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淺析嵌入式開發(fā)五種存儲方式

FPGA之家 ? 來源:CSDN技術(shù)社區(qū) ? 作者:碼農(nóng)愛學(xué)習(xí) ? 2021-04-09 17:36 ? 次閱讀
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1ROM & RAM

ROM(Read Only Memory)

ROM在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù),如光盤CD-ROM,可以保存文件,且只能讀取。

RAM(Random Access Memory)

RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù),如計算機的內(nèi)存條就是RAM,關(guān)機后內(nèi)存數(shù)據(jù)被自動清空。

2PROM & EPROM && EEROM

ROM又可分為幾類

PROM

編程的ROM,但只能寫入一次(有點像光盤,只能刻錄一次),這種是早期的產(chǎn)品,現(xiàn)在已經(jīng)不用了。

EPROM

通過紫外光的照射擦出原先的程序,現(xiàn)在也不用了。

EEPROM

電可擦除,如學(xué)習(xí)單片機時用到的AT24C02芯片,大小為2K,用于保存少量掉電不丟失的數(shù)據(jù),單片機通過IIC來讀寫這個EEPROM的內(nèi)容。

3SRAM & DRAM

RAM又可分為兩大類

SRAM(Static RAM)

SRAM即靜態(tài)RAM,讀寫速度非常快,但價格也較貴,用于CPU的一級緩沖,二級緩沖。

單片機中也有SRAM,如STM32F103VET6具有64K的SRAM,用于程序運行時變量、堆棧的暫存等,另外,還可通過FSMC接口來擴展外部SRAM,如1M字節(jié)的IS62WV51216外部SRAM芯片,用于需要大量數(shù)據(jù)計算的場合(跑算法、GUI)。

DRAM(Dynamic RAM)

即動態(tài)RAM,保留數(shù)據(jù)的時間很短,速度也比SRAM慢(但比任何的ROM快),計算機內(nèi)存就是DRAM。

DRAM分為很多種,常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等。

SDRAM(Synchronous Dynamic RAM)

同步動態(tài)隨機存儲器,主要不要誤以為它是上面兩種的組合!同步指存儲器工作需要同步時鐘,動態(tài)指刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失,隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲,而是自由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。

DDR RAM

計算機內(nèi)存條常說的DDR3、DDR4。

4NAND Flash & NOR Flash

FLASH存儲器又稱閃存,它結(jié)合了ROM和RAM的長處,不僅具有電可擦除可編程(EEPROM)的功能,還不會斷電丟失數(shù)據(jù),同時可以快速讀取數(shù)據(jù)(NVRAM的優(yōu)勢),U盤使用這種存儲器。

Flash

如單片機中的flash,就是用于保存程序,如STM32F103VET6具有512K的Flash。

單片機還可以外接Flash,如W25Q128,16M大小,可用于保存圖片等較大的數(shù)據(jù),單片機通過SPI來讀寫其內(nèi)容。

NOR Flash

它的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣,用戶可以直接運行裝載在NOR FLASH里面的代碼,這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。

NOR的特點是應(yīng)用簡單、無需專門的接口電路、傳輸效率高,它是屬于芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP, eXecute In Place),這樣應(yīng)用程序可以直接在(NOR型)flash閃存內(nèi)運行,不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。在1~4MB的小容量時具有很高的成本效益,但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。

NAND Flash

NANDFlash的存儲容量比NORFlash大,如K9F1208U08為64M。它沒有采取內(nèi)存的隨機讀取技術(shù),而是以一次讀取一塊的形式來進行的,通常是一次讀取512個字節(jié),采用這種技術(shù)的Flash比較廉價。用戶不能直接運行NAND Flash上的代碼,因此好多使用NAND Flash的開發(fā)板除了使用NAND Flah以外,還配了一塊小的NOR Flash來運行啟動代碼。

NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度,可以達到高存儲密度,并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。

兩者對比

NOR Flash的讀取速度比NAND稍快一些。

NAND Flash的寫入速度比NOR快很多。

NAND Flash的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。

NAND Flash擦除單元更小,相應(yīng)的擦除電路更少。

NOR Flash帶有SRAM接口,有足夠的地址引腳來尋址,可以很容易的存取其內(nèi)部的每一字節(jié)。

NAND Flash使用復(fù)雜的I/O口串行存取數(shù)據(jù),8個引腳用來傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息,時序較復(fù)雜。

NOR Flash一般容量較小,工藝較復(fù)雜,所以成本較高。

NAND Flash的生產(chǎn)工較為簡單,因此其容量較大,價格更低。

5eMMC

eMMC (Embedded Multi Media Card),即嵌入式多媒體卡,是MMC協(xié)會訂立、主要針對手機或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。eMMC由Nand flash、Nand flash控制器以及標(biāo)準(zhǔn)接口封裝組成。
編輯:lyn

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原文標(biāo)題:嵌入式開發(fā),各類存儲方式知多少?

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