chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

特斯拉、比亞迪、蔚來等都用了 碳化硅產業(yè)站上風口

lPCU_elecfans ? 來源:電子發(fā)燒友網 ? 作者:李彎彎 ? 2021-11-11 09:58 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

電子發(fā)燒友網報道(文/李彎彎)近年來,電動汽車的銷量持續(xù)快速提升,從中國市場來看,中汽協(xié)公布數據顯示,今年前三季度,我國新能源汽車產銷量分別達216.6萬輛和215.7萬輛,分別同比增長1.8倍和1.9倍。中國汽車工業(yè)協(xié)會副總工程師許海東預計,今年新能源汽車銷量有可能突破300萬輛。

全球新能源汽車總銷量連月大漲,根據統(tǒng)計數據,今年9月,全球新能源汽車銷量達到68.5萬輛,創(chuàng)下最新記錄,至此全球新能源市場占有率首次突破10%大關,達到10.2%,9月同比增幅達到98%。

10月統(tǒng)計數據還未公布,不過從個別企業(yè)數據的增長來看,仍然強勁,比亞迪日前公布10月銷量,當月新能源車型銷量達到80003臺,同比增長262.9%,連續(xù)刷新月銷紀錄。上汽集團10月新能源汽車銷量76988 輛,同比增長58%,也是再創(chuàng)紀錄。

當前,從特斯拉、到比亞迪、蔚來等品牌,都在電動汽車中都在逐步采用碳化硅產品,來提升汽車的性能、功耗等,未來隨著電動汽車市場滲透率逐步提高,預計碳化硅產業(yè)也將站上風口。

特斯拉、比亞迪、蔚來等車企陸續(xù)采用碳化硅產品

碳化硅(SiC)是典型的第三代寬禁帶半導體材料,具有開關速度快,關斷電壓高和耐高溫能力強等優(yōu)點,在電動汽車上,SiC功率半導體主要用于驅動和控制電機的逆變器、車載DC/DC轉換器、車載充電器等。

目前特斯拉、比亞迪以及蔚來已經正式推出了碳化硅相關產品,特斯拉是最早嘗試在電動汽車上使用碳化硅芯片的廠商,特斯拉在其Model3車型上,將SiC MOSFET用在主驅逆變器電力模塊上,共24顆,每顆封裝里面有兩個SiC Die,應該說是共有48顆SiC MOSFET。

在國內車企中,比亞迪在漢EV車型已經開始使用自主研發(fā)的SiC MOSFET,搭載SiC MOSFET的電機控制器,使?jié)hEV四驅高性能版百公里加速度達到3.9秒,比采用IGBT 4.0芯片的唐EV的4.4秒高于0.5秒。據報道,預計到2023年,比亞迪將在旗下的電動車中,全面采用SiC功率器件。

蔚來日前也宣布在ET7車型中應用SiC功率模塊,實現了更強的加速和更長的續(xù)航,百公里加速3.9秒。吉利也表示采用了基于SiC功率器件的控制器,吉利自研的碳化硅功率芯片,預計將于2023年量產。另外通用、豐田、小鵬、一汽等車企也都提出了采用碳化硅產品的規(guī)劃。

深受車企追捧 碳化硅使電動汽車充電效率大幅提升

對于電動汽車來說,續(xù)航和充電是需要重點關注的兩個點,近幾年電動汽車的續(xù)航已經有很大提升,從原來的200km左右到現在最大超過700km,而如何提升充電效率成了當前需要解決的難題。

過去大部分車型的動力電池系統(tǒng)額定電壓都是400V,當前越來越多的廠商推出800V高電壓平臺,因為相比之下,800V電壓能夠使汽車充電效率有較大提升。最早在2019保時捷實現了800V高電壓量產,之后吉利、比亞迪、通用、小鵬都推出了800V高電壓平臺。

通常允許使用的電壓范圍上限為系統(tǒng)額定電壓的115%~120% ,動力電池額定電壓為400V的時候,充電時電壓基本在500V以內,比如奧迪e-tron,額定電壓是396V,使用150kW的直流快充樁充電,充電電壓最高451.9V,峰值電流為248A,絕大部分電動車30分鐘左右充電30-80%。

800V高電壓的時候,比如小鵬在800V高壓平臺下,充電峰值電流大于600A,電驅最高效率將大于95%,充電5分鐘就可以實現200km的續(xù)航。長安在800V電驅平臺下,充10分鐘可以補能200km續(xù)航。

碳化硅具有耐高壓、耐高溫、高頻等優(yōu)勢,更適合用于800V電壓,深受電動汽車廠商追捧,對于800V及以上高電壓平臺,電機逆變器是關鍵,在400V平臺中基本采用硅基IGBT,在800V平臺中車企普遍采用SiC MOSFET,相較于前者,SiC MOSFET可以使整體系統(tǒng)效率提高8%,而且尺寸和重量也大幅縮小。

電動汽車發(fā)展 有望推動碳化硅產業(yè)更加快速發(fā)展

近幾年碳化硅在業(yè)界的探索下,正在快速發(fā)展,然而從當前來看,碳化硅產業(yè)當前也確實存在亟待解決的問題,一是成本過高,二是產能不足。

業(yè)內人士表示,碳化硅當前的成本還較高,要下降到跟硅硅接近,還需要幾年時間。產能方面,目前全球SiC晶圓產能大約只有40到60萬片,什么概念?比如特斯拉Model 3,如果把所有器件都換成SiC,平均兩輛車要消耗一片6英寸SiC晶圓,特斯拉預計會在2022年交付輛達到100萬輛,那么這時候如果SiC產能沒有提升,也就是說全球產能只夠特斯拉使用。

目前全球碳化硅的供貨格局還不夠完善,廠商主要在美國、歐洲、日本,美國企業(yè)占據全球碳化硅產量的70%-80%,歐洲擁有完整的碳化硅襯底、外延、器件以及應用產業(yè)鏈,日本在設備和模塊開發(fā)方面領先。在SiC外延片市場,美國Wolfspeed、DowCorning和II-VI三家公司大概占到80%;在SiC襯底市場,Wolfspeed、II-VI、日本昭和電工合計市占率超過75%。

中國在碳化硅SiC襯底和外延片方面較為薄弱,不過近年來在市場需求的推動下,越來越多廠商進入碳化硅產業(yè)鏈領域,比如天科合達、天岳等襯底材料廠商,瀚天天成、東莞天域等外延片廠商,比亞迪、斯達、泰科天潤、基本半導體等器件廠商,另外三安光電已經實現全流程國產化。

三安光電旗下的三安集成于2018 年12月公布商業(yè)版本的6英寸碳SiC 晶圓制造流程。三安集成SiC 工藝技術可以為650V、1200V 和更高額定電壓的肖特基勢壘二極管(SBD)提供器件結構,以及900V、1200V和更高額定電壓的SiC MOSFET 產品。今年6月湖南三安半導體基地一期項目正式點亮投產,將打造國內首條、全球第三條碳化硅垂直整合產業(yè)鏈,可月產3萬片6英寸碳化硅晶圓。

當前碳化硅的應用市場還很小,不過從車企對碳化硅的追捧程度來看,在電動汽車領域,碳化硅一定有很大的應用趨勢,如今電動汽車正在快速發(fā)展,隨著更多廠商將碳化硅應用在汽車上,在大規(guī)模市場需求的推動下,碳化硅產業(yè)必然會在產能和成本上逐步提升,事實上碳化硅與硅在成本上的差距正在快速縮小,五年前碳化硅還是硅芯片的10被,現在差不多只有兩倍差距。

小結

電動汽車的爆發(fā)式增長,實際上是將碳化硅產業(yè)的發(fā)展推向了風口,行業(yè)巨頭Wolfspeed(原名Cree)指出,預計2022年,碳化硅在電動車用市場空間將快速增長,達到24億美元,而在2017年的時候碳化硅的整體收入才700萬美元,也就是說會有接近350倍的增長。

今年以來明顯看到越來越多的廠商進入碳化硅賽道,包括不少車企自己進行碳化硅產品的研發(fā)和生產中,比如一汽、比亞迪、江淮和長城等,也有一些傳統(tǒng)芯片廠商通過收購入場,比如安森美日前才完成對碳化硅(SiC)生產商GTAT的收購,瑞薩也宣布收購一家領先的碳化硅功率半導體制造商UnitedSiC。預想未來幾年,碳化硅產業(yè)將在電動汽車市場需求推動和產業(yè)鏈廠商積極入局下,不斷取得突破性進展。

聲明:本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng),轉載請注明以上來源。如需入群交流,請?zhí)砑游⑿舉lecfans999,投稿爆料采訪需求,請發(fā)郵箱huangjingjing@elecfans.com。

編輯:jq

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 電動汽車
    +關注

    關注

    156

    文章

    12612

    瀏覽量

    236856
  • MOSFET
    +關注

    關注

    151

    文章

    9661

    瀏覽量

    233479
  • 半導體
    +關注

    關注

    339

    文章

    30725

    瀏覽量

    264040
  • 晶圓
    +關注

    關注

    53

    文章

    5408

    瀏覽量

    132280
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    32

    文章

    3720

    瀏覽量

    69386

原文標題:特斯拉、比亞迪、蔚來等都用了,碳化硅產業(yè)站上風口!

文章出處:【微信號:elecfans,微信公眾號:電子發(fā)燒友網】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    200mm碳化硅襯底厚度與外延厚度的多維度影響

    我們能將碳化硅 (SiC) 襯底厚度推進到多薄而不影響性能?這是我們幾十年一直在追問的問題,同時我們也在不斷突破碳化硅 (SiC) 材料性能的極限——因為我們知道下一代碳化硅 (Si
    的頭像 發(fā)表于 02-11 15:03 ?178次閱讀
    200mm<b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底厚度與外延厚度的多維度影響

    探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)

    作者:Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動脫碳的基石。碳化硅是高級電力系統(tǒng)的推動劑,可滿足全球對可再生能源、電動汽車 (EV
    的頭像 發(fā)表于 10-02 17:25 ?1761次閱讀

    [新啟航]碳化硅 TTV 厚度測量技術的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向

    一、引言 碳化硅(SiC)作為寬禁帶半導體材料的代表,在功率器件、射頻器件領域發(fā)揮著關鍵作用??偤穸绕睿═TV)是衡量碳化硅襯底及外延片質量的重要指標,其精確測量對保障碳化硅器件性
    的頭像 發(fā)表于 09-22 09:53 ?1788次閱讀
    [新啟航]<b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度測量技術的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向

    SiC碳化硅功率半導體:電力電子行業(yè)自主可控與產業(yè)升級的必然趨勢

    SiC碳化硅功率半導體:電力電子行業(yè)自主可控與產業(yè)升級的必然趨勢 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產業(yè)升級
    的頭像 發(fā)表于 09-21 20:41 ?603次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率半導體:電力電子行業(yè)自主可控與<b class='flag-5'>產業(yè)</b>升級的必然趨勢

    碳化硅在電機驅動中的應用

    今天碳化硅器件已經在多種應用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲能系統(tǒng)、電動汽車充電器和電動汽車領域的商業(yè)可行替代品。
    的頭像 發(fā)表于 08-29 14:38 ?7120次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>在電機驅動中的應用

    碳化硅器件的應用優(yōu)勢

    碳化硅是第三代半導體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結構穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數瓶頸,直接促進了新能源
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?1634次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應用優(yōu)勢

    激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測量中的精度提升策略

    摘要 本文針對激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測量中存在的精度問題,深入分析影響測量精度的因素,從設備優(yōu)化、環(huán)境控制、數據處理多個維度提出精度提升策略,旨在為提高碳化硅襯底 TTV 測量準確性
    的頭像 發(fā)表于 08-12 13:20 ?1082次閱讀
    激光干涉法在<b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底 TTV 厚度測量中的精度提升策略

    碳化硅晶圓特性及切割要點

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導體材料中氮化鎵、碳化硅應用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?1171次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術應用打造
    發(fā)表于 06-25 09:13

    國產SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構

    到IDM模式的戰(zhàn)略轉型 國產SiC碳化硅功率半導體企業(yè)發(fā)展歷程詮釋了中國半導體產業(yè)的轉型升級路徑。國產SiC碳化硅功率半導體企業(yè)創(chuàng)立初期采用Fabless模式,專注于 芯片設計與市場開拓 ,但很快意識到IDM(集成設計制造)模式
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?1168次閱讀

    破浪前行 追光而上——向國產SiC碳化硅MOSFET產業(yè)勞動者致敬

    破浪前行 追光而上——向國產SiC碳化硅MOSFET產業(yè)勞動者致敬 值此五一勞動節(jié)之際,我們向奮戰(zhàn)在國產碳化硅(SiC)MOSFET產業(yè)一線的科研人員、工程師、生產工人以及所有推動行業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 05-06 10:42 ?623次閱讀
    破浪前行 追光而上——向國產SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET<b class='flag-5'>產業(yè)</b>勞動者致敬

    碳化硅功率器件有哪些特點

    隨著全球對綠色能源和高效能電子設備的需求不斷增加,寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車領域的應用不斷拓展,成為現代電子技術的
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?1257次閱讀

    低劣品質碳化硅MOSFET的濫用將SiC逆變焊機直接推向“早衰”

    低質量碳化硅MOSFET對SiC碳化硅MOSFET逆變焊機新興品類的惡劣影響 低質量碳化硅MOSFET的濫用,可能將這一本應引領焊機產業(yè)升級的SiC
    的頭像 發(fā)表于 04-14 07:02 ?854次閱讀
    低劣品質<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET的濫用將SiC逆變焊機直接推向“早衰”

    碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&amp;A

    碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動汽車、可再生能源、高頻電源領域展現出顯著優(yōu)勢,隨著國產碳化硅MOSFET技術、成本及供應鏈都日趨完善,國產SiC
    的頭像 發(fā)表于 03-13 11:12 ?1874次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&amp;A

    為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現硅到碳化硅的過渡?

    電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅
    發(fā)表于 03-12 11:31 ?999次閱讀
    為什么<b class='flag-5'>碳化硅</b>Cascode JFET 可以輕松實現硅到<b class='flag-5'>碳化硅</b>的過渡?