接下來討論低閾值管子的優(yōu)勢。那么，MOSFET的導(dǎo)通閾值低，它的好處就說對信號的幅值要求就小了。假設(shè)MOSFET的導(dǎo)通閾值是1V 或者2V，那么一個(gè)3.3V的單片機(jī)就可以搞定了。

那么，我們也知道，高閾值的管子開通的上升沿是很長的，從關(guān)斷到完全開通需要t0-t4這個(gè)時(shí)間。那么低閾值MOSFET的好處就說，這個(gè)上升沿的時(shí)間變的更短。打個(gè)比方，假設(shè)高低閾值的兩個(gè)管子，它的上升沿斜率都是一樣的，那么，低閾值的管子，上升到開通閾值，花的時(shí)間就更短了，如下圖所示，比如低閾值管子需要T1的時(shí)間，高閾值管子需要T2這么長時(shí)間。

所以，從開通時(shí)間這個(gè)角度來說，低閾值的管子，開關(guān)頻率可以做到更高；高閾值的管子，開關(guān)頻率可以做的更低。那么有的芯片把MOSFET做在內(nèi)部，閾值做的很低，開關(guān)頻率可以做得更高，也就是這個(gè)道理。

接下來討論MOSFET的耐壓問題。比如說一個(gè)100V耐壓的管子，假設(shè)100V電壓上有一個(gè)毛刺，毛刺的峰值可以達(dá)到120V，把這個(gè)電壓加在MOSFET的漏極，MOSFET的漏極電壓是不是就是120V呢？我們說，是不會(huì)到120V的，漏極電壓依舊是100V。

MOSFET的漏極可以鉗位超過它的耐壓的電壓。那么，如果用一個(gè)120V的直流持續(xù)加在MOSFET兩端，這個(gè)MOSFET一定會(huì)熱壞掉，會(huì)把MOSFET擊穿。那么，一個(gè)120V的脈沖毛刺加在MOSFET兩端，電壓依舊是100V，但是管子會(huì)發(fā)熱嚴(yán)重，也有可能會(huì)壞掉。所以，要合理的管子的耐壓。對于低壓管子，放30V的余量就夠了；對于高壓管子，放50V的余量就夠了。這也要看MOSFET的標(biāo)稱耐壓值是多少，綜合考慮。

MOSFET 數(shù)據(jù)手冊

12N50 這是一個(gè)高壓MOSFET，12表示電流12A，50表示耐壓500V。

這里大概說一下，有的人對著數(shù)據(jù)手冊每個(gè)參數(shù)細(xì)節(jié)都要深扣，拼命的扣，這是一個(gè)好事，但問題是對于初學(xué)者來說，有沒有必要在現(xiàn)階段這么來做。就好比蓋一棟大樓，有幾種方式，打地基，搭框架，再搭隔層，再精裝修，這種更科學(xué)更合理，我們學(xué)習(xí)也應(yīng)該是這樣子?，F(xiàn)在最重要的是打基礎(chǔ)，搭框架。還一種方式，就是基礎(chǔ)一點(diǎn)一點(diǎn)的搭，搭了一點(diǎn)再搞精裝修，然后接下去再往后不斷地完善，這種方式肯定是耗時(shí)耗力，最終可能考慮不全，搭不好，人的精力是有限的，要在以后慢慢完善細(xì)節(jié)，這樣才能學(xué)的透。那么，接下來簡單的看一下數(shù)據(jù)手冊。

我們看datasheet，它的電流并不是12A，實(shí)際上只能達(dá)到11.5A。Rdson=0.65Ω，那么，有的管子Rdson能到達(dá)50~60mΩ。實(shí)際上對于高壓的管子來說，之所以能抗這么高的耐壓，內(nèi)部是很多個(gè)小MOSFET串聯(lián)在一起的，所以電阻會(huì)有點(diǎn)大的。我們看一個(gè)管子，第一看耐壓，其次看Id電流，第三看內(nèi)阻Rdson，如果電流大 內(nèi)阻小，那么這個(gè)管子也是偏貴的。如果低壓的管子，電流大，內(nèi)阻小，也是偏貴的。

那么這個(gè)管子650mΩ，性能不是特別的好，但是在有的場合也夠用了，這也要根據(jù)具體的電路去合理的選型，只要夠用就行。那么，我們也知道，一個(gè)MOSFET的Id電流和Rdson是有一個(gè)條件的，就說Vgs電壓，達(dá)到這個(gè)Vgs閾值電壓時(shí)，才能滿足這個(gè)參數(shù)，所以在用這顆管子時(shí)，Vgs電壓至少要高于10V才可以，那么這里可以用12V以上，對它的使用是沒有多大影響的。

一般半導(dǎo)體器件都是和溫度有關(guān)系的，所以，我們都默認(rèn)在25℃環(huán)境溫度下是這樣子的參數(shù)性能。實(shí)際上隨著環(huán)境溫度的變化，這些參數(shù)都會(huì)發(fā)生變化，但是總要標(biāo)一個(gè)靜態(tài)值，供大家選型參考。

這個(gè)管子的VGSS是±30V，但是也要知道，大部分的管子，它的VGSS是±20V。在實(shí)際使用中，Vgs電壓不能超過這個(gè)值，否則會(huì)損壞。

那么接下來看Id電流，它標(biāo)了2個(gè)參數(shù)，一個(gè)是在25℃ ，一個(gè)是在100℃。那么在設(shè)計(jì)的時(shí)候，需要考慮這個(gè)溫度因素，還要放一點(diǎn)余量。

IDM=46A，表示短時(shí)間內(nèi)可以抗這么大的電流。就好比一個(gè)人能短時(shí)間挑100斤的擔(dān)子，如果長時(shí)間工作挑100斤，肯定是承受不了的。

Pd=165W，表示在25℃下，能達(dá)到這么大的功率。再看下面的1.33W/℃，表示環(huán)境溫度每上升一度，功率減少1.33W。

dv/dt = 4.5 V/ns是體二極管的峰值反向恢復(fù)的電壓?？梢岳斫鉃樗艹惺艿膽?yīng)力。也就是說，這個(gè)MOSFET不能關(guān)斷的太快，如果關(guān)斷太快，很高的dv/dt會(huì)把MOSFET給沖壞掉。

Eas = 460mJ，表示MOSFET所能承受的最高的峰值沖擊能量，高于這個(gè)沖擊能量，就會(huì)損壞。

那么，下面的溫度-55℃~150℃，表示的是MOSFET在不通電情況下的存儲(chǔ)溫度。

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