東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。三款器件于今日開始支持批量出貨。

三款新產(chǎn)品是東芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面貼裝TOLL封裝，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封裝相比，可將器件體積銳減80%以上，并提升設(shè)備功率密度。

此外，TOLL封裝還具有比通孔封裝更小的寄生阻抗[2]，從而降低開關(guān)損耗。作為一款4引腳[3]封裝，支持對其柵極驅(qū)動的信號源端子進行開爾文連接。這減少封裝內(nèi)部源極線電感的影響，實現(xiàn)高速開關(guān)性能；在TW048U65C的外殼中，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品[5]相比，其開通損耗降低約55%，關(guān)斷損耗降低約25%[4]，有助于降低設(shè)備功耗。

未來東芝將繼續(xù)擴大其SiC功率器件產(chǎn)品線，為提高設(shè)備效率和增加功率容量做出貢獻。

第3代SiC MOSFET封裝產(chǎn)品線

測量條件：VDD＝400V、VGS＝18V/0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH、Rg（外部柵極電阻）＝4.7Ω

續(xù)流二極管采用各產(chǎn)品源極及漏極間的二極管。（東芝截至2025年8月的比較）

圖1：TO-247與TOLL封裝的導(dǎo)通損耗（Eon）和關(guān)斷損耗（Eoff）比較

應(yīng)用

服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等中的開關(guān)電源

電動汽車充電站

光伏逆變器

不間斷電源

特性

表面貼裝TOLL封裝，實現(xiàn)設(shè)備小型化和自動化組裝，低開關(guān)損耗

東芝第3代SiC MOSFET

1）通過優(yōu)化漂移電阻與溝道電阻比，實現(xiàn)漏源導(dǎo)通電阻的良好溫度依賴性

2）低漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷

3）低二極管正向電壓：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）

主要規(guī)格

（除非另有說明，Ta＝25°C）

注：

[1] 截至2025年8月。

[2] 電阻、電感等。

[3] 一種信號源終端靠近FET芯片連接的產(chǎn)品。

[4] 截至2025年8月，東芝測量的值。請參考圖1。

[5] 采用TO-247封裝且無開爾文連接的、具有同等電壓和導(dǎo)通電阻的第3代650V SiC MOSFET。

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