Q1：

為啥制造標(biāo)稱(chēng)值和電路設(shè)計(jì)推薦值不一樣？

Answer：

制造標(biāo)稱(chēng)值和電路設(shè)計(jì)推薦值不一致，可以參照下圖，“操作空間”在你的問(wèn)題上可以理解為“制造空間”。

Q2：

這個(gè)圖中，引起EOS的原因大概率是什么？EOS會(huì)導(dǎo)致打線脫落嗎？圖中標(biāo)記的銀色部分是燒傷后導(dǎo)致的嗎？放大圖左邊PAD打線的左側(cè)是明顯的一個(gè)EOS痕跡嗎？去層的目的是定位是哪層metal的損傷位置嗎，來(lái)判定是哪個(gè)器件導(dǎo)致了電流過(guò)大或者電壓過(guò)大的損傷？

Answer：

導(dǎo)致EOS的可能原因：過(guò)電了，metal層燒傷了。EOS不會(huì)打線脫落?？梢宰鱿翭IB和去層，找出失效點(diǎn)的位置。左邊PAD打線的左側(cè)，那個(gè)黑點(diǎn)應(yīng)該是EOS點(diǎn)。

一般不會(huì)，劇烈的爆炸是有可能的，當(dāng)然首先要排除封裝的問(wèn)題。封裝問(wèn)題需要借助SAT 和X-RAY來(lái)確認(rèn)。另外，從圖片來(lái)看PAD上脫線跟開(kāi)蓋清洗也有一定關(guān)系。

Q3：

burn-in有無(wú)規(guī)范？一般是按什么條件做呢？

Answer：

可以參考MIL-STD-883 METHOD 1015.11 BURN-IN TEST和JESD22-A108。

Q4：

一般的UV膜的在真空包裝和氮?dú)夤竦膌ifetime分別是多少？會(huì)用什么材料？

Answer：

DAF的life time僅供參考，詳細(xì)參考下圖。這是epoxy film，下面粘的是UV膜。DAF是代替非導(dǎo)電膠，CDAF是代替導(dǎo)電膠的，沒(méi)有bleed，主要用于疊die或者單芯片尺寸相對(duì)基島比較緊湊，可以使用。

Q5：

WLCSP封裝一般推薦哪些可靠性？目前有關(guān)于WLCSP可靠性驗(yàn)證相關(guān)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)嗎？有具體的條件嗎？

Answer：

WLCSP最容易出現(xiàn)的兩個(gè)情況：1、應(yīng)力把球給蹦掉了；2、球熔在一起短路了。

推薦做：precon， UHAST，HTSL，TC，詳細(xì)的標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試條件見(jiàn)下表。

Q6：

SWIO通訊口管腳損傷，能通過(guò)FA分析出來(lái)是過(guò)壓還是靜電導(dǎo)致嗎？

Answer：

過(guò)壓和靜電都會(huì)發(fā)生的。可能的原因是：芯片管腳靜電保護(hù)沒(méi)做好，而且該管腳容易和外界接觸，比如天線，那么就容易被靜電打壞。大概率可以通過(guò)FA手段判斷damage來(lái)源。

Q7：

有沒(méi)有可以看wafer map的軟件??？wafer map txt打開(kāi)亂碼怎么辦？

Answer：

UltraEdit好用，方便修改。文件可能不是txt的格式，UE有一個(gè)轉(zhuǎn)碼功能，把碼轉(zhuǎn)一下。要確認(rèn)下文件用什么編碼，如果解碼錯(cuò)了就會(huì)亂碼。

Q8：

多芯片版本芯片 mapping上都是bin1，怎么可以把mapping中某一種芯片改成bin1？

Answer：

上面大佬提及的UltraEdit 就可以改，操作和Excel類(lèi)似，全部替換即可，但是map里面有map說(shuō)明等信息，注意要還原回來(lái)。

Q9：

CUP的pad打線出現(xiàn)crack，但是os和function測(cè)試都o(jì)k，能量產(chǎn)出貨嗎 ？后續(xù)會(huì)有什么可靠性問(wèn)題嗎？頂層Al厚度1.2um，用了兩層metal，按理說(shuō)pad設(shè)計(jì)沒(méi)問(wèn)題，是封裝廠品控不行？

Answer：

肯定不能出貨，Crack會(huì)隨著時(shí)間惡化，最終器件早期失效。Pad打線出現(xiàn)的crack是在pad上，需要在pad上看下設(shè)計(jì)，有一種是底層為鋁做襯底，上層用Ti-Ni做導(dǎo)電傳導(dǎo)的，這種是可以的，我們做過(guò)可靠性，可以等效十年無(wú)異常。

Q10：

一般的device和CP測(cè)試的prober，對(duì)接地是否有特殊的要求。有沒(méi)有是直接接入辦公大樓接地極的，還是需要打獨(dú)立接地樁進(jìn)行接地？

Answer：

雙線，ESD一根，接地一根，都打樁。

Q11：

很多設(shè)備的電源地和機(jī)殼地一般都設(shè)備內(nèi)部短接了，這個(gè)接一根地線連接外部接地樁；ESD一根地線 是指設(shè)備提供作業(yè)員插靜電手環(huán)的孔嗎？

Answer：

雙線是大多數(shù)設(shè)備的基本方法，不管是prober還是別的設(shè)備，很多設(shè)備會(huì)有ESD口留著。

Q12：

SAT發(fā)現(xiàn)有嚴(yán)重分層，分層的原因可以根據(jù)SAT成像分析出來(lái)嗎？比如是水汽，EOS？

Answer：

一般SAT機(jī)臺(tái)是無(wú)法確認(rèn)delamination形成的緣由的。這個(gè)是要后續(xù)的FA來(lái)界定的。

Q13：

黃色的這部分怎么理解呢？

Answer：

樣品停止老化后，沒(méi)有能夠及時(shí)測(cè)試，那就要重新加應(yīng)力（溫度+電壓）一段時(shí)間后再測(cè)試確認(rèn)，測(cè)試前重新老化的時(shí)長(zhǎng)參照表1. 第一列中，未及時(shí)測(cè)試時(shí)間小于168小時(shí)，則需重新老化24小時(shí)或者未完成測(cè)試的時(shí)間的一半，如耽擱了100小時(shí)，那應(yīng)該再做50小時(shí)老化。

Q14：

這個(gè)圖片是Al剝離以后的吧？下面有個(gè)標(biāo)準(zhǔn)圖。

Answer：

結(jié)構(gòu)上沒(méi)啥問(wèn)題，如果是Al層去除后發(fā)現(xiàn)的crack，風(fēng)險(xiǎn)很大，想出貨的話建議做3x reflow，測(cè)試后有管控的出貨。如果發(fā)生在打線后，也需要看下彈坑，看看下面結(jié)構(gòu)上是不是也有問(wèn)題，如果彈坑fail，處理方式同上。

引起crack問(wèn)題很多，從你的圖片來(lái)看，需要確認(rèn)測(cè)試od，次數(shù)及重疊狀況，針卡類(lèi)型及清針?lè)绞剑蚓€參數(shù)等。這個(gè)風(fēng)險(xiǎn)較大，reflow后降級(jí)報(bào)廢最好。另外，3xreflow后還有新的fail，基本上不能用了，還是讓封裝廠去調(diào)參數(shù)吧。

Q15：

鍵合絲線材的更換一般需要對(duì)芯片做哪些可靠性試驗(yàn)?zāi)兀磕莻€(gè)鍵合力的試驗(yàn)BPS需不需要做呢？

Answer：

可靠性試驗(yàn)：TC，HAST， HTS， HTOL， PCT。另外，鍵合力的試驗(yàn)BPS也需要做。具體實(shí)驗(yàn)可參考下圖。

Q16：

芯片上SMT前如果開(kāi)封時(shí)間長(zhǎng)的話要進(jìn)行烘干，請(qǐng)問(wèn)做烘干是為了去除芯片外表面的水汽還是為了去除芯片內(nèi)部的水汽，內(nèi)部的水汽可以通過(guò)烘干去除嗎？

Answer：

通常對(duì)新封裝類(lèi)型是需要通過(guò)soaking/drying實(shí)驗(yàn)來(lái)得到準(zhǔn)確的baking condition： 取一定數(shù)量的fail 芯片先做soaking充分吸潮同時(shí)定期稱(chēng)重量，至到吸潮飽和，芯片總重量不再增加；然后再對(duì)這些芯片在某一高溫下做烘烤，定期稱(chēng)重量直到重量不會(huì)再減少。畫(huà)出芯片重量隨時(shí)間的變化曲線，就能定下來(lái)baking condition。

可以將烘烤的實(shí)驗(yàn)，想象成一個(gè)水果，如果被烘成水果干，是不是內(nèi)部和外部的水汽都被烘干。也可以找OSAT要一次這類(lèi)package的baking推薦溫度/時(shí)間條件。芯片內(nèi)部的水汽，應(yīng)該主要是導(dǎo)電膠吸濕吧，DB烘烤125度2H就夠了。

Q17：

我們有時(shí)發(fā)現(xiàn)熱點(diǎn)在某個(gè)電阻部位，但設(shè)計(jì)公司認(rèn)為是同一回路上其它地方器件損壞，而不是該電阻損壞。一般分析發(fā)現(xiàn)熱點(diǎn)的地方就一定是器件損壞的地方嗎？

Answer：

不一定。看你用的什么定位設(shè)備，OBIRCH和THERMOS的話，熱點(diǎn)和缺陷位置重合的概率高，尤其是Thermos。用EMMI的話，很多時(shí)候熱點(diǎn)和失效位置不重合，有時(shí)候還有假hotspots， 需要做layout tracing分析電路來(lái)進(jìn)一步定位。

Q18：

55nm LOW-K工藝一定要用激光劃片嗎？激光劃片成本比刀具劃片成本一般會(huì)高出多少？

Answer：

Low k建議用激光開(kāi)槽，否則chipping會(huì)很?chē)?yán)重。成本增加主要是激光保護(hù)液增加的成本，具體看chip size即劃片道長(zhǎng)度?；蛘呖梢灾苯觔lade saw，但是為了減少crack，需要feeding特別慢，不適合量產(chǎn)。

Q19：

一般哪些產(chǎn)品需要做EMC，MCU是否需要做這項(xiàng)？做MCU消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用需要達(dá)到什么等級(jí)，有什么標(biāo)準(zhǔn)可以參考？

Answer：

基本所有的電子產(chǎn)品都要做EMC，國(guó)內(nèi)的CCC，歐洲的CE，美國(guó)的FCC，澳洲的RCM都要做的。還有車(chē)規(guī)也要做EMC，季豐有條件自己做車(chē)規(guī)EMC。

編輯：jq