Q

芯片sleep電流20uA以上，懷疑是漏電，但做emmi卻沒發(fā)現(xiàn)熱點(diǎn)，而且做完emmi之后電流高達(dá)220uA，這是為什么？

A

可能分析過(guò)程導(dǎo)致樣品二次損壞了，這么小的漏電可以通過(guò)obirch仔細(xì)找找漏 電點(diǎn)，然后再進(jìn)一步分析和判斷失效原因。

Q

為什么BHAST采用差分輸入輸出的接法，原因是啥？并且都不用外接偏壓了？這種接法都不加偏壓了，是不是沒有電的加速了？為啥這種接法可以起到防止阻抗不匹配的問(wèn)題？

A

防止差分信號(hào)之間因?yàn)锽HAST 過(guò)程中電化學(xué)加速腐蝕速度的差異導(dǎo)致impedance mismatch，從而在芯片F(xiàn)T readout的時(shí)候出現(xiàn)fail。差分輸入輸出的接法，僅限于差分信號(hào)。你的芯片上應(yīng)該不至于全部都是差分信號(hào)吧，電源管腳和部分GPIO管腳是要加偏壓的。

導(dǎo)致阻抗不匹配的原因：差分信號(hào)的兩端狀態(tài)一致，腐蝕程度也一致。當(dāng)然，也可以不用這種推薦接法，和產(chǎn)品的designer 另外研究一種接法，能實(shí)現(xiàn)目的即可。

Q

目前發(fā)現(xiàn)很多已經(jīng)上板的芯片測(cè)試不良，而且已經(jīng)量測(cè)到不良端口，為什么到廠商那邊大部分分析為NTF，有哪幾種可能性？比如做過(guò)交叉實(shí)驗(yàn)，有些IC的時(shí)鐘信號(hào)，我們板端怎么都量測(cè)不到12M和24M信號(hào)，廠商那邊測(cè)試12M和24M都沒問(wèn)題，這就很奇怪。

A

建議先讓廠商復(fù)現(xiàn)問(wèn)題，這是最關(guān)鍵的。這個(gè)需要你們彼此了解測(cè)試的條件細(xì)節(jié)。有時(shí)模組廠為了省成本，改變BOM，也會(huì)導(dǎo)致質(zhì)量問(wèn)題?；蛘咦屑?xì)對(duì)比芯片每個(gè)管腳設(shè)置，有時(shí)不確定的floating會(huì)引起區(qū)別。芯片公司內(nèi)部，系統(tǒng)級(jí)測(cè)試還分 Scoket Board測(cè)試、SLT測(cè)試、Reference Board測(cè)試，有時(shí)候，這3者之間結(jié)果有時(shí)候也會(huì)不同。其實(shí)解決這個(gè)問(wèn)題很簡(jiǎn)單，我們只要能理解，判斷pass的標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)該是在使用環(huán)境的功能正常，因此，最接近使用環(huán)境的測(cè)試是Reference Board測(cè)試pass才能說(shuō)是pass。這一點(diǎn)系統(tǒng)廠商和芯片廠商可以達(dá)成一致。

可以從下面3個(gè)方面，嘗試解決測(cè)試的差異問(wèn)題：1、電源， 提高和降低電源，看看是否工作。2、管腳配置，比如Boot Strapping， Config管腳，看看是否和ATE一致，這點(diǎn)可以請(qǐng)廠商幫忙對(duì)比。3. 寄存器配置，如果需要配置的話，請(qǐng)廠商對(duì)比你們的寄存器和原廠的寄存器配置差異。若是你們的板子和他們自己的板子都復(fù)現(xiàn)了，基本就是芯片問(wèn)題。

Q

有一顆芯片采用LFBGA封裝，對(duì)ddr與usb差分信號(hào)提出了如下要求，結(jié)果封裝廠反饋說(shuō)要求過(guò)于嚴(yán)格要求放松，否則板廠可能不接單。請(qǐng)問(wèn)大家我們的要求合理嗎？封裝廠的說(shuō)法合理嗎？不知道對(duì)于DDR封裝阻抗一般是怎么要求的？對(duì)于差分信號(hào)線，是否卡控差分阻抗就可以了，不需要卡控單端阻抗？

A

每個(gè)芯片不一樣啊，單端、差分?jǐn)?shù)量不一樣，在一定層數(shù)下，有時(shí)候板廠無(wú)法同時(shí)滿足?？梢韵茸鲆幌?a target="_blank">仿真，當(dāng)阻抗出現(xiàn)偏差，然后看DDR的工作情況。+/-10%阻抗是比較容易控制的等長(zhǎng)比較容易。對(duì)于差分信號(hào)線，卡控差分阻抗就可以了。

Q

做solder bump時(shí)，UBM層設(shè)計(jì)為：Ti ： 1k? ，Cu：3k?，Cu：8um ，生產(chǎn)為：Ti ： 1k? ，Cu：3k?，Cu：5um，Ni：3um；電性與可靠性方面存在哪些差異？

A

Ni layer 是做為barrier layer，主要目的是防止cu 擴(kuò)散偏移，但是不加Ni 會(huì)導(dǎo)致IMC形成。

IMC的形成與發(fā)展，與焊料合金、基底金屬類型、焊接的溫度與時(shí)間以及焊料的流動(dòng)狀態(tài)有關(guān)。一般而言，在焊料熔點(diǎn)以下溫度，IMC的形成以擴(kuò)散方式進(jìn)行，速度很慢，其厚度與時(shí)間開方成正比；在焊料熔點(diǎn)以上溫度，IMC的形成以反應(yīng)方式進(jìn)行，溫度越高、時(shí)間越長(zhǎng)，其厚度越厚。普遍認(rèn)為，很厚的IMC是一種缺陷。因?yàn)镮MC比較脆，與基材（封裝時(shí)的電極、零部件或基板）之間的熱膨脹系數(shù)差別很大，如果IMC長(zhǎng)得很厚，就容易產(chǎn)生龜裂。

對(duì)于封裝基板上的Ni/Au鍍層，Ni層表面的鍍金厚度應(yīng)該小于0.08um， 太厚會(huì)阻礙IMC形成， Ni層的厚度本身不會(huì)影響IMC形成。一般來(lái)說(shuō)IMC層在2--4左右吧，根據(jù)不同情況而定。

Q

HAST試驗(yàn)后，有漏電流超標(biāo)，然后烘烤后，漏電流達(dá)到正常值，是否可以判定產(chǎn)品PASS？

A

不可以，hast之后有時(shí)間要求的，這個(gè)時(shí)間內(nèi)必須做ATE。另外，HAST實(shí)驗(yàn)考量芯片的封裝可靠性，HAST實(shí)驗(yàn)后，漏電超標(biāo)，說(shuō)明封裝是有問(wèn)題的。烘烤后，再去做ATE，這個(gè)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)就沒有意義。為了避免HAST的結(jié)果受環(huán)境影響，一般實(shí)驗(yàn)后，會(huì)做密封處理（不加干燥劑），盡量在48H內(nèi)做完ATE測(cè)試。詳細(xì)關(guān)于讀點(diǎn)的注意事項(xiàng)見下圖：

Q

QFN封裝IC，SMT焊接好壞的檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)，參考那個(gè)標(biāo)準(zhǔn)？

A

IC參考標(biāo)準(zhǔn)：SOLDERABILITY JESD22-B102E。SMT參考標(biāo)準(zhǔn)：IPC一610F。

Q

哪位有JESD671D-2018？

A

可以在JEDEC官網(wǎng)上檢索，都是免費(fèi)下載的。詳細(xì)網(wǎng)址：https://www.jedec.org/

Q

有沒有老化壽命和測(cè)試條件之間的關(guān)系的資料？

A

可以參考標(biāo)準(zhǔn)：JESD74， JESD85，JESED47。

Q

光器件接收側(cè)的APD電壓只有2.8V正常是45V，量APD對(duì)地阻抗是正常的，但是上電后電壓就不正常遠(yuǎn)低于45V，已經(jīng)排除輸入電壓的原因。準(zhǔn)備繼續(xù)查光器件內(nèi)部的APD雪崩二極管，問(wèn)題是為什么阻抗正常，電壓不正常？從哪里入手查呢？

A

先做測(cè)良品和不良品的BV-curve，看看漏電從哪起來(lái)的。看看曲線是線性還是指數(shù)，大概的解決思路就出來(lái)了。

Q

老化試驗(yàn)的早期失效率和等效使用時(shí)間計(jì)算中的Stress Temperature是對(duì)應(yīng)芯片結(jié)溫嗎？Normal Operating Temperature對(duì)應(yīng)規(guī)格書上的Operating Temperature上限嗎？

A

個(gè)人理解其實(shí)應(yīng)該是結(jié)溫，不過(guò)對(duì)于大部分不發(fā)熱的芯片或者加電功率很小的產(chǎn)品，環(huán)境溫度近似等于結(jié)溫。應(yīng)該是自生溫加上環(huán)境溫度。對(duì)于Si 產(chǎn)品沒有太大差異，但是對(duì)于功率器件，可就完全不一樣了哦。

溫度的定義可以參考標(biāo)準(zhǔn)：JEDEC74 ，或者參考下圖。

Q

對(duì)于功率器件，HTOL試驗(yàn)的環(huán)境溫度只要滿足結(jié)溫的要求就可以了嗎？

A

結(jié)溫一般由熱阻或者紅外測(cè)試出來(lái)，然后加上環(huán)境溫度也就是溫箱的環(huán)境溫度，就差不多是標(biāo)準(zhǔn)里要求的150℃了。

個(gè)人理解：規(guī)格書工作溫度應(yīng)該就是可靠性考核的溫度。要限定不同環(huán)境溫度下的工作電流極限，防止結(jié)溫超過(guò)這個(gè)溫度。下圖規(guī)格書中HTGB HTRB的可靠性溫度也是150℃。

Q

u/b hast，precon等可靠度報(bào)告中為什么不能放如器件sn#， date code， 前后比對(duì)的數(shù)據(jù)呢？有哪個(gè)規(guī)范中有明確么？

A

一般的報(bào)告是不放的，如果客戶有強(qiáng)烈的需求，那就跟人家說(shuō)清楚，客戶需求是重點(diǎn)。如果客戶非要要求，不得不放。若是ort 批次抽檢，需要寫明lot id。

編輯：jq