隨著集成電路工藝的發(fā)展，基準電流源模塊廣泛應用于模擬及數?；旌?a target="_blank">信號諸多領域。在過去的十幾年里，微機電系統(tǒng)（MEMS）技術的研究與發(fā)展為基準電流源模塊帶來新的市場和設計挑戰(zhàn)。從MEMS發(fā)展的總體水平看，許多關鍵技術已經突破，正處于從實驗室研究走向實用化、產業(yè)化階段。

我國的微系統(tǒng)研究在基礎研究和相關技術方面都取得了一些有特色的成果［1］，其中MEMS傳感器技術發(fā)展尤為迅速?；诖耍疚奶岢鲆环N可用于MEMS氣體傳感器的基準電流源設計方案，該方案能夠滿足MEMS傳感器技術條件下的低溫度漂移、高電源抑制比（PSRR）的特點。

1 基準電流源原理分析

1.1 Widlar型基準電流源小信號建模

Widlar型基準電流源如圖1所示［2］，由于Q1、M4采用二極管連接的方式，故可分別用一個電阻表示；M3、M5可分別用一個電壓控制電流源與電阻并聯(lián)表示。由BJT小信號模型可知，Q2可用一個等效的電壓控制電流源與等效電阻并聯(lián)表示［3］，Widlar型基準電流源小信號模型如圖2所示。

由于V2的電壓受自偏置結構影響，內部存在的反饋環(huán)路能夠保持電壓穩(wěn)定，從而由圖1電路可以得到一個穩(wěn)定電流。圖2中，g′m2為Q2和R的等效跨導，R′為Q2和R的輸出電阻。由電路等效理論可知：

其中，由于分母是1減去環(huán)路增益，可得到該電路中存在的反饋為正反饋。理論上只有越小的環(huán)路增益才能獲得更小的閉環(huán)增益，根據上述理論分析，為了獲得具有高電源抑制能力的電流源且電路穩(wěn)定，本設計采取更改反饋屬性以增大環(huán)路增益。

1.2 高階曲率補償理論分析

電流源溫度系數補償電路目前應用較為廣泛的是利用Widlar核心電路產生PTAT電流，BJT的BE結產生負溫度系數電流，再由兩者互相補償，產生基準電流Iref［4］。電流補償如圖3所示。

BJT中BE結電流方程為：

2 具體電路實現

圖4為基準電流源設計電路。如不加說明，則認為所有PMOS管襯底接電源電壓；所有NMOS管襯底接地電壓。圖中，C、D部分為基準電流核心電路，C部分產生IPTAT。依據上述基準電流源原理分析，在Widlar電流源框架下通過斷開Q1的二極管連接，加入運算放大器并改變反饋屬性以提高反饋系數。為了降低電路的復雜度，加入單級差分運放。D部分為產生IV和INL實現電路，

3 仿真與討論

本文設計方案經由SMIC 0.35 μm BICMOS工藝、Hspice驗證仿真，Cscope圖形查看軟件綜合。

圖5為Widlar型基準電流源反饋環(huán)路不同增益下基準電流PSRR曲線。由圖5可以看出，在反饋環(huán)電路中添加運算放大器時，PSRR為144.07 dB；未添加運算放大器時，PSRR為134.37 dB。

圖6為基準電流源溫度特性曲線。溫度變化范圍為-30 ℃～100 ℃，基準電流平均值為15.394 μA，電流變化范圍為24.833 nA，基準電流溫度系數為12.4 ppm/℃。

將本文設計方案與部分參考文獻主要參數進行比較，結果見表1［5-7］。從表1可見，該基準電流源具備良好的性能指標，可應用于MEMS傳感器系統(tǒng)的高PSRR和低溫度系數環(huán)境中。

參考文獻

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