全面解讀MOSFET結構及設計詳解

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MOSFET(230967) MOSFET(230967)

N溝道耗盡型MOSFET的結構、特性曲線

N溝道耗盡型MOSFET 1) N溝道耗盡型MOSFET的結構 N

2009-09-16 09:41:43

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MOSFET結構及其工作原理詳解

　MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場

2012-04-10 11:40:48

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基于內(nèi)部微觀結構優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動性能

從來沒有基于MOSFET內(nèi)部的微觀結構去考慮驅(qū)動電路的設計，導致在實際的應用中，MOSFET產(chǎn)生一定的失效率。本文將討論這些細節(jié)的問題，從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動性能，提高整個系統(tǒng)的可靠性。

2021-03-07 10:47:00

3352

碳化硅SiC MOSFET器件的結構及特性

　　SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，如圖1所示。這種結構的特點是工藝簡單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結構

2023-02-12 16:03:09

6761

簡單認識功率MOSFET的結構特點

　　功率電路中常用垂直導電結構的MOSFET(還有橫向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">結構的MOSFET，但很少用于耐高壓的功率電路中)，如下圖是這種MOSFET的分層結構圖。

2023-02-16 11:25:47

3402

MOSFET的結構、電學符號和電學特性

　　現(xiàn)在所有電子產(chǎn)品中的芯片、放大器中的基本結構就是MOSFET，學好MOSFET是理解這些芯片、放大電路的前提。

2023-02-16 11:34:05

5731

功率MOSFET基本結構：平面結構

（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動電路簡單，驅(qū)動的功率小，而且開關速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結構有：橫向?qū)щ婋p擴散型場效應晶體管LDMOS

2023-06-05 15:12:10

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SiC MOSFET學習筆記：各家SiC廠商的MOSFET結構

當前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結構有兩大類，是按照柵極溝道的形狀來區(qū)分的，平面型和溝槽型。

2023-06-07 10:32:07

19900

功率MOSFET基本結構：平面結構

極（ Drain ）和源極（ Source ）。功率 MOSFET 為電壓型控制器件，驅(qū)動電路簡單，驅(qū)動的功率小，而且開關速度快，具有高的工作頻率。常用的 MOSFET 的結構有：橫向?qū)щ婋p擴散型

2023-06-28 08:39:35

5549

功率MOSFET結構和參數(shù)解讀

眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率，且開關速度優(yōu)異?？梢哉f具有“理想開關”的特性。其主要缺點是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率

2023-10-18 09:11:42

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MOSFET的結構和工作原理

本文介紹了MOSFET的物理實現(xiàn)和操作理論。MOSFET由NMOS和PMOS構成，有截止區(qū)、線性區(qū)和飽和區(qū)。圖示了NMOS和PMOS的物理結構，以及針對不同驅(qū)動電壓的電流-電壓曲線。還討論了飽和區(qū)的細節(jié)，展示了NMOS和PMOS的漏極電流與漏極-源極電壓之間的關系。

2023-11-15 09:30:47

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MOSFET結構解析(2)

MOS結構加上一對背靠背的PN結，就構成一個MOSFET。如果MOS結構在零柵壓時半導體表面不是反型的，此時由于PN結的反向截止效果，源漏之間不會導通。當外加柵壓使半導體表面反型時，源漏之間就有了

2023-11-30 15:54:49

2999

低壓超級接面結構優(yōu)化MOSFET性能

采用超級接面結構設計不僅可克服現(xiàn)有功率MOSFET結構的缺點，亦能達到低RDS(on)、低QG和低QGD等特性

2011-12-08 10:28:10

2296

MOSFET結構及其工作原理詳解

` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 編輯 MOSFET結構及其工作原理詳解`

2012-08-20 17:27:17

MOSFET結構及工作原理

` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯 MOSFET結構及工作原理`

2012-08-20 23:25:54

MOSFET是指的什么？MOSFET有哪些應用？

MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些應用？

2021-07-09 07:45:34

MOSFET的基本結構與工作原理

MOS柵結構是MOSFET的重要組成部分，一個典型的N溝道增強型結構示意圖如圖1所示。其中柵極、源極和漏極位于同一個平面內(nèi)，半導體的另一個平面可以稱為體端，所以在一些書籍和資料中，也將MOSFET

2024-06-13 10:07:47

MOSFET管詳解

在做電機驅(qū)動的時候很多人會用到MOSS管在這里詳細講解MOSFET管驅(qū)動電路

2016-01-20 14:15:56

MOSFET襯底結構

請問MOSFET的internal substrate和external substrate分別是什么意思？有何區(qū)別？

2016-08-15 17:31:26

詳解概述步進電機的分類與結構

步進電機詳解概述步進電機的分類、結構、原理單相步進電機2相步進電機概述根據(jù)電壓種類分類，可以分為AC和DC。根據(jù)旋轉(zhuǎn)速度以及電源頻錄之間的關系可以分為同步電機和異步電機。小型電機中步進電機的位置如下

2021-07-08 06:46:29

ARM應用系統(tǒng)開發(fā)詳解.pdf

ARM應用系統(tǒng)開發(fā)詳解，本書全面介紹arm知識結構、開發(fā)系統(tǒng)、應用教程、指令設計和開發(fā)工具知識等。本書是廣大arm學習愛好者不可缺少的軟件編程和硬件開發(fā)設計的最佳參考手冊

2011-08-29 11:17:06

DC/DC工作原理及芯片詳解

硬件設計:電源設計--DC/DC工作原理及芯片詳解參考資料：DC/DC降壓電源芯片內(nèi)部設計原理和結構MP2315(DC/DC電源芯片)解讀DC/DC電源詳解第一次寫博客，不喜勿噴，謝謝?。?！　　DC

2021-11-11 08:49:58

SiC-MOSFET功率晶體管的結構與特征比較

說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結構。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導通電阻，近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET

2018-11-30 11:35:30

SiC-MOSFET器件結構和特征

　　1. 器件結構和特征　　Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）?！　GBT

2023-02-07 16:40:49

USART初始化結構體詳解

USART 初始化結構體詳解標準庫函數(shù)對每個外設都建立了一個初始化結構體，比如USART_InitTypeDef，結構體成員用于設置外設工作參數(shù)，并由外設初始化配置函數(shù)，比如USART_Init

2022-02-22 06:08:41

cadence16.6約束規(guī)則設置詳解

cadence16.6約束規(guī)則設置詳解很全面

2015-04-18 14:27:33

【6.2】技術解讀（框架、場景案例解讀）

`技術解讀（框架、場景案例解讀）`

2021-06-04 17:12:32

【視頻】UX設計第一期：HarmonyOS超級終端體驗全解讀（一）

走近HarmonyOS設計背后的故事，全面介紹HarmonyOS設計指南與整體架構，解讀其設計哲學、設計原則及設計系統(tǒng)。

2021-12-01 11:22:13

一文解讀mosfet與igbt的區(qū)別

1,由于MOSFET的結構,通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。2,IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前IGBT硬開關速度可以到

2019-03-06 06:30:00

二極管全面詳解

二極管二極管全面詳解

2013-03-31 16:01:51

什么是HDMI AOC有源光纜？詳解HDMI 2.0 AOC結構特性

` 本帖最后由易飛揚通信于 2018-1-31 14:43 編輯什么是HDMI AOC有源光纜？詳解HDMI 2.0 AOC結構特性`

2017-08-28 14:02:51

從硅過渡到碳化硅，MOSFET的結構及性能優(yōu)劣勢對比

無不積極研發(fā)經(jīng)濟型高性能碳化硅功率器件，例如Cascode結構、碳化硅MOSFET平面柵結構、碳化硅MOSFET溝槽柵結構等。這些不同的技術對于碳化硅功率器件應用到底有什么影響，該如何選擇呢？首先

2022-03-29 10:58:06

功率MOSFET結構及特點

1 橫向雙擴散型場效應晶體管的結構功率MOSFET即金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor）有三個管腳，分別為

2016-10-10 10:58:30

功率MOSFET的結構特點是什么？為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個電阻？

功率MOSFET的結構特點為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個電阻呢？

2021-03-10 06:19:21

功率場效應管(MOSFET)的結構,工作原理及應用

`功率場效應管(MOSFET)的結構,工作原理及應用　　功率場效應管(MOSFET)的結構　　圖1是典型平面N溝道增強型場效應管(MOSFET) 的剖面圖。它用一塊P型硅半導體材料作襯底(圖la

2011-12-19 16:52:35

史上最全面示波器教材

由淺入深逐步介紹示波器的原理、使用，以及各性能術語詳解。實乃不可多得的教材之一，堪稱史上最全面的示波器介紹！

2012-08-01 20:51:11

基于MOSFET內(nèi)部結構設計優(yōu)化的驅(qū)動電路

，尤其是從來沒有基于MOSFET內(nèi)部的微觀結構去考慮驅(qū)動電路的設計，導致在實際的應用中，MOSFET產(chǎn)生一定的失效率。本文將討論這些細節(jié)的問題，從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動性能，提高整個系統(tǒng)的可靠性。`

2011-09-27 11:25:34

如何利用SET/MOSFET 混合結構的傳輸特性去設計數(shù)值比較器？

混合SET/MOSFET 結構與特性是什么？如何利用SET/MOSFET 混合結構的傳輸特性去設計數(shù)值比較器？

2021-04-13 07:12:01

如何對EEPROM的程序進行解讀

什么是間接尋址？查表的流程是怎樣的？如何對EEPROM的程序進行解讀？

2021-10-20 07:11:21

橋式拓撲結構功率MOSFET驅(qū)動電路設計

結構　　引言　　功率MOSFET以其開關速度快、驅(qū)動功率小和功耗低等優(yōu)點在中小容量的變流器中得到了廣泛的應用。當采用功率MOSFET橋式拓撲結構時，同一橋臂上的兩個功率器件在轉(zhuǎn)換過程中，柵極驅(qū)動信號

2018-08-27 16:00:08

汽車結構基本知識詳解(圖文)

2013-10-09 14:17:01

溝槽結構SiC-MOSFET與實際產(chǎn)品

本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極

2018-12-05 10:04:41

注冊表結構詳解

2009-03-05 15:06:09

電子書：功率MOSFET管的選型和電路設計方案

`本書介紹了功率器件MOSFET。功率MOSFET是一類導電溝道槽結構特殊的場效應管，它是繼MOSFET之后新展開起來的高效、功率開關器件。本書深入解讀了MOSFET的關鍵特性和指標，通過圖表讓讀者

2019-03-06 16:20:14

硬盤故障提示全面解讀

硬盤故障提示全面解讀　　硬盤最常見的故障就是引導型故障，即硬盤不能啟動等。出現(xiàn)引導型故障時，系統(tǒng)會有很多錯誤提示，我們?nèi)绻x懂了這些提示，對于解決硬盤問題也是非常有幫助的.　　1.錯誤提示：HDD

2011-02-27 16:39:11

超級結MOSFET

MOSFET和超級結MOSFET。簡而言之，就是在功率晶體管的范圍，為超越平面結構的極限而開發(fā)的就是超級結結構。如下圖所示，平面結構是平面性地構成晶體管。這種結構當耐壓提高時，漂移層會增厚，存在導通電阻增加

2018-11-28 14:28:53

功率MOSFET的結構和工作原理

功率MOSFET的結構和工作原理功率MOSFET的種類：按導電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道，增強型；對于N（P

2008-08-12 08:43:32

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復合量子點MOSFET結構存儲器的電路模擬

復合量子點MOSFET結構存儲器的電路模擬摘要:本文采用準經(jīng)典近似的Monte Carlo 方法對復合量子點MOSFET結構存儲器的等效單電子電路進行了模擬. 研究結果表明,由于

2010-05-11 16:37:41

計算機主板的結構詳解

計算機主板的結構詳解由于主板是電腦中各種設備的連接載體，而這些設備的各不相同的，而且主板本身也有芯片組，各種I/O控制芯片，擴展插槽

2009-04-26 17:37:51

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MOSFET的基本結構電路圖

圖所示為IR功率MOSFET的基本結構。圖中每一個六角形是一個MOSFET的原胞（cell）。正因為原胞是六角形的（hexangular）,因而IR常把它稱為HEXFET。功率MOSFET通常由許多個MOSFET原胞

2009-07-27 09:42:42

3698

全面解讀集線器

全面解讀集線器如果我們經(jīng)常接觸網(wǎng)絡，對作為構建局域網(wǎng)的基礎設備集線器應該不會陌生,但是對于集線器背后各方面的知識，我們又知道多

2009-08-01 09:49:23

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醫(yī)藥價格改革公布，各方影響全面解讀

醫(yī)藥價格改革公布，各方影響全面解讀時隔半月，猶抱琵琶半遮面的《改革藥品和醫(yī)療服務價格形成機制的意見》(下稱《意見》)，昨日終于正式發(fā)布。此前在11月9日

2009-11-30 11:01:42

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全面解讀環(huán)保標準之ROHS

全面解讀環(huán)保標準之ROHS 什么是RoHS？　　RoHS是由歐盟立法制定的一項強制性標準，它的全稱是《關于限制在電子電器設備中使用某

2010-01-18 10:24:37

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全面解讀環(huán)保標準之GreenGuard

全面解讀環(huán)保標準之GreenGuard 　綠色衛(wèi)士認證計劃通過模擬室內(nèi)環(huán)境來檢測產(chǎn)品中的甲醛排放量、揮發(fā)性有機物(VOCs)、乙醛、可吸入顆

2010-01-18 11:01:08

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Java開發(fā)利器Myeclipse全面詳解

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2015-11-06 11:17:11

電源連接環(huán)結構與特性解讀

電源連接環(huán)結構與特性解讀非常實用的技術文檔免費下載

2016-05-12 15:30:02

MOSFET的半橋驅(qū)動電路設計要領詳解

MOSFET憑開關速度快、導通電阻低等優(yōu)點在開關電源及電機驅(qū)動等應用中得到了廣泛應用。要想使MOSFET在應用中充分發(fā)揮其性能，就必須設計一個適合應用的最優(yōu)驅(qū)動電路和參數(shù)。在應用中MOSFET一般工作在橋式拓撲結構模式下，如圖1所示。

2016-10-09 19:03:55

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開關電源拓撲結構詳解

2017-01-14 11:18:14

天線結構及天線的制作方法的詳解

本文詳解了天線結構及天線的制作方法。

2017-11-15 15:50:42

《全面詳解LTE：MATLAB建模、仿真與實現(xiàn)》.PPT

全面詳解LTE：MATLAB建模、仿真與實現(xiàn)

2018-05-21 11:09:38

全面解讀人臉識別技術發(fā)展史

備受矚目的人臉識別技術浪潮席卷全球，今天，我們就來全面解讀人臉識別究竟是什么。

2018-07-16 17:39:29

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MOSFET的結構和重點參數(shù)介紹及應用前景如何？

-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，簡稱包括NMOS、PMOS等。本文帶大家熟悉一下MOSFET的結構和前景。

2018-09-15 11:46:04

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全面分析MOSFET狀況

以平面耗盡型N溝道MOSFET為例，基本結構如下圖所示。可以看到，從左到右為NPN的摻雜，在擴散作用下，會自然形成像圖中所示的深紅色的耗盡區(qū)(depletion region)，根據(jù)前面所述，耗盡區(qū)

2019-08-12 09:34:05

5730

全網(wǎng)最全面、最細致的EXPLAIN解讀

）。所以，我肝了將近一個星期，整理了一下。這應該是全網(wǎng)最全面、最細致的EXPLAIN解讀文章了，下面是全文。文章比較長，建議收藏。 TIPS 本文基于MySQL 8.0編寫，理論支持MySQL 5.0

2020-10-30 16:39:40

2960

一文詳解藍牙模塊原理與結構

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《一文詳解藍牙模塊原理與結構.pdf》資料免費下載

2020-11-26 16:40:29

MOSFET規(guī)格書解讀與參數(shù)詳解

MOSFET規(guī)格書解讀與參數(shù)詳解說明。

2021-06-23 09:32:35

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功率MOSFET基礎知識詳解

盡管分立式功率MOSFET的幾何結構，電壓和電流電平與超大規(guī)模集成電路（VLSI）設備采用的設計方式有極大的不同，它仍然采用了與VLSI電路類似的半導體加工工藝。

2022-02-08 15:59:06

MOSFET如何定義 MOSFET內(nèi)部結構詳解

功率MOSFET為多單元集成結構，如IR的HEXFET采用六邊形單元;西門子Siemens的SIPMOSFET采用正方形單元;摩托羅拉公司Motorola的TMOS采用矩形單元按品字形排列。

2022-08-04 15:35:07

4323

什么是MOSFET，MOSFET內(nèi)部結構原理

功率MOSFET為多單元集成結構，如IR 的HEXFET采用六邊形單元;西門子Siemens的SIPMOSFET采用正方形單元;摩托羅拉公司Motorola的TMOS采用矩形單元按品字形排列

2022-10-07 10:39:00

1351

全面解讀電子封裝工藝技術

2022-10-10 11:00:51

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多維度全面解讀集成電路相關技術

集成電路的歷史、產(chǎn)業(yè)分工、分類、設計、制造、封裝、測試等方面，多維度全面解讀集成電路產(chǎn)業(yè)鏈和相關技術。

2022-11-21 10:13:03

1031

SiC-MOSFET和功率晶體管的結構與特征比較

近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。

2023-02-08 13:43:19

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第三代雙溝槽結構SiC-MOSFET介紹

在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結構有利于降低導通電阻也備受關注。

2023-02-08 13:43:21

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SiC MOSFET：橋式結構中柵極源極間電壓的動作-SiC MOSFET的橋式結構

在探討“SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。

2023-02-08 13:43:23

971

SiC MOSFET的結構及特性

SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，

2023-02-16 09:40:10

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溝槽結構SiC MOSFET幾種常見的類型

SiC MOSFET溝槽結構將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復雜，單元一致性比平面結構差。但是，溝槽結構可以增加單元密度，沒有JFET效應，寄生電容更小，開關速度快，開關損耗非常低；而且

2023-02-16 09:43:01

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溝槽結構SiC-MOSFET與實際產(chǎn)品

在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。

2023-02-24 11:48:18

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SiC MOSFET的橋式結構及柵極驅(qū)動電路

下面給出的電路圖是在橋式結構中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導通的，為了防止HS和LS同時導通，設置了兩個SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時間。右下方的波形表示其門極信號（VG）時序。

2023-02-27 13:41:58

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