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破浪前行 追光而上——向國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動者致敬

楊茜 ? 來源:jf_33411244 ? 作者:jf_33411244 ? 2025-05-06 10:42 ? 次閱讀

破浪前行 追光而上——向國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動者致敬

值此五一勞動節(jié)之際,我們向奮戰(zhàn)在國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)業(yè)一線的科研人員、工程師、生產(chǎn)工人以及所有推動行業(yè)進(jìn)步的勞動者致以崇高的敬意!是你們的智慧與汗水,讓中國在第三代半導(dǎo)體變革浪潮中勇立潮頭;是你們的堅(jiān)守與創(chuàng)新,為電力電子行業(yè)自主可控的宏圖鋪就基石。

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET,SiC功率模塊驅(qū)動板,驅(qū)動IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務(wù)中國工業(yè)電源,電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級!

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭:

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢!

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和高壓平面硅MOSFET的必然趨勢!

傾佳電子楊茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢!

以"三個必然"為舵,駛向自主可控的星辰大海

在"雙碳"目標(biāo)驅(qū)動下,電力電子行業(yè)正經(jīng)歷百年未有之變局。SiC碳化硅MOSFET以其耐高壓、高頻高效、低損耗的顛覆性性能,成為這場變革的核心引擎。傾佳電子楊茜提出的"三個必然"趨勢,正是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從追趕者向引領(lǐng)者跨越的宣言:

第一必然:模塊化替代的突圍之戰(zhàn)
當(dāng)SiC MOSFET模塊以更高效率、更小體積全面取代傳統(tǒng)IGBT和IPM模塊,我們見證的不僅是技術(shù)迭代,更是中國新能源汽車、工業(yè)電源等戰(zhàn)略領(lǐng)域擺脫進(jìn)口依賴的關(guān)鍵一躍。每一塊國產(chǎn)SiC模塊的量產(chǎn),都是對"卡脖子"技術(shù)封鎖的有力回?fù)簟?/p>

第二必然:單管器件的彎道超車
從IGBT單管到高壓硅MOSFET,國產(chǎn)SiC MOSFET單管以更優(yōu)的開關(guān)性能和系統(tǒng)可靠性,正在重塑光伏逆變器、軌道交通、智能電網(wǎng)的競爭格局。這是中國企業(yè)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域從"替代者"向"標(biāo)準(zhǔn)制定者"轉(zhuǎn)型的里程碑。

第三必然:低壓場景的全面革新
650V SiC MOSFET單管對超結(jié)MOSFET和GaN器件的替代,標(biāo)志著中國企業(yè)在消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心等萬億級市場掌握主動權(quán)。這場技術(shù)革命背后,是無數(shù)工程師在材料、工藝、封裝上的千萬次實(shí)驗(yàn)與突破。

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自主可控:一場必須打贏的產(chǎn)業(yè)攻堅(jiān)戰(zhàn)

在全球化逆流與技術(shù)壁壘高筑的今天,國產(chǎn)SiC MOSFET的崛起承載著更深層的使命:

供應(yīng)鏈安全之錨:從襯底材料到芯片設(shè)計(jì),從模塊封裝到驅(qū)動集成,全產(chǎn)業(yè)鏈的國產(chǎn)化讓中國高端制造不再受制于人;

產(chǎn)業(yè)升級之劍:SiC器件的高效節(jié)能特性,直接推動新能源汽車?yán)m(xù)航提升15%、充電速度翻倍、工業(yè)設(shè)備能耗降低30%,這是中國實(shí)現(xiàn)綠色轉(zhuǎn)型的核心抓手;

國際競爭之盾:當(dāng)我們的SiC MOSFET批量應(yīng)用于海外客戶的供應(yīng)鏈時,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)真正擁有了全球話語權(quán)。

致敬勞動者:你們是追光路上的破浪者

在這個屬于勞動者的節(jié)日里,我們尤其感懷:

實(shí)驗(yàn)室里徹夜不眠的科研團(tuán)隊(duì),在SiC晶圓柵氧可靠性攻關(guān)中寫下中國力量;

車間里精益求精的技工師傅,用先進(jìn)封裝工藝定義世界標(biāo)準(zhǔn);

應(yīng)用前線的工程師們,在新能源汽車電控系統(tǒng)、儲能變流器PCS、伺服驅(qū)動器,光伏逆變器,工業(yè)變頻器,風(fēng)電變流器中驗(yàn)證中國方案的可靠性。

正是這些平凡而偉大的身影,讓"中國芯"在SiC的藍(lán)海中乘風(fēng)破浪。你們用雙手托起的不僅是半導(dǎo)體器件,更是一個民族產(chǎn)業(yè)挺起的脊梁。

未來已來,唯創(chuàng)新者勝!
當(dāng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)版圖因SiC技術(shù)重構(gòu)時,中國勞動者正以敢為人先的勇氣、十年磨一劍的定力,在這場世紀(jì)變革中刻下東方印記。讓我們繼續(xù)攜手,以"三個必然"為指引,在自主可控的道路上砥礪前行——因?yàn)槊恳活w國產(chǎn)SiC MOSFET芯片的誕生,都是對"勞動創(chuàng)造未來"最生動的詮釋!

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致敬每一位國產(chǎn)SiC產(chǎn)業(yè)追光者,五一勞動節(jié)快樂!

審核編輯 黃宇

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