TPHR7404PU

做電源設(shè)計的工程師朋友都知道，MOSFET由于其快速開關(guān)，導通電壓低等特性，在電源設(shè)計中應用的非常廣泛。但是使用MOSFET時易出現(xiàn)的尖峰電壓會增加EMI（電磁干擾）的問題，這是讓萬千工程師們比較頭痛的一件事。如果電磁干擾非常嚴重的話，會導致產(chǎn)品的故障率直線上升，造成不可估量的損失。那么如何降低MOSFET的尖峰電壓呢？

東芝為了解決MOSFET引起尖峰電壓的問題，采用最新一代（數(shù)據(jù)截止于2021年1月）MOSFET制造工藝U-MOSIX-H，推出了一款低尖峰型MOSFET——TPHR7404PU。

一電氣特性分析

TPHR7404PU具有以下特點：

采用最新一代U-MOSIX-H制造工藝，具有低尖峰電壓特性，在降低電源EMI方面極具優(yōu)勢；卓越的低導通電阻（數(shù)據(jù)截止于2021年1月，與具有相同最大額定值的產(chǎn)品相比），RDS（ON）＝0.74mΩ（最大值）@VGS＝10V；低柵極驅(qū)動電壓，最低以6V就可以驅(qū)動其正常工作；采用SOP Advance封裝，為小型化產(chǎn)品做足準備。

具體參數(shù)如下：

（除非另有規(guī)定，@Ta＝25℃）

二結(jié)構(gòu)特性分析

TPHR7404PU采用東芝第9代U-MOSIX-H結(jié)構(gòu)，是具有低壓溝槽結(jié)構(gòu)的新型低尖峰電壓型MOSFET。第9代U-MOSIX-H系列可以提供一系列低尖峰型和高效型產(chǎn)品，其主要應用于各種電源（AC-DC和DC-DC電源）電路設(shè)計方案，同時也可以應用于電機控制設(shè)備或者是電機驅(qū)動等產(chǎn)品之中。

U-MOSIX-H主要優(yōu)勢有以下兩點，第一，其導通電阻非常低，有助于降低電源的導通損耗，提高電源效率；第二，利用U-MOSIX-H工藝制造出的MOSFET能夠抑制開關(guān)操作中漏極和源極之間所產(chǎn)生的尖峰電壓，所以，非常適用于要求低EMI的開關(guān)電源二次同步整流，或者是重視EMI方面，需要降低EMI的各種電機驅(qū)動等產(chǎn)品。

三應用場景

TPHR7404PU由于其特殊的U-MOSIX-H結(jié)構(gòu)，以及卓越的低導通電阻優(yōu)勢，所以可以被應用于各種電源（高效AC-DC轉(zhuǎn)換器、高效DC-DC轉(zhuǎn)換器等）電機控制設(shè)備（電機驅(qū)動等）。

作為一家在半導體MOSFET應用方面深耕多年的全球科技型企業(yè)，東芝半導體憑借著對電子市場敏銳的洞察能力和不斷地創(chuàng)新的研發(fā)精神，持續(xù)向業(yè)界輸出高性能的MOSFET產(chǎn)品，這對于有降低EMI需求的電源與電機控制等設(shè)備的選型和參考都極具價值。

編輯：jq