SGT-MOS結構及轉移特性詳解
SGT-MOS結構
屏蔽柵側壁氧化層厚度：0.7um
屏蔽柵底部氧化層厚度：0.5um
屏蔽柵隔離氧化層厚度：0.3um
屏蔽柵寬度：0.4um
屏蔽柵縱向長度：3.4um
（2）SGTMOS轉移特性
SGT（split-gate-trench，分裂柵極溝槽）結構因其具有電荷耦合效應，在傳統(tǒng)溝槽mosfet垂直耗盡（p-body/n-epi結）基礎上引入了水平耗盡，將器件電場由三角形分布改變?yōu)榻凭匦畏植肌Ｔ诓捎猛瑯訐诫s濃度的外延規(guī)格情況下，器件可以獲得更高的擊穿電壓，該結構在中低壓功率器件領域得到廣泛應用。
MOS器件第一個深溝槽（Deep Trench）作為“體內場板”在反向電壓下平衡漂移區(qū)電荷，這樣可以降低漂移區(qū)的電阻率，從而降低器件的比導通電阻（RSP）和柵極電荷（Qg）。
責任編輯人：CC
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
MOS
+關注
關注
32文章
1746瀏覽量
100928 -
MOS器件
+關注
關注
0文章
12瀏覽量
6690
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
MOS管的種類、結構及導通特性詳解
一般情況下，普遍用于高端驅動的MOS，導通時需要是柵極電壓大于源極電壓，而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。
發(fā)表于 08-02 14:01
?1.2w次閱讀
什么是HDMI AOC有源光纜？詳解HDMI 2.0 AOC結構特性
` 本帖最后由 易飛揚通信 于 2018-1-31 14:43 編輯
什么是HDMI AOC有源光纜？詳解HDMI 2.0 AOC結構特性`
發(fā)表于 08-28 14:02
收購SGT100A矢量信號源/SGT100A回收
。已經針對最快的頻率和電平切換時間優(yōu)化了射頻架構。在基帶，多段波形模式幫助用戶從一個測試信號快速切換到下一個。雖然尺寸緊湊，R&S?SGT100A有杰出的射頻特性（例如，信號質量和電平精度
發(fā)表于 11-23 16:33
100v耐壓Mos替換12N10 15N10 SGT工藝MOS低損耗低內阻
`惠海半導體【中低壓MOS管廠家】專注中低壓MOS管的設計、研發(fā)、生產與銷售?；莺０雽w提供30V -150V系列中低壓NMOS管，廠家直銷，質優(yōu)價廉 ，大量現貨?；莺０雽wMOS管廣泛運用于LED
發(fā)表于 12-07 11:02
RS瑞森半導體低壓MOS-SGT在電動平衡車上的應用
針對市面上的電動平衡車，瑞森半導體推薦SGT-MOS系列，具有高一致性、高可靠性、開關速度快、低導通內阻
RS瑞森半導體低壓MOS-SGT在電動兩輪車上的應用
針對電動兩輪車，瑞森半導體推薦SGT-MOS系列，一致性高、可靠性高、開關速度快、低導通內阻
杭州士蘭微mos有哪些型號及mos代理商
士蘭微mos管產品主要包括低高壓、超結mos管，實現了溝槽柵低壓MOS，溝槽屏蔽柵SGT-MOS，超級結MOS和IGBT等多個產品的量產，廣
RS瑞森半導體低壓MOS-SGT在電動平衡車上的應用
針對市面上的電動平衡車，瑞森半導體推薦SGT-MOS系列，具有高一致性、高可靠性、開關速度快、低導通內阻
RS瑞森半導體低壓MOS-SGT在電動兩輪車上的應用
針對電動兩輪車，瑞森半導體推薦SGT-MOS系列，一致性高、可靠性高、開關速度快、低導通內阻
一文看懂SGT MOSFET的市場前景
uSGT MOSFET的市場前景 SGT-MOS的全稱是“Split Gate Trench-MOSFET”，中文叫屏蔽柵溝槽型功率 MOSFET。SGT-MOS嚴格意義上來說，在工藝上并沒有
工商網監(jiān)
評論