前兩期中，我們分別從歐美和日系兩大陣營解析了MOSFET主流玩家的主要產品。無論是一直以來以強橫實力始終保持平穩(wěn)的歐美廠商，還是銳意進取的日系廠商，都在技術水平和制造工藝上有各自的看家本領。本期將視線轉回國內，從國內的MOSFET主流玩家的產品實力來看看國產MOSFET器件競爭力如何。

半導體器件說到底需要解決的問題無外乎降低損耗以此實現(xiàn)更高效率的電氣轉換。材料、工藝、技術無不需要長時間的積累。歐美和日系廠商有先于國內的半導體器件發(fā)展，所以在MOSFET領域它們有很大的先發(fā)優(yōu)勢，這是不可忽視的客觀事實。依托國內龐大的本土市場，國內一大批先鋒企業(yè)奮起直追。

目前看來，在高端功率器件領域，國內玩家的競爭力還偏弱勢，而在中低端層次，競爭力還是相當強勁的。僅從MOSFET來說，國產MOSFET器件在中低壓應用領域實現(xiàn)進口替代的潛力巨大，2010年前后隨著手機快充、電動汽車、無刷電機和鋰電池的興起，中壓MOSFET需求激增，順應中壓MOSFET蓬勃發(fā)展的激流有很多友商都已經在此間做出了一番成績。市場格局和大家料想中的應該沒有太大出入，在很多行業(yè)中都是如此，中低端開始國產替代，只是在高端應用形成競爭力尚需時日。

華潤微電子MOSFET系列

華潤微電子的MOSFET產品在國內實力首屈一指，從營收和產品矩陣上來說是最大也最全的國內MOSFET廠商。旗下的MOSFET覆蓋-100V到1500V的低中高壓，這是少有國內企業(yè)能做到的。從技術上看，目前華潤微電子以Trench-MOS和SJ-MOSFET等為主。和國外主流廠商一樣，華潤微電子也是以IDM模式為主，無需代工就可獨立執(zhí)行產品制造的全部流程，在對成本的控制和對工藝及品控的改進上還是很有優(yōu)勢的。

目前華潤微電子在12V至300V和300V至900V兩個電壓范圍內的產品種類居多，是其競爭力最強的應用領域。以CS60N20ANR為例，該器件是200V的NMOS。

CS60N20ANR采用了self-aligned planar技術，降低了傳導損耗，改善了開關性能，同時還針對雪崩進行了增強，可以說完美適用各種功率的開關電路。直接在體現(xiàn)在參數(shù)上的指標也很完美，該器件的導通電阻做到了小于46mΩ。數(shù)據表中給出的柵極電荷和反向傳輸電容也很低，典型值只有56.9nC和46pF，對比國外廠商在同電壓級別的產品也不遑多讓。

1500V級的器件目前華潤微電子有三款，分別是CS3N150AKR、CS3N150AHR和CS3N150FA9R，在關鍵參數(shù)指標上三款相同，R_DS(ON)均為6.5Ω，Q_g為37.6nC，只是采用了不同的封裝。CS3N150AKR采用了TO-247，該封裝形式表現(xiàn)為耐壓高、抗擊穿能力強；CS3N150AHR是采用了TO-3P(H)；CS3N150FA9R則用了TO-220F全塑封裝，省去了絕緣墊。

士蘭微電子MOSFET系列

士蘭微電子在高壓智能功率模塊技術以及第三代功率半導體器件技術領域上處于國內領先地位。除了有5、6、8 英寸芯片穩(wěn)定運行的生產線，去年12英寸的生產線也開始試產。士蘭MOSFET以超結 MOSFET 和高密度溝槽柵 MOSFET這兩種為主，兼顧有屏蔽柵SGT MOSFET。

目前士蘭微電子MOSFET最高電壓同樣覆蓋至1500V，產品細分型號大概在四百種左右，覆蓋面還是比較廣的。從500V SVF28N50PN 來看，采用了士蘭微電子的F-Cell平面高壓VDMOS 工藝技術制造，先進的工藝及條狀的原胞設計結構使得該產品具有較低的導通電阻、優(yōu)越的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量。

先看最主要的導通阻值R_DS(ON)，在V_GS為10V工況下典型值為0.15Ω，Q_g也控制的不錯，為92nC。SVF28N50PN在創(chuàng)新高壓技術下，在dv/dt能力和峰值電流能力上表現(xiàn)出優(yōu)于同行的出色。高的雪崩擊穿耐量也給了產品足夠的可靠度。

1500V系列的五款MOSFET在指標上和華潤微相差不大。導通電阻最大值6.5Ω，柵極電荷40nC，關鍵性能指標上國內頭部廠商水平基本持平。五款高壓產品也是采用了不同的封裝來適用不同場景。

吉林華微MOSFET系列

華微擁有4英寸、5英寸與6英寸等多條功率半導體分立器件及IC芯片生產線，產品種類基本覆蓋功率半導體器件全部范圍，在IDM模式的國內企業(yè)中實力不俗。華微以低壓MOS，超結MOS等新型功率半導體器件為主線的發(fā)展定位，向高端領域發(fā)展，同時布局布局碳化硅、氮化鎵寬禁帶半導體，用技術迭代增強競爭力。

從500V系列的JCS10N50FC性能指標就能看出在華微的技術實力。這個系列的柵極電荷極低，僅為29nC。

單從柵極電荷這一指標上來看，這毫無疑問是國際最頂尖的水準。雖然在導通阻值上0.75Ω肯定是會稍稍遜色于此前提到的其他同類產品，但足以體現(xiàn)華微在MOSFET領域深耕多年醞釀的高技術水平。該系列開關速度快，同時抗dv/dt能力很高以及100%雪崩測試，在產品可靠性穩(wěn)定性上很有保障。

高壓領域上華微的三款JCS3AN150 WA/CA/BA/SA、JCS3AN150 AA、JCS3AN150 FA有多種不同的晶體管外形封裝工藝。

給出多種引出腳數(shù)量和距離不同的封裝方式，極大增強客戶應用MOSFET的靈活性。圖中TO-263是TO-220的一個變種，主要目的是為了提高生產效率和散熱，支持極高的電流和電壓。

性能指標上8Ω的導通阻值和37nC柵極電荷與其他各家持平。

小結

本期主要選取了IDM模式廠商的幾款產品，還有很多國內廠商的優(yōu)秀產品本文掛一漏萬。

功率半導體可以說是中國半導體產業(yè)發(fā)展和崛起的一個突破口。不管目前國內MOSFET廠商市占如何，各國產企業(yè)的優(yōu)質產品都表現(xiàn)出媲美國際大廠的工藝技術水平。有如此強勁的國產實力，剩下需要的是時間，以及對細節(jié)更精準的管制。