chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

特斯拉、比亞迪旗艦轎車率先啟用的碳化硅器件,為什么這么火?

章鷹觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友原創(chuàng) ? 作者:章鷹 ? 2021-08-15 16:47 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

(電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道 文/章鷹)2021年以來,碳化硅器件上車的速度不斷加快,據(jù)記者不完全統(tǒng)計(jì),國內(nèi)已經(jīng)有10多家車企開啟碳化硅應(yīng)用大潮。

4月1日,蔚來采用SiC功率模塊的旗艦轎車ET7車身正式下線;4月21日,江淮汽車與博世簽訂了SiC逆變器方面的戰(zhàn)略協(xié)議;5月13日,比亞迪擴(kuò)建模塊生產(chǎn)線,對(duì)外招標(biāo)采購“SiC分選機(jī)”和“SiC測(cè)試機(jī)”;5月18日,一汽集團(tuán)合資企業(yè)蘇州億馬半導(dǎo)體的碳化硅模塊項(xiàng)目正式投產(chǎn),一期投資2億元。


圖:羅姆和吉利簽訂戰(zhàn)略協(xié)議,圖片來自羅姆官方微信

8月3日,吉利汽車宣布采用羅姆SiC器件;8月9日,鴻海宣布以25.2億臺(tái)幣(約合5.87億人民幣)收購?fù)晡挥谥窨频?英寸晶圓廠的交易落錘,預(yù)計(jì)今年年底完成交易產(chǎn)權(quán)。鴻海方面透露,買這個(gè)廠將用來開發(fā)與生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體,特別是電動(dòng)車使用的SiC功率器件。鴻海科技集團(tuán)董事長劉揚(yáng)偉稱,這將是集團(tuán)再3+3策略中,整合電動(dòng)汽車和半導(dǎo)體發(fā)展的里程碑。

為何業(yè)界都看好碳化硅器件在汽車上的應(yīng)用?碳化硅在性能上比較原有器件有哪些優(yōu)勢(shì)?中電化合物半導(dǎo)體有限公司副總經(jīng)理張昊翔給記者帶來了詳細(xì)的解讀。

張昊翔表示,具體到應(yīng)用層面,碳化硅器件的優(yōu)勢(shì)表現(xiàn)在三個(gè)方面:一、SiC器件的工作結(jié)溫在200度以上,工作頻率在100kHz以上,耐壓達(dá)到20kv,這些性能都優(yōu)于傳統(tǒng)硅器件,這點(diǎn)在電動(dòng)汽車的逆變器在大功率充電的時(shí)候,優(yōu)勢(shì)會(huì)比較明顯;二、SiC器件體機(jī)可以減小到IGBT整機(jī)的1/3到1/5,重量可以減小到40%-60%;三、SiC器件還可以提升系統(tǒng)的效率,進(jìn)一步提高性價(jià)比和可靠性。用SiC MOSFET替換硅基IGBT,不同工況下,功耗降低了60%~80%,效率提升了3%~10%。

碳化硅在工藝器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)非常的明顯,尤其是在電動(dòng)汽車,基本上碳化硅的器件應(yīng)用為主。以特斯拉Model3為例,它是第一家在Model3集成全SiC功率模塊的車企業(yè),工程設(shè)計(jì)部門直接與意法半導(dǎo)體合作,特斯拉逆變器由24個(gè)1-in-1功率模塊組成,這些模塊組裝在針翅式散熱器上。

比亞迪漢EV持續(xù)熱銷,這款新能源汽車裝備了最大轉(zhuǎn)速超過15000轉(zhuǎn)/分的高轉(zhuǎn)速驅(qū)動(dòng)電機(jī)總成,其電機(jī)控制器首次使用了比亞迪自主研發(fā)制造的高性能碳化硅功率模塊,這也是全球首家、國內(nèi)唯一實(shí)現(xiàn)在電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器中大批量裝車的SiC三相全橋模塊。比亞迪半導(dǎo)體有限公司功率半導(dǎo)體產(chǎn)品中心芯片研發(fā)總監(jiān)吳海平此前對(duì)媒體表示,IGBT和功率器件應(yīng)用市場(chǎng),中國市場(chǎng)占了大概一半的全球市場(chǎng)份額,但本土化供應(yīng)只有約10%。這兩年開始,隨著國家支持和行業(yè)發(fā)展,本土廠商開始在功率器件領(lǐng)域發(fā)力。

吳海平指出,比亞迪最早是在車用充電器中開始使用碳化硅器件,今年上市的漢EV車型上采用全碳化硅的碳化硅模塊在電驅(qū)系統(tǒng)里得到了應(yīng)用,漢車型有非常強(qiáng)勁的能力,百公里加速3.9秒,扭矩高達(dá)600多牛米,最大功率超過300多千瓦,這些驚艷的數(shù)據(jù)跟碳化硅器件的使用是密不可分的。他看好碳化硅材料在汽車領(lǐng)域的發(fā)展前景。

張昊翔認(rèn)為,目前價(jià)格是決定SiC何時(shí)在新能源電機(jī)控制器上批量使用的關(guān)鍵因素。續(xù)航里程500公里以上的高端SUV車和高端轎車會(huì)在2021年前后應(yīng)用SiC,小型SUV和中型轎車可能在2024年會(huì)開始應(yīng)用一部分SiC,低端車可能會(huì)在2025年之后。

本文為原創(chuàng)文章,作者章鷹,微信號(hào)zy1052625525,轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來源。如需入群交流,請(qǐng)?zhí)砑游⑿舉lecfans999,投稿發(fā)郵件到huangjingjing@elecfans.com.

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1291

    文章

    4453

    瀏覽量

    264566
  • 特斯拉
    +關(guān)注

    關(guān)注

    66

    文章

    6421

    瀏覽量

    131506
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3874

    瀏覽量

    70197
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    《氧化鋁、碳化硅、氮化硅,誰才是工業(yè)陶瓷老大?》

    如果非要在氧化鋁、碳化硅和氮化硅這三大工業(yè)陶瓷中選出一個(gè)“老大”,我們不妨借用一個(gè)形象的比喻來理解它們各自的“江湖地位”:坐鎮(zhèn)中樞的氧化鋁是“丞相”,攻城拔寨的碳化硅是“征北大將軍”,而銳不可當(dāng)
    發(fā)表于 04-29 07:23

    技術(shù)突圍與市場(chǎng)破局:碳化硅焚燒爐內(nèi)膽的氮化硅陶瓷升級(jí)路徑

    耐火材料與純碳化硅材料面臨極限挑戰(zhàn)時(shí),氮化硅陶瓷的技術(shù)指標(biāo)為這一領(lǐng)域提供了更具針對(duì)性的升級(jí)方案。 一、產(chǎn)品細(xì)節(jié):氮化硅陶瓷的技術(shù)優(yōu)勢(shì) 針對(duì)焚燒爐內(nèi)膽的實(shí)際工況,氮化硅陶瓷相較于常規(guī)
    發(fā)表于 03-20 11:23

    碳化硅 (SiC) MOSFET 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)與工程實(shí)踐

    在電力電子行業(yè)向高效化、高功率密度轉(zhuǎn)型的背景下,碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體的核心代表,正憑借其優(yōu)異的物理特性重塑功率器件市場(chǎng)格局。電子聚焦新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,代理并力
    的頭像 發(fā)表于 03-17 09:02 ?614次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b> (SiC) MOSFET 功率<b class='flag-5'>器件</b>熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)與工程實(shí)踐

    碳化硅器件在新能源汽車中的核心作用

    碳化硅(SiC)器件在新能源汽車中起到了非常核心的作用,尤其是在提升電能轉(zhuǎn)換效率、減小體積和重量、延長續(xù)航里程等方面,具有不可替代的優(yōu)勢(shì)。具體來說,碳化硅器件在以下幾個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)中發(fā)揮著
    的頭像 發(fā)表于 12-29 11:39 ?889次閱讀

    基于SiC碳化硅功率器件的c研究報(bào)告

    基于SiC碳化硅功率器件的一級(jí)能效超大功率充電樁電源模塊深度報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源
    的頭像 發(fā)表于 12-14 07:32 ?1732次閱讀
    基于SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的c研究報(bào)告

    探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)

    )、數(shù)據(jù)中心和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施日益增長的需求。相比傳統(tǒng)的硅器件,碳化硅技術(shù)更具優(yōu)勢(shì),尤其是在功率轉(zhuǎn)換效率和熱敏感性方面。碳化硅對(duì)電子、電力行業(yè)的整體影響可帶來更強(qiáng)的盈利能力和可持續(xù)性。 來自兩家行業(yè)領(lǐng)先半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 10-02 17:25 ?2007次閱讀

    [新啟航]碳化硅 TTV 厚度測(cè)量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢(shì)與創(chuàng)新方向

    一、引言 碳化硅(SiC)作為寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表,在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用??偤穸绕睿═TV)是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指標(biāo),其精確測(cè)量對(duì)保障
    的頭像 發(fā)表于 09-22 09:53 ?2027次閱讀
    [新啟航]<b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度測(cè)量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢(shì)與創(chuàng)新方向

    碳化硅功率器件的基本特性和主要類型

    隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的關(guān)注日益加深,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的半導(dǎo)體材料,正在快速崛起。SiC以其優(yōu)異的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和抗輻射性,成為現(xiàn)代電力電子技術(shù)中不可或缺的重要組成部分。本文將探討碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 09-03 17:56 ?1831次閱讀

    碳化硅在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用

    今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應(yīng)用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電器和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的商業(yè)可行替代品。
    的頭像 發(fā)表于 08-29 14:38 ?7401次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢(shì),在高壓、高頻、大功率的場(chǎng)景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?2033次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    碳化硅器件在工業(yè)應(yīng)用中的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

    隨著全球能源轉(zhuǎn)型、智能制造和高效電力系統(tǒng)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體器件在工業(yè)領(lǐng)域中的地位日益重要。近年來,第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC,SiliconCarbide)憑借其卓越的電學(xué)、熱學(xué)和機(jī)械性能
    的頭像 發(fā)表于 08-25 14:10 ?1972次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>在工業(yè)應(yīng)用中的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

    碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學(xué)性
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?1449次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點(diǎn)

    簡(jiǎn)述碳化硅功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域

    碳化硅(SiliconCarbide,SiC)是一種新興的半導(dǎo)體材料,因其優(yōu)越的電氣特性和熱穩(wěn)定性,正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅(Si)材料,成為功率器件領(lǐng)域的重要選擇。SiC功率器件以其高效率、高溫耐受性
    的頭像 發(fā)表于 06-18 17:24 ?1832次閱讀

    碳化硅功率器件在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用

    隨著全球汽車行業(yè)向電動(dòng)化、智能化和輕量化的快速轉(zhuǎn)型,碳化硅(SiC)功率器件以其優(yōu)越的性能,正日益成為汽車電子領(lǐng)域的重要組成部分。特別是在電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV)的各類應(yīng)用中,SiC
    的頭像 發(fā)表于 05-29 17:32 ?1416次閱讀

    基本半導(dǎo)體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025

    近日,全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會(huì)——PCIM Europe 2025在德國紐倫堡會(huì)展中心盛大開幕?;景雽?dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動(dòng)解決方案盛裝亮相,并隆重發(fā)布新一代碳化硅MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 05-09 09:19 ?1423次閱讀
    基本半導(dǎo)體攜<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>亮相PCIM Europe 2025