(dá)預(yù)期,至今尚未獲得大客戶訂單。
發(fā)表于 03-22 00:02
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據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4
發(fā)表于 03-12 16:07
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工廠和華城S3工廠。盡管投資規(guī)模有所縮減,但三星在這兩大工廠的項(xiàng)目推進(jìn)上并未止步。 平澤P2工廠方面,三星計(jì)劃將部分3nm生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換到更為先進(jìn)的2n
發(fā)表于 01-23 11:32
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據(jù)韓媒報(bào)道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計(jì)劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,以達(dá)到結(jié)束開發(fā)工作、順利進(jìn)入量
發(fā)表于 01-22 15:54
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據(jù)韓媒MoneyToday報(bào)道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動可能對三星
發(fā)表于 01-22 14:27
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近日,據(jù)韓媒最新報(bào)道,三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上,全面重新
發(fā)表于 01-22 14:04
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)計(jì)劃從2025年1月起對3nm、5nm先進(jìn)制程和CoWoS封裝工藝進(jìn)行價格調(diào)整。 先進(jìn)制程2025年喊漲,最高漲幅20% 其中,對3nm、5nm等先進(jìn)制程技術(shù)
發(fā)表于 01-03 10:35
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制程與成熟制程的并重發(fā)展。他指出,當(dāng)前三星代工部門最緊迫的任務(wù)是提升2nm產(chǎn)能的良率爬坡。這一舉措顯示了三星在先進(jìn)制程技術(shù)領(lǐng)域的決心和實(shí)力。 同時,韓真晚也提到了
發(fā)表于 12-10 13:40
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