III-V族化學(xué)-機(jī)械拋光工藝開發(fā)
摘要
III-V材料與絕緣子上硅平臺的混合集成是一種很有前景的技術(shù)。二乙烯基硅氧烷-雙苯并環(huán)丁烯(簡稱DVS-BCB或BCB)是作為一種技術(shù)出現(xiàn)適合在工業(yè)規(guī)模上實現(xiàn)這樣的集成。耦合為這些混合器件文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁的設(shè)計和制造提供了許多優(yōu)勢，但對于 一種高效的耦合，是一種非常薄(幾十納米)且均勻的鍵合層。 然而BCB在SOI波導(dǎo)結(jié)構(gòu)上的平坦性較差。
關(guān)鍵詞:消失偶聯(lián)，膠接，BCB，化學(xué)機(jī)械平整度，平整度
介紹
硅光子學(xué)顯得非常有前途，使大規(guī)模的研究領(lǐng)域成為無源器件和一些有源器件的制造在集成光子學(xué)。 然而,硅它的間接帶隙阻礙了所以它不適用于光源的制造。解決這個問題的一個辦法是混合集成硅與III-V半導(dǎo)體。 在混合集成中，是III-V 半導(dǎo)體被綁定在SOI之上波導(dǎo)電路。
實驗
將BCB配方環(huán)烯3022-35旋涂于空白硅上并進(jìn)行圖紋處理SOI樣本。 粘附促進(jìn)劑AP3000旋轉(zhuǎn)涂布前使用。略
審核編輯：符乾江
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