三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù);據(jù)悉,2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞(GAA)晶體管技術(shù),相比第二代
發(fā)表于 11-19 15:34
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(2330)長(zhǎng)期規(guī)劃美國(guó)新廠后續(xù)將導(dǎo)入2nm與更先進(jìn)制程,三星加入戰(zhàn)局加上英特爾獲得奧援,2nm以下制程競(jìng)爭(zhēng)在美國(guó)更加白熱化。 ? 韓國(guó)媒體
發(fā)表于 09-02 11:26
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蘋果稱正與三星公司在奧斯汀的半導(dǎo)體工廠合作,開發(fā)一種創(chuàng)新的新芯片制造技術(shù)。 在新聞稿中蘋果還宣布了將追加1000億美元布局美國(guó)制造,這意味著蘋果公司未來(lái)四年對(duì)美國(guó)的總投資承諾達(dá)到600
發(fā)表于 08-07 16:24
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搭載。 三星Exynos 2600采用十核心設(shè)計(jì)(1個(gè)超大核 + 3個(gè)大核 + 6個(gè)小核);超大核主頻高達(dá)3.55GHz,采用最新的Arm
發(fā)表于 07-31 19:47
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深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購(gòu)適用于三星S21指紋模組?;厥?b class='flag-5'>三星指紋排線,收購(gòu)三星指紋排線,全國(guó)高價(jià)回收三星指紋排線,專業(yè)求購(gòu)指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
較為激進(jìn)的技術(shù)路線,以挽回局面。
4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40% 的良率,這高于
發(fā)表于 04-18 10:52
次公開了?SF1.4(1.4nm?級(jí)別)工藝,原預(yù)計(jì)?2027?年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時(shí)的說(shuō)法,SF1.4?將納米片的數(shù)量從?3?個(gè)增加到?4?個(gè)
發(fā)表于 03-23 11:17
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次公開了 SF1.4(1.4nm 級(jí)別)工藝,原預(yù)計(jì) 2027 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時(shí)的說(shuō)法,SF1.4 將納米片的數(shù)量從 3 個(gè)增加到 4 個(gè)
發(fā)表于 03-22 00:02
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據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來(lái),每年都在改進(jìn)技術(shù)。
發(fā)表于 03-12 16:07
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據(jù)最新消息,臺(tái)積電正計(jì)劃加大對(duì)美國(guó)亞利桑那州工廠的投資力度,旨在推廣“美國(guó)制造”理念并擴(kuò)展其生產(chǎn)計(jì)劃。據(jù)悉,此次投資將著重于擴(kuò)大生產(chǎn)線規(guī)模,為未來(lái)的3nm和2nm等先進(jìn)工藝做準(zhǔn)備。
發(fā)表于 02-12 17:04
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正式發(fā)布了Galaxy S25系列手機(jī),并在活動(dòng)尾聲意外預(yù)告了Galaxy S25 Edge。該機(jī)采用超薄機(jī)身+雙攝的外觀設(shè)計(jì),真機(jī)圖片也已公布。據(jù)一位三星高管在發(fā)布會(huì)后透露,公司計(jì)劃在2025年4月
發(fā)表于 01-24 10:23
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工廠和華城S3工廠。盡管投資規(guī)模有所縮減,但三星在這兩大工廠的項(xiàng)目推進(jìn)上并未止步。 平澤P2工廠方面,三星計(jì)劃將部分3nm生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換到更為先
發(fā)表于 01-23 11:32
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據(jù)DigiTimes報(bào)道,三星電子對(duì)重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級(jí)DRAM(1b DRAM)的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前,ETNews曾有報(bào)道稱,三星電子內(nèi)部為解決12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨
發(fā)表于 01-23 10:04
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據(jù)韓媒報(bào)道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間推遲了半年。原本,三星計(jì)劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,以達(dá)到結(jié)束開發(fā)工作、順利進(jìn)入量
發(fā)表于 01-22 15:54
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近日,據(jù)韓媒最新報(bào)道,三星電子在面對(duì)其12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時(shí),已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上,全面重新
發(fā)表于 01-22 14:04
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評(píng)論