薄膜集成電路是使用了薄膜工藝在藍(lán)寶石、石英玻璃、陶瓷、覆銅板基片上制作電路元、器件及其接線,最后進(jìn)行封裝而成的。
集成電路薄膜沉積工藝可以分為三類,為物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)和外延。
薄膜混合集成電路需要用的基片有多種,一般用得最多的是玻璃基片,其次是微晶玻璃和被釉陶瓷基片,有時也用藍(lán)寶石和單晶硅基片。
薄膜工藝中包括了蒸發(fā)、濺射、化學(xué)氣相淀積等。特點(diǎn)為電阻、電容數(shù)值控制較精確。
在薄膜電路中常見的有導(dǎo)電、電阻、介質(zhì)和絕緣薄膜四種薄膜,導(dǎo)電薄膜的作用是互連線、焊接區(qū)和電容器極板。電阻薄膜的作用是形成微型電阻。介質(zhì)薄膜的作用是當(dāng)微型電容器的介質(zhì)層。絕緣薄膜用作交叉導(dǎo)體的絕緣和薄膜電路的保護(hù)層。
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