3月17，由森蔚汽車聯(lián)合國(guó)內(nèi)40+主機(jī)廠共同組織的“2021中國(guó)汽車芯片開發(fā)與應(yīng)用創(chuàng)新技術(shù)論壇”在上海舉辦，旨在共同探討汽車芯片技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)、智能駕駛與驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)芯片的關(guān)鍵應(yīng)用技術(shù)、國(guó)產(chǎn)化芯片開發(fā)技術(shù)路線等相關(guān)內(nèi)容，進(jìn)一步推動(dòng)行業(yè)的發(fā)展。 比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司受邀參加了該汽車芯片技術(shù)論壇。公司高級(jí)研發(fā)經(jīng)理吳海平在本次論壇上做了題為“新能源汽車功率器件的發(fā)展與應(yīng)用”技術(shù)演講，從新能源功率器件的需求情況、車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)布局和技術(shù)發(fā)展著手，多維度探討IGBT芯片、SiC模塊、功率模塊的技術(shù)發(fā)展。

吳海平先生提到，新能源汽車的發(fā)展給功率芯片帶來(lái)更嚴(yán)格的挑戰(zhàn)，意味著更低的損耗和成本，更高的集成度、工作結(jié)溫和可靠性。同時(shí)，更薄的晶圓厚度、精細(xì)化、RC IGBT、集成化也成為了IGBT芯片的技術(shù)趨勢(shì)。比亞迪電驅(qū)功率模塊技術(shù)從間接水冷發(fā)展到現(xiàn)在的SiC MOS 雙面水冷、超聲波焊接、納米銀燒結(jié)技術(shù)，使得SiC MOS在新能源汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)上帶來(lái)明顯的效率提升，電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器體積減小60%以上。演講現(xiàn)場(chǎng)氛圍熱烈，與會(huì)人員紛紛給予掌聲。

新能源汽車的核心元件IGBT芯片約占電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)成本的一半，是除電池之外成本第二高的元件，決定了整車的能源效率。比亞迪半導(dǎo)體2009 年推出國(guó)內(nèi)首款自主研發(fā)的 IGBT 芯片，2018 年推出 IGBT4.0 芯片，后續(xù)還將推出更高性能的IGBT芯片。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，比亞迪半導(dǎo)體已擁有國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的功率芯片設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，成熟的晶圓制造工藝、功率模塊生產(chǎn)能力、獨(dú)有的測(cè)試條件以及應(yīng)用平臺(tái)，擁有國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的IDM功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。截止2020年12月，以IGBT為主的車規(guī)級(jí)功率器件累計(jì)裝車超過(guò)100萬(wàn)輛，單車行駛里程超過(guò)100萬(wàn)公里。

作為新能源汽車下一代功率半導(dǎo)體器件核心，SiC MOSFET可使得電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器體積減小60%以上，整車性能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上再提升10%。 2020年7月，比亞迪半導(dǎo)體自主研發(fā)的SiC功率模塊全面應(yīng)用于比亞迪全新旗艦豪華轎車“漢”，是國(guó)內(nèi)首款批量搭載SiC功率模塊的車型。SiC電控的綜合效率高達(dá)97%以上，使整車的動(dòng)力性、經(jīng)濟(jì)性表現(xiàn)非常出眾。 未來(lái)比亞迪功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，將不斷優(yōu)化提升IGBT及SiC模塊性能表現(xiàn)，往高效率、高集成、高可靠性方向快速發(fā)展。

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