Q1
現(xiàn)在bga值球客戶退回來的,大家都是自己做的,還是交給封裝廠或客戶做的?
A
少量的樣品,可以手動單個球補(bǔ)的。較多的樣品,建議用植球工具加鋼網(wǎng)的方式植球?;蛘呶傅郊矩S做。
植球一般是BGA RMA回來,除了登記拍照外,F(xiàn)A步驟的第二步。不然I/V,ATE,都沒法復(fù)測。如果要solder到system bench上,reball更加需要。(不然打磨平也許ATE也可以用)。
關(guān)于植球,有兩個建議:一、植球或去除原來的solder ball之前一定要bake,建議bake 8小時125℃。bake,防止pop-corn效應(yīng),造成分層。很多本來沒有分層(delamination)的,由于熱操作造成二次損傷,樣品原本的失效模式就容易誤判;二、一定要用stencil,刮錫膏加熱風(fēng)槍,詳細(xì)方法可參考手機(jī)維修時的植球,抖音上很多。
Q2
先進(jìn)封裝產(chǎn)品可能由ESD造成的測試Fail?當(dāng)時送樣不規(guī)范,未做靜電防護(hù)。HTST168有1顆VOUT 失效,Precon有3顆失效,1顆IQ ,ISD失效,2顆 VOUT失效。應(yīng)該做怎樣的分析流程?我們這邊做了X RAY和SAT,表面觀察沒發(fā)現(xiàn)啥異常。
A
首先失效的樣品,要先確定失效樣品的顆數(shù)和封裝類型等,然后測下全pin腳的IV找到失效的管腳,可以再去倒推看下失效pin腳的x-ray 重點(diǎn)看下,也可以直接繼續(xù)分析die定位問題。TE測試結(jié)果看一下,明顯short,也可以快速的直接開蓋看下是否有燒傷。若是送樣不規(guī)范,造成樣品fail,建議重新做可靠性測試。
Q3
現(xiàn)場回來的電路板,上電后PA沒有功率輸出,用溫槍烘了一下又好了,可能是潮氣的原因也可能是焊接原因,如果是潮氣的原因怎么查能分析出芯片內(nèi)部有水?
A
可以先用SAT看看是不是分層,或者用x ray 看看有沒有虛焊。但是,SAT是不能驗(yàn)證潮氣,因?yàn)槌暡ㄊ悄艽┻^水的,但超聲波不能穿過空氣,只能看分層,不能看有沒有水。
檢查濕氣的方法:可以找個洗凈,烘干的透明玻璃杯子,一定要有密封的玻璃蓋子。把芯片放進(jìn)去,高溫下看看玻璃壁上有沒有水汽。或者用軍工上檢查水汽的檢漏儀,看看有沒有水汽?;蛘吣愕碾娐钒逶?20度環(huán)境下烘烤,如果烘烤前是壞的,烘烤后是好的,說明里面有水。因?yàn)?20度,錫不會融化,錫要260度才可能融化。
如果是水汽引起的,是否想出辦法從測試廠,攔截出這部分芯片,從封裝廠或者晶圓廠找到原因。畢竟這種芯片多了,引起客訴挺嚴(yán)重。
Q4
熱風(fēng)槍的溫度是400度,烘了幾秒鐘后好了。如果是水汽的話,400度芯片會不會爆掉?X-ray +紅墨水是破壞性的么?
A
一般不會的,芯片本身分層嚴(yán)重的,有可能會加劇分層,個人感覺是SMT的焊接溫度不夠虛焊導(dǎo)致的。如果擔(dān)心芯片有問題,可以用SAT、X-ray看看芯片有沒有分層。
X-ray不是破壞性的,紅墨水是破壞性的。
Q5
解釋一下這個測試的參數(shù)都是什么含義嗎?
A
condition看起來是電壓溫度條件,LVHT=low voltage high temperature。sample列應(yīng)該是說的芯片對應(yīng)corner。
Q6
CP或FT是否有專門針對芯片接口的功能測試pattern呢?比如驗(yàn)證芯片里的一個I2C接口或SGMII接口等。
A
對于ATE測試接口,這與芯片相關(guān)。I2C這種數(shù)字總線,可以通過pattern都寄存器來判斷。sgmii這種差分總線一般是通過prbs來判斷。也可以通過接口配置芯片,控制內(nèi)部寄存器,讀取寄存器,來驗(yàn)證接口。同時還可以測試芯片在不同配置下的各種功能和性能,就有覆蓋率了。
Q7
這種樣品怎么開封?一直用laser看到wire bonding ,然后再用酸?用什么酸好?
A
laser 太淺了,需要繼續(xù)腐蝕。本身塑封體很厚,所以需要盡可能的靠近die表面的,至少需要source的那根打線漏出來,再配合酸腐就可以了。像這種封裝的芯片die 是一般是低于2焊點(diǎn)的。
可以用x-ray 看下,Al不清楚的情況下側(cè)面去拍下,具體打線位置有個了解,用發(fā)煙硝酸來腐蝕。laser打到Al線脖頸處才停,再去滴酸。或者找季豐開封,即省事又有保證。
Q8
有誰知道在裸芯片上激光打標(biāo)用什么設(shè)備?有型號推薦嗎?
A
Si上要用綠色激光打標(biāo)機(jī)。設(shè)備:大族、德龍激光。
Q9
FCLAG產(chǎn)品SAT發(fā)現(xiàn)有異常,切片后發(fā)現(xiàn)有異物,成分分析主要為C、O、N(Al可能是制樣時帶入),大家?guī)兔Ψ治鱿庐愇锟赡苁鞘裁?,怎么產(chǎn)生的?
A
含N很有可能是CPD管道劃到的塑膠,或者晶背的Tape residual。UV的藍(lán)膜好像是含N的。
Q10
QFN封裝做完預(yù)處理后epad上錫發(fā)生移動,有部分聚集現(xiàn)象,表面高低不平,這是怎么會事情?會不會影響后面的環(huán)境實(shí)驗(yàn)和ATE?那高高低低的ATE測試會否影響?
A
若是QFN背面少量的錫因?yàn)榛亓鞲邷厝诨?,不影響后續(xù)的實(shí)驗(yàn),融錫是正常的。但是芯片的表面高低不平,會導(dǎo)致pad和socket的pogopin出現(xiàn)接觸問題,進(jìn)而影響后續(xù)的實(shí)驗(yàn)。
Q11
芯片pad之間的間距有沒有要求?
A
對邊間距10um以上。
Q12
汽車級芯片一般FT要幾個溫度?-40 機(jī)臺可以加么?CP作了數(shù)字掃描鏈檢測,F(xiàn)T還是需要再做一遍么?CP和FT的測試項(xiàng)有哪些異同?
A
汽車級芯片一般FT要3個溫度,handler一般可以到-55℃。
CP作了數(shù)字掃描鏈檢測,F(xiàn)T可以不做,如果出于成本考量,CP側(cè)重功能,F(xiàn)T側(cè)重連接性。還有一些是CP不方便測,看具體device,比如SiP的肯定要CP測試。具體的可以參考DFT覆蓋率和ATE覆蓋率,里面內(nèi)容都有定義的。
Q13
不做BTE了,直接就ATE有什么問題?
A
不能用ATE證明ATE。
Q14
如果測試覆蓋率不夠?qū)е率酆髥栴},是否就意味著推倒重來?;蛘咝麻_發(fā)一款代替舊款?
A
那就想辦法加test coverage。這個得自上而下理念。如果發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品有某些缺陷前期各種測試沒有覆蓋到,后面處理起來就辛苦了。如果能及時找到規(guī)避方案還好。
在我看來,TEST coverage對于模擬就是把所有的block根據(jù)邏輯的依賴關(guān)系全拉出來測一遍,數(shù)字做掃描鏈,IO全測,加OS,還有就是加一些過壓來看前后對比滅掉一些early failure。
還有,test case也要做全,考慮到各種應(yīng)用環(huán)境。測試時長要夠,抽樣量要夠。ATE和功能測試要匹配,測試指標(biāo)要驗(yàn)證充分。
Q15
汽車級要求多少個ppm失效?
A
目標(biāo)0,現(xiàn)在NXP 的標(biāo)準(zhǔn)是100PPB,100 PPB= 0.1PPM。
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原文標(biāo)題:季豐電子IC運(yùn)營工程技術(shù)知乎 – 21W30
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