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2020年度H01L小類半導(dǎo)體器件專利的分析

戰(zhàn)略科技前沿 ? 來源:集成電路研發(fā)競爭情報 ? 作者:集成電路研發(fā)競爭 ? 2021-03-02 14:51 ? 次閱讀
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本報告基于國際專利分類(IPC)中“H01L小類”半導(dǎo)體器件類2020年公開/公告專利進行分析,專利數(shù)據(jù)以Derwent專利家族數(shù)進行統(tǒng)計分析。分析人員基于Derwent手工代碼(Derwent手工代碼由Derwent數(shù)據(jù)庫的標引人員分配給專利,用于表示某項發(fā)明的技術(shù)創(chuàng)新點及其應(yīng)用)對涉及的H01L半導(dǎo)體器件類進行人工再分類,包含:設(shè)計類、工藝類、封裝類、材料類、設(shè)備儀器類、分立器件類等六大類,統(tǒng)計分析主要涉及技術(shù)、國家、機構(gòu)三部分內(nèi)容。

2020年度H01L半導(dǎo)體器件公開專利,以Derwent專利家族統(tǒng)計共161871項,其中:設(shè)計類涉及36441項專利家族、工藝類涉及87587項專利家族、封裝測試類涉及64385項專利家族、材料類涉及44159項專利家族、設(shè)備儀器類涉及17706項專利家族、分立器件類涉及38116項專利家族。

2020年度H01L類專利研發(fā)熱點全景圖 01專利申請時間趨勢

專利的最早優(yōu)先權(quán)年在一定程度上反映專利技術(shù)的最早出現(xiàn)時間。2020年度H01L半導(dǎo)體器件類公開專利涉及161871項Derwent專利家族。最早優(yōu)先權(quán)年為近24個月的專利占比30.14%,這部分專利主要為提前公開的最新專利。最早優(yōu)先權(quán)年較早(2014年前)的專利占比14.10%,該部分主要圍繞技術(shù)進行地域布局或者技術(shù)演進布局,該部分專利的家族成員個數(shù)較多,2020年度H01L專利最早優(yōu)先權(quán)年分布如圖1所示。

圖1 2020年度H01L專利最早優(yōu)先權(quán)年分布 02專利申請技術(shù)構(gòu)成分析

通過德溫特手工代碼分析,由圖2和表1可以看出,2020年H01L專利技術(shù)點主要集中在:①A12-E07C(集成電路聚合物材料)方向,其公開/公告相關(guān)專利11544項,主要專利申請人為三星公司、DISCO公司、LG公司;②U12-A01A1E(發(fā)光二極管加工工藝)方向,其公開/公告相關(guān)專利10903項,主要專利申請人為三星公司、LG公司、京東方科技集團股份有限公司;③U12-A01A7(發(fā)光二極管顯示器)方向,其公開/公告相關(guān)專利10393項,主要專利申請人為三星公司、京東方科技集團股份有限公司、TCL華星光電公司;④U11-C05C(電極和互連層的制造工藝)方向,其公開/公告相關(guān)專利8588項,主要專利申請人為臺灣積體電路制造股份有限公司、TCL華星光電公司、京東方科技集團股份有限公司。

圖2 2020年度H01L專利TOP25德溫特手工代碼表1 TOP25德溫特手工代碼具體內(nèi)容與主要機構(gòu)

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03專利申請國家/地區(qū)分布

(1)專利最早優(yōu)先權(quán)國家/地區(qū)與受理國家/地區(qū)對比分析專利最早優(yōu)先權(quán)國家/地區(qū)在一定程度上信息反映了某項技術(shù)的起源地,圖3(a)表示H01L專利最早優(yōu)先權(quán)國家/地區(qū)分布情況,從圖中可以看出,在2020年,中國大陸地區(qū)H01L專利的全球占比為31%,明顯高于日本(24%),美國位居第三,全球占比為21%,韓國排名第四,全球占比為13%,他們是H01L專利的主要產(chǎn)出者。 專利受理國家/地區(qū)在一定程度上反映了某一技術(shù)最終流入的市場,圖3(b)表示H01L專利受理國家/地區(qū)分布情況。從圖中可以看出,2020年,美國和中國大陸地區(qū)是H01L領(lǐng)域全球最受重視的技術(shù)市場,二者的全球占比分別為31%和30%;日本位居第四,占比8%。

國際申請所占比例19%,這在一定程度上反映申請人通過世界專利申請進行的國際布局,重視技術(shù)的輸出及國外市場。 結(jié)合來看,通過專利最早優(yōu)先權(quán)國家/地區(qū)和受理國家/地區(qū)的對比發(fā)現(xiàn),中國大陸地區(qū)、日本和韓國在最早優(yōu)先權(quán)國家/地區(qū)中占比皆高于受理地占比,說明這些國家在H01L專利技術(shù)產(chǎn)出多于技術(shù)流入,屬于技術(shù)輸出國;日本的技術(shù)輸出最為明顯,在最早優(yōu)先權(quán)國家/地區(qū)中全球占比24%,而在受理地中全球占比8%。美國在最早優(yōu)先權(quán)國家/地區(qū)中全球占比21%,而在受理地中全球占比31%,說明美國在H01L專利技術(shù)流入多于技術(shù)產(chǎn)出,屬于技術(shù)流入國。

(a)

(b)

圖3 (a)專利最早優(yōu)先權(quán)國家/地區(qū),(b)專利受理國家/地區(qū)

(2)專利最早優(yōu)先權(quán)國家/地區(qū)技術(shù)對比分析表2表示H01L專利TOP25專利最早優(yōu)先權(quán)國家/地區(qū)主要技術(shù)類別。排名首位的技術(shù)優(yōu)先國為中國大陸地區(qū),主要技術(shù)方向有U12-A01A7(發(fā)光二極管顯示器)、U12-A01A1E(發(fā)光二極管加工工藝)和U11-C05C(電極和互連層的制造工藝)等,主要專利申請人為京東方科技集團股份有限公司、TCL華星光電公司和中芯國際;位居第二的技術(shù)優(yōu)先國為日本,主要技術(shù)方向有A12-E07C(集成電路聚合物材料)、L03-H05(單級晶體管制造工藝)和L04-C16(半導(dǎo)體熱處理加工工藝)等,主要專利申請人為半導(dǎo)體能源實驗室、東京電子公司和索尼公司等;美國排名第三,主要技術(shù)方向為L04-C11C1(柵電極制造工藝)、L04-C12(絕緣層和鈍化層的加工工藝)和L04-E01(與晶體管有關(guān)的玻璃、陶瓷和耐火材料)等,主要專利申請人為臺灣積體電路制造股份有限公司、IBM公司和應(yīng)用材料公司;韓國作為技術(shù)優(yōu)先國的主要技術(shù)方向為U12-A01A1E(發(fā)光二極管加工工藝)、U12-A01A7(發(fā)光二極管顯示器)和L04-E03(半導(dǎo)體發(fā)光器件),主要專利申請人為三星電子公司、LG集團和SK海力士公司。 作為技術(shù)優(yōu)先國的各國主要技術(shù)研發(fā)方向受主要專利申請人的影響有所差異,由表2可以看出,在2020年H01L專利中主流研發(fā)國家布局集中在半導(dǎo)體器件方向。中國大陸地區(qū)及中國臺灣地區(qū)均在U12-A01A7(發(fā)光二極管顯示器)研發(fā)方向有所建樹,日本、美國及反映技術(shù)輸出布局的世界專利申請均在半導(dǎo)體材料和工藝技術(shù)方向進行研發(fā)布局,詳見表2所示。表2 2020年H01L專利TOP25最早優(yōu)先權(quán)國家/地區(qū)主要技術(shù)類別

04專利申請人分析

(1)主要專利申請人專利數(shù)分析專利申請人分析主要是分析H01L專利申請人擁有的專利數(shù)量,從而遴選出主要專利申請人,作為后續(xù)多維組合分析、評價的基礎(chǔ),通過對清洗后的專利家族的專利申請人分析,可以了解H01L的主要研發(fā)機構(gòu)。根據(jù)H01L專利數(shù)量統(tǒng)計分析,表3列出在2020年公開專利大于500項的前52位專利申請人,可以看出,前52位中46%的企業(yè)來自日本,來自中國大陸地區(qū)的企業(yè)數(shù)為9家,排名前三位的有2家企業(yè)來自韓國。排名第一的是韓國的三星公司,排名第二的是中國臺灣的臺灣積體電路制造股份有限公司,2020年公開/公告專利分別涉及8733項、5215項專利家族;LG公司位列第三,2020年公開/公告專利的專利家族數(shù)為5089項;中國大陸的京東方科技集團股份有限公司和TCL華星光電公司分別位列第四、第五,2020年專利公開/公告專利分別涉及4524項和3784項;美國的IBM公司2020年專利公開/公告數(shù)為2420項,位列第六。表3 2020年H01L專利TOP52專利申請人排名

(2)主要專利申請人技術(shù)對比主要專利申請人技術(shù)對比分析是對主要專利申請人投資技術(shù)領(lǐng)域進行對比分析,透析各專利申請人的技術(shù)核心,從而分析各專利申請人的技術(shù)發(fā)展策略。圖4表示H01L TOP52位專利申請人主要技術(shù)對比圖。 通過對比分析,可以看出在2020年公開的H01L專利中,三星公司和LG公司在U12-A01A1E(發(fā)光二極管加工工藝)方向布局較多,專利數(shù)分別為2028項和1775項,此外,它們技術(shù)方向布局廣泛且各方向?qū)@靠捎^。

京東方科技股份有限公司在U12-A01A7(發(fā)光二極管顯示器)和U12-A01A1E(發(fā)光二極管加工工藝)方向布局較多方向布局較多,專利數(shù)分別為1812項和1651項。臺灣半導(dǎo)體制造有限公司偏重于U11-C18A3(單級晶體管制造工藝)和L04-C11C1(柵電極制造工藝)方向,專利數(shù)分別為841項、801項。TCL華星光電公司在U12-A01A1E(發(fā)光二極管加工工藝)和U12-A01A7(發(fā)光二極管顯示器)方向研究突出,專利數(shù)分別為1448項和1420項。

原文標題:2020年度半導(dǎo)體器件類(H01L)公開/公告專利分析

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責任編輯:haq

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原文標題:2020年度半導(dǎo)體器件類(H01L)公開/公告專利分析

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