2021年6月，富士經濟對SiC（碳化硅）、Si（硅）功率半導體等下一代功率半導體的全球市場進行了調查。功率半導體市場預計到 2030 年將達到 40471 億日元，而 2020 年為 28043 億日元。

該調查針對使用SiC、GaN（氮化鎵）、Ga 2 O 3（氧化鎵）和 Si 功率半導體（例如 MOSFET 和 IGBT）的下一代功率半導體。我們還調查了與功率半導體相關的組件和制造設備市場。調查時間為2020年11月至2021年2月。

2020年，Si功率半導體將占功率半導體市場的大部分，達27529億日元。Si功率半導體在中國市場擴大，但在其他地區(qū)，汽車和工業(yè)設備的銷售額下降，與2019年相比下降了4.0%。從 2021 年開始，汽車和 5G（第 5 代移動通信）相關產品的需求有望增加，預計 2030 年將達到 37，981 億日元。

預計到 2030 年，下一代功率半導體市場將達到 2490 億日元，而 2020 年為 514 億日元。雖然市場規(guī)模仍然較小，但預計2021年后年增長率仍將接近20%。

Fuji Keizai將SiC 功率半導體、GaN 功率半導體和 Ga 2 O 3功率半導體列為未來功率半導體市場感興趣的產品。

SiC 功率半導體用于 SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）、SiC-FET 和 SiC 功率模塊。盡管 2020 年受到新型冠狀病毒感染的影響，但由于對信息和通信設備和太陽能發(fā)電的強勁需求，市場規(guī)模同比增長 9.6% 至 493 億日元。未來，汽車、鐵路車輛、能源設備、工業(yè)設備等的采用將增加，預計到2030年將達到1859億日元。

GaN 功率半導體市場預計到 2030 年為 166 億日元，而 2020 年為 22 億日元。數(shù)據中心和5G基站投資將繼續(xù)增加，信息通信設備領域有望保持堅挺。預計在2022年后安裝在xEV等汽車上。

Ga 2 O 3功率半導體的市場仍然很小，但預計到2021年開始量產時市場將達到2億日元。與SiC功率半導體和GaN功率半導體相比，具有高耐壓、低損耗等特點，可以降低成本。首先，它將用于消費設備和其他耐壓為600V的應用，預計2025年后將安裝在汽車上。2030年市場規(guī)模預計為465億日元。

此外，預計到 2030 年功率半導體相關組件市場為 3752 億日元，而 2020 年為 2068 億日元。2030年制造設備市場預計為3144億日元，2020年為1449億日元。中國和臺灣市場計劃大力資本投資，預計2021年后需求將主要在亞洲增長。

第三代半導體高速成長GaN功率元件今年產值可望大增9成

研調機構TrendForce調查指出，受惠車用、工業(yè)與通訊需求挹注，今年第三代半導體成長動能可望高速回升，又以GaN功率元件成長力道最明顯，預估其今年市場規(guī)模將達6100萬美元，年增幅高達90.6%。

2018 至2020 年，第三代半導體產業(yè)陸續(xù)受到中美貿易摩擦、疫情等影響，整體市場成長動力不足。不過，TrendForce 預期，首先，疫苗問世后疫情有所趨緩，將帶動工業(yè)能源轉換所需零組件如逆變器、變頻器等，及通訊基地臺需求回穩(wěn)；其次，隨著特斯拉Model 3 電動車逆變器逐漸改采SiC 元件制程后，第三代半導體于車用市場逐漸備受重視。

第三，中國政府為提升半導體自主化，今年提出十四五計畫，投入巨額人民幣擴大產能，三大因素都將成為推升今年GaN及SiC等第三代半導體高速成長的動能。

觀察各類第三代半導體元件，GaN元件目前雖有部分晶圓制造代工廠如臺積電、世界先進等，嘗試導入8吋晶圓生產，但目前主力仍以6吋為主。

TrendForce預估，因疫情趨緩，所帶動的5G基地臺射頻前端、手機充電器及車用能源傳輸?shù)刃枨笾鸩教嵘?，預期今年GaN通訊及功率元件營收分別達6.8億和6100萬美元，年增30.8%及90.6%。

其中，GaN 功率元件成長主要動能來自手機品牌如小米、OPPO、Vivo 率先推出快充，筆電廠商也有意跟進。TrendForce 預期，GaN 元件將持續(xù)滲透至手機與筆電配件，且年增率將在2022 年達到最高峰，后續(xù)隨著廠商采用逐漸普及，成長動能將略為趨緩。

SiC元件部分，由于通訊及功率領域皆需使用該基板，6吋晶圓供應吃緊，預估今年SiC元件于功率領域營收可達6.8億美元，年增32%。目前各大基板商如CREE、II-VI、意法半導體等已陸續(xù)開展8吋基板研制計畫，但仍有待2022年后，才有望逐漸紓緩供給困境。

編輯：jq