眾所周知

當乘坐地鐵、高鐵、飛機等公共交通時

都有一道必過的關(guān)卡

安檢

有人曾經(jīng)發(fā)帖調(diào)侃

“你們見過扎丸子頭過安檢嗎

連頭上的丸子都要捏一下的”

很多人不理解為什么檢查要這么嚴格

知乎有這樣一個熱門問題

問題的回答里令人震驚

你永遠不知道危險物品會被偽裝成什么樣

比如下的梳子

探查衣服內(nèi)的武器和違禁品，大家的固有思維可能會聯(lián)想到X光，但其實當今最佳手段之一要推太赫茲成像探測，這種新發(fā)展起來的技術(shù)，正在對未來的生活、醫(yī)療和安防產(chǎn)生巨大的影響。太赫茲光譜研究成像技術(shù)的發(fā)展，將使安保進入一種嶄新的境界。

這種頻率在0.1~10THz范圍內(nèi)的太赫茲波，波長是30μm~3mm范圍，處于微波與紅外輻射之間。它作為一種電磁波，對非金屬片材如塑料、陶瓷、紙板、棉布等穿透性很大，對于水等極性物質(zhì)會被吸收，對于金屬則幾乎無法穿透而被反射。這樣，平常攜帶的箱包、衣物在太赫茲射線下就會呈現(xiàn)透明狀態(tài)，而兇器中的金屬體和其他物體的形狀則會顯現(xiàn)，并且通過捕捉進入檢測的爆炸物、毒品等的光譜特征峰，形成太赫茲“指紋譜”，就能發(fā)現(xiàn)違禁品，大大提升了安全系數(shù) 。

那么這種具有巨大應用前景的太赫茲波從何產(chǎn)生呢？

量子級聯(lián)激光器

作為目前最重要的中遠紅外光源，量子級聯(lián)激光器頻率可拓展至太赫茲（THz），是重要的THz輻射源。

量子級聯(lián)激光器（Quantumcascade Laser，QCL）是基于半導體耦合量子阱子帶（一般為導帶）間的電子躍遷所產(chǎn)生的一種單極性光源。

量子指的是通過調(diào)整有源區(qū)量子阱的厚度可以改變子帶的能級間距，實現(xiàn)對波長的“裁剪”，另外也指器件的尺寸較小。級聯(lián)意思是有源區(qū)中上一組成部分的輸出是下一部分的輸入，一級接一級串聯(lián)在一起。激光器是指產(chǎn)生特定波長的光源。

作為全固態(tài)的電泵浦光源，QCL能實現(xiàn)高功率、窄線寬和連續(xù)發(fā)射， 是目前研究的熱門方向之一。

發(fā)展歷程

1971年，Kazarinov和Suris發(fā)現(xiàn)在半導體異質(zhì)結(jié)中， 電子在離散的子帶間躍遷可以實現(xiàn)受激輻射， 這為QCL的誕生提供了理論依據(jù)。世界上第一個QCL于1994年誕生于貝爾實驗室，F(xiàn)aist J.和 Capasso F.等人采用InAlAs/InGaAs/InP材料體系研制成，從此，QCL各方面的研究得到了迅速的發(fā)展。

其中，1997年分布反饋量子級聯(lián)激光器（DFB-QCL）研制成功，實現(xiàn)了波長為5.4μm和8μm的 DFB-QCL 的室溫工作；2002年波長為9.1μm量子級聯(lián)激光器成功問世并能夠在室溫連續(xù)工作，器件在292K時輸出功率達到17mW。這兩大發(fā)明可以被稱為QCL發(fā)展過程中兩個里程碑，充分奠定了后人在該領(lǐng)域取得巨大進展的基礎。

分類

量子級聯(lián)激光理論的創(chuàng)立及量子級聯(lián)激光器的發(fā)明，實現(xiàn)了半導體激光器的高特征溫度，獲得了高可靠性的中遠紅外波，以及高的輸出功率。一般而言，量子級聯(lián)激光器系統(tǒng)包括量子級聯(lián)激光模塊，控制模塊以及接口模塊。量子級聯(lián)激光器從結(jié)構(gòu)上來說，可以分為分布反饋（Distributed Feedback）QCL，F(xiàn)-P（Fabry-Perot）QCL 和外腔（External Cavity ）QCL 。

工作原理

與傳統(tǒng)半導體激光器相比，QCL最大的不同在于它是單極性激光器。QCL由多層量子阱結(jié)構(gòu)組成，每個單層的量子阱結(jié)構(gòu)都包括激發(fā)區(qū)和注入?yún)^(qū)。由于量子隧穿效應，電子會從一組耦合量子阱的注入?yún)^(qū)隧穿到另一組耦合量子阱的激發(fā)區(qū)，同時高能級的電子向低能級轉(zhuǎn)化，并釋放光子和能量。這樣，下一級同樣耦合量子阱結(jié)構(gòu)的注入電子就來自上一級結(jié)構(gòu)所發(fā)射出的光子，形成了QCL 的級聯(lián)結(jié)構(gòu)。

量子級聯(lián)激光器的有源工作層由有源區(qū)和注入?yún)^(qū)組成一個周期，有源區(qū)是耦合三量子阱結(jié)構(gòu)，注入?yún)^(qū)為遞變超晶格。圖中給出了有源區(qū)的電子子能級位置、波函數(shù)布局、注入?yún)^(qū)中的微帶、微帶隙位置及形狀。

圖中清楚地顯示了量子級聯(lián)激光器的有源工作層的基本物理過程。在外場作用下，有源區(qū)三個量子阱組成最低三個能級 n1，n2，n3。n3和n2能級為電子受激躍遷的上激發(fā)態(tài)能級和下激發(fā)態(tài)能級，通過對各阱的寬度和間隔進行調(diào)整，使n3和n2能級的能量差對應于所需激光器的激射波長，并使n2和n1能級的能量差E2－E1為一個光學聲子的能量；設計注入?yún)^(qū)中各阱的寬度和間隔，使在外場作用下注入?yún)^(qū)形成微帶和微帶隙，使微帶與同一周期有源區(qū)中的 n2 和n1能級對齊并與下一個周期有源區(qū)的n3能級對齊，使微帶隙與同一周期有源區(qū)n3能級對齊。在有源區(qū)n3能級上的電子受激躍遷到n2能級并發(fā)射光子，n2能級上的電子釋放一個光學聲子，通過共振輸運快速弛豫到n1能級，在聲子輔助下隧穿經(jīng)過注入?yún)^(qū)的微帶注入到下一個周期有源區(qū)的上激發(fā)態(tài)。重復上一周期的輸運物理過程，一級一級傳遞下去，通過級聯(lián)過程實現(xiàn)一個電子可發(fā)射和級數(shù)N相等的N個光子。

量子級聯(lián)激光器是基于量子阱中導帶子帶間的躍遷，激光的產(chǎn)生來源于電子從子帶的高能級向低能級的躍遷，一個電子可以產(chǎn)生 N 個光子，激射波長是由子帶的高能級和低能級差決定的，可以通過改變有源區(qū)量子阱的寬度，從而改變子帶的高能級和低能級差，最終改變激射波長，理論預測可覆蓋幾微米到幾百微米以上很寬的波長范圍。

優(yōu)勢

波長覆蓋范圍寬

量子級聯(lián)激光器從波長設計原理上與常規(guī)半導體激光器不同，常規(guī)半導體激光器的激射波長受限于材料自身的禁帶寬度，而 QCL 的激射波長是由導帶中子帶間的能級間距決定的，可以通過調(diào)節(jié)量子阱/壘層的厚度改變子帶間的能級間距，從而改變 QCL 的激射波長。從理論上講，QCL 可以覆蓋中遠紅外到 THz 波段。

單個激光器激射波長連續(xù)可調(diào)諧

對于各種氣體的檢測，需要激光器的波長精確平滑地從一個波長調(diào)諧到另一個波長。對于特定氣體的檢測，波長更需要精確的調(diào)節(jié)以匹配其吸收線，也稱為分子“指紋”。另外，通過波長調(diào)節(jié)以匹配氣體的第二條吸收線，可以用來作為第一條吸收線是否正確的判斷標準。單個激光器的激射波長可以通過改變溫度和工作電流進行調(diào)諧，已有技術(shù)通過改變激光器的工作溫度，得到波長 9μm 激光器中心頻率 0.9%的調(diào)諧范圍。而使用外置光柵，可以得到更寬的波長調(diào)諧范圍。

量子級聯(lián)激光器輸出功率較高

比起中紅外波段其它光源，QCL 的輸出功率較高。不同的激光氣體檢測應用中會需要不同的功率，故激光器的高功率工作是非常必要的。改變工作電流就可以改變激光器的輸出功率，高功率的激光器能夠提供的功率范圍大，可以滿足更多的應用場景。

QCL 輸出功率較高的原因可以歸結(jié)于其本身的有源區(qū)結(jié)構(gòu)設計，其電子利用效率較高。理論上一個電子可以產(chǎn)生與有源區(qū)級數(shù)相同的光子數(shù)，從而內(nèi)量子效率較高，輸出的功率也就越大。而常規(guī)的半導體激光器中，一個電子在與空穴相遇后僅輻射出一個光子。

閾值電流密度較低

常規(guī)半導體激光器是雙極性器件，導帶中的電子與價帶中的空穴復合生成光子，而量子級聯(lián)激光器是單極性器件，只靠導帶中子帶間電子的躍遷產(chǎn)生光子，如右圖所示，電子躍遷的始態(tài)與終態(tài)的曲線的曲率相同，這樣形成的增益譜很窄而且對稱，是量子級聯(lián)激光器能夠低閾值工作的一個原因。當然，QCL 的閾值電流密度也與有源區(qū)設計，材料生長以及器件結(jié)構(gòu)有關(guān)。

尺寸較小

量子級聯(lián)激光器的尺寸較小，如右圖所示，量子級聯(lián)激光器管芯的長度一般為 3mm，隨著激光器性能提高，可以將其封裝在方盒內(nèi)，從而方便地移動和操作。

應用

由于其獨特的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的性能，量子級聯(lián)激光器作為最重要的中紅外光源發(fā)揮著巨大的作用，同時頻率可拓展至太赫茲（THz）波段，也是重要的THz輻射源，本文開頭所述就是其廣泛應用之一。以下為電磁波頻段示意圖和各個頻段的應用。大多數(shù)原子、分子轉(zhuǎn)動振動躍遷在中紅外波段具有很強的特征吸收譜線，因此單模、寬波長調(diào)諧中紅外激光器在毒品和爆炸物監(jiān)測、環(huán)境污染監(jiān)測、醫(yī)學診斷等方面占有十分重要的地位，被認為是最理想的半導體吸收光譜儀光源。

隨著太赫茲QCL性能的進一步提高，其將具有更廣泛的應用。如，可以利用太赫茲QCL做成像設備，與微波相比，由于太赫茲波的波長短，具有更高的能量，穿透能力更強，成像也更清晰；太赫茲QCL還可用于太赫茲通信，由于太赫茲波段的頻帶寬是微波的 1000 倍，因此太赫茲通信有很廣闊的應用前景。近年來，太赫茲雷達因其具有信號帶寬大、分辨力高的優(yōu)勢，逐漸成為目標檢測和識別的重要設備，太赫茲雷達觀測的行人微多普勒特征可用于行人的檢測和識別、無人車和智能駕駛等。

結(jié)語

經(jīng)過以上介紹

相信大家對量子級聯(lián)激光器有了一定的了解

其帶來的太赫茲波

以及引申而來的太赫茲科學技術(shù)

將會帶來一場技術(shù)變革

我們期待著更先進技術(shù)的出現(xiàn)

編輯：jq