固態(tài)薄膜因獨特的物理化學性質與功能在諸多領域受重視,其厚度作為關鍵工藝參數(shù),準確測量對真空鍍膜工藝控制意義重大,臺階儀法因其能同時測量膜厚與表面粗糙度而被廣泛應用于航空航天、半導體等領域。費曼儀器
發(fā)表于 09-05 18:03
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半導體測量設備主要用于監(jiān)測晶圓上膜厚、線寬、臺階高度、電阻率等工藝參數(shù),實現(xiàn)器件各項參數(shù)的準確控制,進而保障器件的整體性能。橢偏儀主要用于薄膜工藝監(jiān)測,基本原理為利用偏振光在薄膜上、下
發(fā)表于 07-30 18:03
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氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜。
發(fā)表于 06-24 09:15
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導語薄膜晶體管(TFT)作為平板顯示技術的核心驅動元件,通過材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化,實現(xiàn)了從傳統(tǒng)非晶硅向氧化物半導體、柔性電子的技術跨越。本文將聚焦于薄膜晶體管制造技術與前沿發(fā)展。
發(fā)表于 05-27 09:51
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聽上去很高大上的“薄膜沉積”到底是什么? 簡單來說:薄膜沉積就是幫芯片“貼膜”的。 薄膜沉積(Thin Film Deposition)是在半導體的主要襯底材料上鍍一層膜,再配合蝕刻和
發(fā)表于 04-16 14:25
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在電子元件領域,貼片電阻憑借其小型化、高精度等優(yōu)勢,廣泛應用于各類電子設備中。其中,厚膜工藝與薄膜工藝是制造貼片電阻的兩種主要技術,二者在多個方面存在顯著差異。 從制造工藝來看,厚膜電
發(fā)表于 04-07 15:08
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光刻工藝、刻蝕工藝
在芯片制造過程中,光刻工藝和刻蝕工藝用于在某個半導體材料或介質材料層上,按照光掩膜版上的圖形,“刻制”出材料層的圖形
發(fā)表于 04-02 15:59
本文論述了芯片制造中薄膜厚度量測的重要性,介紹了量測納米級薄膜的原理,并介紹了如何在制造過程中融入薄膜量測技術。
發(fā)表于 02-26 17:30
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本文簡單介紹了芯片制造的7個前道工藝。 ? 在探索現(xiàn)代科技的微觀奇跡中,芯片制造無疑扮演著核心角色,它不僅是信息技術飛速發(fā)展的基石,也是連接數(shù)字世界與現(xiàn)實生活的橋梁。本文將帶您深入芯片
發(fā)表于 01-08 11:48
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今天閱讀了最感興趣的部分——芯片制造過程章節(jié),可以用下圖概括:
芯片的制造工序可分為前道工序和后道工序。前道工序占整個芯片制造80%的工作量,由數(shù)百道工藝組成,可見
發(fā)表于 12-30 18:15
第二章對芯片制造過程有詳細介紹,通過這張能對芯片制造過程有個全面的了解
首先分為前道工序和后道工序
前道工序也稱擴散工藝,占80%工作量,進一步分為基板工藝和布線
發(fā)表于 12-16 23:35
本文通過圖文并茂的方式生動展示了MOSFET晶體管的工藝制造流程,并闡述了芯片的制造原理。 ? MOSFET的工藝流程 芯片制造工藝流程包括
發(fā)表于 11-24 09:13
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? ? ? 本文介紹了磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)對薄膜的影響。 磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)對薄膜的性能有著決定性的影響。這些參數(shù)包括濺射氣壓、濺射功率、靶基距、基底溫度、偏置電壓、濺射氣體等。通過
發(fā)表于 11-08 11:28
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薄膜沉積工藝技術介紹 薄膜沉積是在半導體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料,比如絕緣化合物二氧化硅,半導體多晶硅、金屬銅等。從半導體芯片制作
發(fā)表于 11-01 11:08
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半導體薄膜沉積工藝是現(xiàn)代微電子技術的重要組成部分。這些薄膜可以是金屬、絕緣體或半導體材料,它們在芯片的各個層次中發(fā)揮著不同的作用,如導電、絕緣、保護等。
發(fā)表于 10-31 15:57
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