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比亞迪半導(dǎo)體出席2021汽車芯片技術(shù)論壇

電子工程師 ? 來源:比亞迪半導(dǎo)體 ? 作者:比亞迪半導(dǎo)體 ? 2021-03-30 09:27 ? 次閱讀
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3月17,由森蔚汽車聯(lián)合國內(nèi)40+主機(jī)廠共同組織的“2021中國汽車芯片開發(fā)與應(yīng)用創(chuàng)新技術(shù)論壇”在上海舉辦,旨在共同探討汽車芯片技術(shù)發(fā)展趨勢、智能駕駛與驅(qū)動系統(tǒng)芯片的關(guān)鍵應(yīng)用技術(shù)、國產(chǎn)化芯片開發(fā)技術(shù)路線等相關(guān)內(nèi)容,進(jìn)一步推動行業(yè)的發(fā)展。 比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司受邀參加了該汽車芯片技術(shù)論壇。公司高級研發(fā)經(jīng)理吳海平在本次論壇上做了題為“新能源汽車功率器件的發(fā)展與應(yīng)用”技術(shù)演講,從新能源功率器件的需求情況、車規(guī)級功率半導(dǎo)體的市場布局和技術(shù)發(fā)展著手,多維度探討IGBT芯片、SiC模塊、功率模塊的技術(shù)發(fā)展。

吳海平先生提到,新能源汽車的發(fā)展給功率芯片帶來更嚴(yán)格的挑戰(zhàn),意味著更低的損耗和成本,更高的集成度、工作結(jié)溫和可靠性。同時,更薄的晶圓厚度、精細(xì)化、RC IGBT、集成化也成為了IGBT芯片的技術(shù)趨勢。比亞迪電驅(qū)功率模塊技術(shù)從間接水冷發(fā)展到現(xiàn)在的SiC MOS 雙面水冷、超聲波焊接、納米銀燒結(jié)技術(shù),使得SiC MOS在新能源汽車電機(jī)驅(qū)動上帶來明顯的效率提升,電機(jī)驅(qū)動控制器體積減小60%以上。演講現(xiàn)場氛圍熱烈,與會人員紛紛給予掌聲。

新能源汽車的核心元件IGBT芯片約占電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)成本的一半,是除電池之外成本第二高的元件,決定了整車的能源效率。比亞迪半導(dǎo)體2009 年推出國內(nèi)首款自主研發(fā)的 IGBT 芯片,2018 年推出 IGBT4.0 芯片,后續(xù)還將推出更高性能的IGBT芯片。經(jīng)過多年的發(fā)展,比亞迪半導(dǎo)體已擁有國內(nèi)領(lǐng)先的功率芯片設(shè)計經(jīng)驗,成熟的晶圓制造工藝、功率模塊生產(chǎn)能力、獨(dú)有的測試條件以及應(yīng)用平臺,擁有國內(nèi)領(lǐng)先的IDM功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。截止2020年12月,以IGBT為主的車規(guī)級功率器件累計裝車超過100萬輛,單車行駛里程超過100萬公里。

作為新能源汽車下一代功率半導(dǎo)體器件核心,SiC MOSFET可使得電機(jī)驅(qū)動控制器體積減小60%以上,整車性能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上再提升10%。 2020年7月,比亞迪半導(dǎo)體自主研發(fā)的SiC功率模塊全面應(yīng)用于比亞迪全新旗艦豪華轎車“漢”,是國內(nèi)首款批量搭載SiC功率模塊的車型。SiC電控的綜合效率高達(dá)97%以上,使整車的動力性、經(jīng)濟(jì)性表現(xiàn)非常出眾。 未來比亞迪功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),將不斷優(yōu)化提升IGBT及SiC模塊性能表現(xiàn),往高效率、高集成、高可靠性方向快速發(fā)展。

責(zé)任編輯:lq

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原文標(biāo)題:大咖云集,解密汽車芯片核心密碼!比亞迪半導(dǎo)體出席2021汽車芯片技術(shù)論壇

文章出處:【微信號:BYD_Semiconductor,微信公眾號:比亞迪半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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