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激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測量中的精度提升策略

新啟航半導(dǎo)體有限公司 ? 2025-08-12 13:20 ? 次閱讀
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摘要

本文針對激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測量中存在的精度問題,深入分析影響測量精度的因素,從設(shè)備優(yōu)化、環(huán)境控制、數(shù)據(jù)處理等多個維度提出精度提升策略,旨在為提高碳化硅襯底 TTV 測量準(zhǔn)確性提供理論與技術(shù)支持。

引言

隨著碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,對碳化硅襯底質(zhì)量要求日益嚴(yán)苛,晶圓總厚度變化(TTV)作為關(guān)鍵質(zhì)量指標(biāo),其精確測量至關(guān)重要。激光干涉法憑借非接觸、測量速度快等優(yōu)勢,在碳化硅襯底 TTV 厚度測量中得到廣泛應(yīng)用。然而,受設(shè)備性能、環(huán)境因素、樣品特性等影響,測量精度仍有待提高。探索有效的精度提升策略,對保障碳化硅襯底生產(chǎn)質(zhì)量、推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。

影響激光干涉法測量精度的因素分析

設(shè)備自身因素

激光干涉儀的光源穩(wěn)定性、光學(xué)元件精度對測量精度影響顯著。光源波長波動、光束發(fā)散角變化會導(dǎo)致干涉條紋畸變;光學(xué)元件的表面粗糙度、面形誤差會引入額外的光程差,造成測量偏差。此外,干涉儀的信號采集與處理系統(tǒng)的分辨率和采樣頻率不足,也難以捕捉微小的厚度變化,影響測量精度。

環(huán)境因素

環(huán)境溫濕度、振動、空氣流動等因素會干擾激光干涉測量。溫度變化會引起光學(xué)元件熱脹冷縮,改變光程;濕度變化可能導(dǎo)致光學(xué)元件表面結(jié)露或腐蝕,影響光學(xué)性能;振動和空氣流動會使干涉條紋抖動,導(dǎo)致數(shù)據(jù)采集不準(zhǔn)確。

樣品因素

碳化硅襯底的表面形貌、反射率差異會影響干涉效果。表面粗糙度高、存在劃痕或污漬的襯底,會使反射光發(fā)生散射,降低干涉條紋對比度;不同區(qū)域反射率不一致,會導(dǎo)致光強信號波動,影響厚度測量準(zhǔn)確性。

精度提升策略

設(shè)備優(yōu)化

選用穩(wěn)定性高的激光光源,如半導(dǎo)體穩(wěn)頻激光器,確保波長穩(wěn)定性在 ±0.01nm 以內(nèi)。對光學(xué)元件進(jìn)行高精度加工和嚴(yán)格篩選,定期清潔和校準(zhǔn),減少元件誤差。升級信號采集與處理系統(tǒng),提高分辨率和采樣頻率,例如將采樣頻率提升至 10kHz 以上,以更精確地捕捉干涉條紋變化。

環(huán)境控制

搭建恒溫恒濕、防震的測量環(huán)境。將測量室溫度控制在(23±0.5)℃,濕度保持在 40% - 60% RH;采用氣浮隔振平臺和減震地基,隔離外界振動干擾;安裝空氣凈化裝置和防風(fēng)罩,減少空氣流動對測量的影響。

數(shù)據(jù)處理改進(jìn)

采用數(shù)字濾波算法對采集到的干涉數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)處理,去除噪聲干擾,如使用中值濾波、小波濾波等方法,提高數(shù)據(jù)信噪比。引入機器學(xué)習(xí)算法,如卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(CNN),對干涉條紋圖像進(jìn)行分析,自動識別和校正因樣品表面形貌引起的測量誤差,實現(xiàn)更精準(zhǔn)的厚度計算。

高通量晶圓測厚系統(tǒng)運用第三代掃頻OCT技術(shù),精準(zhǔn)攻克晶圓/晶片厚度TTV重復(fù)精度不穩(wěn)定難題,重復(fù)精度達(dá)3nm以下。針對行業(yè)厚度測量結(jié)果不一致的痛點,經(jīng)不同時段測量驗證,保障再現(xiàn)精度可靠。?

wKgZPGdOp6mAKTtWAAMZ0sugoBA420.png

我們的數(shù)據(jù)和WAFERSIGHT2的數(shù)據(jù)測量對比,進(jìn)一步驗證了真值的再現(xiàn)性:

wKgZO2g-jKKAXAVPAATGQ_NTlYo059.png

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)

該系統(tǒng)基于第三代可調(diào)諧掃頻激光技術(shù),相較傳統(tǒng)雙探頭對射掃描,可一次完成所有平面度及厚度參數(shù)測量。其創(chuàng)新掃描原理極大提升材料兼容性,從輕摻到重?fù)絇型硅,到碳化硅、藍(lán)寶石、玻璃等多種晶圓材料均適用:?

對重?fù)叫凸瑁删珳?zhǔn)探測強吸收晶圓前后表面;?

點掃描第三代掃頻激光技術(shù),有效抵御光譜串?dāng)_,勝任粗糙晶圓表面測量;?

通過偏振效應(yīng)補償,增強低反射碳化硅、鈮酸鋰晶圓測量信噪比;

wKgZO2g-jKeAYh0xAAUBS068td0375.png

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)

支持絕緣體上硅和MEMS多層結(jié)構(gòu)測量,覆蓋μm級到數(shù)百μm級厚度范圍,還可測量薄至4μm、精度達(dá)1nm的薄膜。

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(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)

此外,可調(diào)諧掃頻激光具備出色的“溫漂”處理能力,在極端環(huán)境中抗干擾性強,顯著提升重復(fù)測量穩(wěn)定性。

wKgZO2d_kAqAZxzNAAcUmXvDHLM306.png

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)

系統(tǒng)采用第三代高速掃頻可調(diào)諧激光器,擺脫傳統(tǒng)SLD光源對“主動式減震平臺”的依賴,憑借卓越抗干擾性實現(xiàn)小型化設(shè)計,還能與EFEM系統(tǒng)集成,滿足產(chǎn)線自動化測量需求。運動控制靈活,適配2-12英寸方片和圓片測量。

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