【背景】

【半導體材料拋光液斷供】(CMP)DSTl slurry 斷供：物管通知受臺灣出口管制限制，F(xiàn)ab1DST Slury(料號:M2701505,AGC-TW) 暫停供貨，存貨僅剩5個月用量(267桶)。

DSTl slurry ?是一種用于半導體制造過程中的拋光液，主要用于化學機械拋光（CMP）工藝。這種拋光液在制造過程中起著關(guān)鍵作用，能夠提高晶圓的平整度和表面質(zhì)量。

【CMP拋光材料投資邏輯】

一、上市公司及子公司：湖北鼎龍（墊：10萬+20萬+50萬片，液）、安集科技（液）、上海新陽（液）、江豐電子（墊）

二、拋光墊非上市公司：蘇州觀勝半導體（臺灣智勝科技子公司）、上海芯謙集成電路（10萬+10萬+20萬）、浙江博來納潤電子材料、寧波贏偉泰科（江豐電子孫公司）、萬華化學集團電子材料有限公司、無錫吉致電子科技、合肥宏光研磨科技、萬樺（常州）新材料科技、興硅科技（江蘇）、南通十方機電設(shè)備

三、拋光液非上市公司：上海新安納電子科技、張家港安儲科技、昂士特科技(深圳)、山東百特新材料、北京國瑞升、山東麥豐新材、天津晶嶺微電子材料

四、國外及中國臺灣企業(yè)：杜邦（75%以上拋光墊）、卡博特（拋光液占33%，拋光墊5%）等

五、附錄CMP拋光材料

要點1：隨著制程節(jié)點的進步，多層布線的數(shù)量及密度增加，更先進的邏輯芯片工藝，存儲芯片隨著由2DNAND向3DNAND演進的技術(shù)變革，先進封裝，會使CMP工藝步驟數(shù)快速增加，帶動了CMP拋光材料需求的持續(xù)快速增長；

要點2：CMP拋光材料在集成電路制造材料成本中占比7%（半導體材料），其中CMP拋光液、CMP拋光墊分別占CMP拋光材料成本49%、33%；

要點3：全球半導體CMP拋光材料市場規(guī)模將從2023年預測值33億美元增長至近35億美元。預計2027年全球半導體CMP拋光材料市場規(guī)模將超過42億美元。

六、CMP拋光墊

要點1：全球拋光墊市場規(guī)模由2016年的6.5億美元提升至2021年的11.3億美元，2021年同比提升10.78%，CARG為11.69%；中國拋光墊市場規(guī)模2016-2021年市場規(guī)模由8.1億元提升至13.1億元，復合增速與全球基本保持一致，CAGR為10.09%。

要點2：全球CMP拋光墊市場格局中，陶氏杜邦占比79%，占據(jù)市場絕對主導地位，卡博特（Cabot）與 Thomas West分別占比5%及4%，基本為美日企業(yè)所壟斷

要點3：國內(nèi)鼎龍股份（23年拋光墊營收4.18億元，中國市場規(guī)模約在15億左右）攻堅克難，成為國內(nèi)唯一一家全面掌握拋光墊全流程核心研發(fā)和制造技術(shù)的CMP拋光墊國產(chǎn)供應(yīng)商，實現(xiàn)中國拋光墊領(lǐng)域從零到一的突破

要點4：制約國內(nèi)CMP拋光墊發(fā)展的因素，包括西方發(fā)達國家的技術(shù)封鎖；客戶認證壁壘高、周期長；相關(guān)領(lǐng)域人才緊缺

七、CMP拋光液

要點1：全球拋光液市場規(guī)模由2016年的11億美元提升至2021年的14.3億美元，2021年同比提升6.72%，CARG為5.39%，同期中國拋光液市場規(guī)模大幅增長，2016-2021年市場規(guī)模由12.3億元提升至22億元，CAGR達到12.28%，復合增速明顯快于全球。

要點2：CMP拋光液產(chǎn)業(yè)鏈上游主要為研磨顆粒、PH調(diào)節(jié)劑、分散劑、氧化劑以及表面活性劑等原材料，其中作為核心的研磨顆粒制造技術(shù)掌握在國際企業(yè)手中，如日本富士、美國嘉柏等，中國企業(yè)主要從美國、日本、韓國等國家的一些企業(yè)進口原材料

要點3：產(chǎn)品配方和生產(chǎn)工藝流程是CMP拋光液企業(yè)的核心競爭力

要點4：全球CMP拋光液市場中，代表企業(yè)包括卡博特(Cabot)、Versum Materials、日立(Hitach)、富士美(Fujimi)、陶氏(Dow)等美日龍頭廠商，然而中國大陸與中國臺灣則是最大的需求區(qū)域（40%左右）

要點5：中國CMP拋光液行業(yè)目前主要依賴于國外進口，美國日本等全球CMP拋光液龍頭企業(yè)均在中國市場有所布局。由于國外龍頭企業(yè)產(chǎn)品技術(shù)先進、產(chǎn)品線也更為成熟，因此處于中國市場的第一梯隊。

要點6：安集科技（23年營收10.75億元，中國市場規(guī)模約在27億左右）作為中國CMP拋光液的龍頭企業(yè)，在中國大陸市場占據(jù)了較大的市場份額，同時多樣化布局產(chǎn)品線滿足了企業(yè)的需求，實現(xiàn)了中國CMP拋光液國產(chǎn)替代的發(fā)展

要點7：從行業(yè)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢來看，將朝著國產(chǎn)化、本土化方向發(fā)展;產(chǎn)品發(fā)展將朝著專用化、定制化方向發(fā)展;行業(yè)競爭將朝著多元化方向發(fā)展

八、CMP拋光材料怎么投？

要點1：專用化、定制化拋光材料為未來發(fā)展趨勢。龍頭公司很難在所有細分領(lǐng)域掌握核心技術(shù)形成壟斷，為很多公司提供了新進入該領(lǐng)域的機會。

要點2：拋光液的上游材料中，二氧化硅磨粒長期依賴進口，原材料被海外企業(yè)壟斷，而磨粒正是卡脖子的技術(shù)難點。

要點3：建議關(guān)注兩類機會：一是新技術(shù)帶來的新增拋光液需求，如SiC相關(guān)拋光液研發(fā)廠商；二是掌握上游磨粒研發(fā)技術(shù)和拋光墊微孔發(fā)泡工藝的公司。

一、上市公司盤點

1、湖北鼎龍

公司創(chuàng)立于2000年，2010年創(chuàng)業(yè)板上市,是一家從事集成電路設(shè)計、半導體材料及打印復印通用耗材研發(fā)、生產(chǎn)及服務(wù)的國家高新技術(shù)企業(yè)、國家技術(shù)創(chuàng)新示范企業(yè)、國家知識產(chǎn)權(quán)示范企業(yè)、工信部制造業(yè)單項冠軍示范企業(yè)。總部位于武漢經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)，產(chǎn)研基地遍布湖北、廣西、長三角、珠三角等地區(qū)。

在產(chǎn)能方面，武漢本部年產(chǎn)10萬片CMP拋光墊一期產(chǎn)線已投產(chǎn)，年產(chǎn)20萬片CMP拋光墊二期產(chǎn)線處于產(chǎn)能爬坡階段，潛江50萬片CMP拋光墊三期產(chǎn)線將在2022年年中進入設(shè)備調(diào)試、試運行階段。

涉及CMP主營產(chǎn)品

公司所布局的半導體制造用材料——CMP拋光材料、高端晶圓光刻膠，以及半導體先進封裝材料——半導體封裝PI、臨時鍵合膠等。其中CMP拋光材料，主要包括CMP拋光墊（硬墊和軟墊）、拋光液和清洗液。

①CMP拋光墊

目前，在CMP拋光墊產(chǎn)品方面，公司是國內(nèi)唯一一家全面掌握CMP拋光墊全流程核心研發(fā)技術(shù)和生產(chǎn)工藝的CMP拋光墊供應(yīng)商，確立CMP拋光墊國產(chǎn)供應(yīng)龍頭地位，相關(guān)子公司--鼎匯微電子是國家級專精特新小巨人企業(yè)，產(chǎn)品深度滲透國內(nèi)主流晶圓廠，成為部分客戶的第一供應(yīng)商，被多家晶圓廠核心客戶評為優(yōu)秀供應(yīng)商；

拋光硬墊方面，國內(nèi)邏輯晶圓廠開拓取得階段性成果，制程節(jié)點覆蓋范圍進一步擴大，相關(guān)新增型號產(chǎn)品取得批量訂單；產(chǎn)品良率、工廠效率進一步提升，品質(zhì)穩(wěn)定性也達到更高水平。

拋光軟墊方面，潛江工廠多個軟墊產(chǎn)品已實現(xiàn)批量銷售，測試通過的客戶增加，產(chǎn)量進入爬坡階段，包括無紡布類拋光墊也在多家客戶的Grinding制程測試通過并取得訂單。

此外，拋光墊原材料自主化持續(xù)突破，自制CMP拋光硬墊用微球完成中試工作，已開始產(chǎn)業(yè)化建設(shè)，后續(xù)將實現(xiàn)CMP拋光硬墊三大核心原材料——預聚體、微球、緩沖墊的全面自產(chǎn)；緩沖墊的開發(fā)能力及速度顯著提高，數(shù)款自研的特殊緩沖墊在部分邏輯晶圓廠客戶制程測試中發(fā)揮了重要作用，供應(yīng)鏈管控效果持續(xù)顯現(xiàn)。

②CMP拋光液

CMP拋光液方面，全制程產(chǎn)品的市場推廣持續(xù)進行，搭載自產(chǎn)超純硅研磨粒子的介電層拋光液在客戶端的需求量不斷增長、多晶硅拋光液進入國內(nèi)主流客戶供應(yīng)鏈體系逐步上量；

搭載自產(chǎn)氧化鋁研磨粒子的金屬柵極拋光液成功導入客戶供應(yīng)鏈，并滿足客戶持續(xù)上升的訂單需求；

銅及阻擋層拋光液開始在國內(nèi)主流客戶產(chǎn)線驗證，適用于介電層工藝的氧化鈰拋光液持續(xù)投入開發(fā)，爭取在2024年取得進一步突破；

此外，為滿足下游客戶擴大的產(chǎn)品需求，公司在仙桃園區(qū)完成研磨粒子生產(chǎn)與拋光液生產(chǎn)出貨一體整合式的產(chǎn)線模式，使用更大的釜罐容量，保證客戶訂單的同時，產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定性更高，2024年第一季度將為多家客戶提供驗證樣品。

③CMP拋光清洗液

在清洗液產(chǎn)品方面，公司銅制程CMP后清洗液持續(xù)穩(wěn)定獲得訂單，2023年開發(fā)出多款其他制程清洗液以解決客戶產(chǎn)線難題，產(chǎn)品導入結(jié)果良好，獲得一定銷售收入。

技術(shù)研發(fā)能力

鼎龍自成立以來持續(xù)聚焦進口替代類關(guān)鍵創(chuàng)新材料領(lǐng)域，實現(xiàn)了彩色聚合碳粉、CMP拋光墊、CMP拋光液及清洗液、柔性顯示材料YPI、PSPI等“卡脖子”核心材料的國產(chǎn)化替代和產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。

供應(yīng)鏈能力

①CMP拋光墊：近年來，公司持續(xù)推進CMP拋光墊產(chǎn)品原材料自主化進程。2022年底，潛江CMP拋光墊三期工廠投產(chǎn)，大大加快了公司對CMP拋光墊關(guān)鍵原材料—緩沖墊的開發(fā)速度，數(shù)款自研的特殊緩沖墊在部分邏輯廠制程測試中發(fā)揮了重要作用。

2023年度，公司完成自產(chǎn)拋光墊用微球的中試工作，已開始產(chǎn)業(yè)化建設(shè)，后續(xù)將實現(xiàn)CMP拋光硬墊三大核心原材料——預聚體、微球、緩沖墊的全面自產(chǎn)，鞏固了公司在CMP拋光墊領(lǐng)域的產(chǎn)品競爭力。

②CMP拋光液：研磨粒子對拋光液產(chǎn)品品質(zhì)有較大影響，同時在拋光液的材料成本中占比較高。研磨粒子自主供應(yīng)有助于公司對CMP拋光液產(chǎn)品進行定制化開發(fā)，使產(chǎn)品性能契合客戶的使用需求，同時增強公司拋光液產(chǎn)品供應(yīng)鏈的安全、穩(wěn)定、經(jīng)濟性。

公司已實現(xiàn)拋光液上游核心原材料研磨粒子的自主制備，打破國外研磨粒子供應(yīng)商對國內(nèi)CMP拋光液生產(chǎn)商的壟斷供應(yīng)制約，在仙桃同步建成了萬噸級研磨粒子配套產(chǎn)線，增強了公司CMP拋光液產(chǎn)品的核心競爭力。

財務(wù)：CMP拋光墊業(yè)務(wù)，2023年實現(xiàn)產(chǎn)品銷售收入4.18億元，同比下降8.65%；CMP拋光液、清洗液業(yè)務(wù)：2023年實現(xiàn)產(chǎn)品銷售收入0.77億元，同比增長330.84%。

2、安集科技

公司主營業(yè)務(wù)為關(guān)鍵半導體材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，目前產(chǎn)品包括不同系列的化學機械拋光液、功能性濕電子化學品和電鍍液及添加劑系列產(chǎn)品，主要應(yīng)用于集成電路制造和先進封裝領(lǐng)域，成功打破了國外廠商對集成電路領(lǐng)域化學機械拋光液和部分功能性濕電子化學品的壟斷，實現(xiàn)了進口替代。

公司化學機械拋光液產(chǎn)品已涵蓋銅及銅阻擋層拋光液、介電材料拋光液、鎢拋光液、基于氧化鈰磨料的拋光液、襯底拋光液等多個產(chǎn)品平臺。同時，公司還基于化學機械拋光液技術(shù)和產(chǎn)品平臺，支持客戶對于不同制程的需求，定制開發(fā)用于新材料、新工藝的化學機械拋光液。

涉及CMP主營產(chǎn)品

銅及銅阻擋層拋光液、介電材料拋光液、鎢拋光液、基于氧化鈰磨料的拋光液、襯底拋光液及新應(yīng)用的化學機械拋光液等各類產(chǎn)品線的研發(fā)進程及市場拓展順利，客戶用量及客戶數(shù)量均達到預期。其中鎢拋光液、基于氧化鈰磨料的拋光液的產(chǎn)品布局進一步豐富，市場份額持續(xù)穩(wěn)健上升；襯底拋光液產(chǎn)品平臺進展快速，用于三維集成的多款拋光液與國內(nèi)外數(shù)十個客戶進行合作，配合客戶進行工藝開發(fā)，助力客戶實現(xiàn)新技術(shù)，TSV和混合鍵合工藝用多款拋光液和清洗液作為首選供應(yīng)進入客戶產(chǎn)線，持續(xù)上量。

在銅及銅阻擋層拋光液方面，公司緊跟摩爾定律，緊跟行業(yè)領(lǐng)先客戶的先進制程，提前進行技術(shù)平臺的布局及技術(shù)能力的積累，持續(xù)推進相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)，持續(xù)優(yōu)化先進技術(shù)節(jié)點產(chǎn)品的性能及穩(wěn)定性，部分領(lǐng)先技術(shù)產(chǎn)品在重要客戶端實現(xiàn)量產(chǎn)；與成熟制程芯片制造廠保持緊密合作，持續(xù)進行產(chǎn)品迭代升級，進展順利。

在介電材料拋光液方面，公司首款氮化硅拋光液在客戶端上量順利。結(jié)合成功經(jīng)驗，公司持續(xù)開拓市場份額，進一步開發(fā)先進技術(shù)節(jié)點系列產(chǎn)品，多款產(chǎn)品持續(xù)在客戶端測試驗證。公司持續(xù)改進氧化物拋光液，具有更高性價比和更優(yōu)性能的高倍稀釋氧化物拋光液已成功實現(xiàn)量產(chǎn)。

公司鎢拋光液在存儲芯片領(lǐng)域的應(yīng)用范圍和市場份額持續(xù)穩(wěn)健上升，多款鎢拋光液在邏輯芯片成熟制程和先進制程通過驗證，實現(xiàn)量產(chǎn)。

公司與客戶緊密合作，基于氧化鈰磨料的拋光液產(chǎn)品突破技術(shù)瓶頸，目前已在3DNAND先進制程中實現(xiàn)量產(chǎn)并在逐步上量，多款新產(chǎn)品完成論證測試并實現(xiàn)量產(chǎn)銷售，部分產(chǎn)品已成為主流，國產(chǎn)自主供應(yīng)能力持續(xù)加強。

在襯底拋光液方面，公司緊跟國內(nèi)大硅片企業(yè)的發(fā)展和打造材料自主可控能力的趨勢，充分了解客戶的需求后定制化開發(fā)拋光液產(chǎn)品。公司硅精拋液系列產(chǎn)品研發(fā)論證進展順利，技術(shù)性能達到國際先進水平，并在國內(nèi)領(lǐng)先硅片生產(chǎn)廠完成論證并實現(xiàn)量產(chǎn)，營業(yè)收入增長明顯，部分產(chǎn)品已獲得中國臺灣客戶的訂單。用于三維集成的多款拋光液與國內(nèi)外數(shù)十個客戶進行合作，配合客戶進行工藝開發(fā)，助力客戶實現(xiàn)新技術(shù)，TSV和混合鍵合用工藝用多款拋光液和清洗液作為首選供應(yīng)商進入客戶產(chǎn)線，持續(xù)上量。第三代半導體作為下一代的襯底材料同樣發(fā)展迅速，公司積極投入研發(fā)，為客戶定制開發(fā)的用于第三代半導體襯底材料的拋光液，進展順利，部分產(chǎn)品已獲得海外客戶的訂單。

在拋光后清洗液方面，堿性銅拋光后清洗液取得重要突破，在客戶先進技術(shù)節(jié)點驗證進展順利，進入量產(chǎn)階段，進一步完善了公司拋光后清洗液產(chǎn)品平臺。

供應(yīng)鏈能力

公司持續(xù)加快建立核心原材料自主可控供應(yīng)的能力，一方面優(yōu)化產(chǎn)品性能，提升現(xiàn)有產(chǎn)品競爭力；另一方面加強新產(chǎn)品、新技術(shù)的研究開發(fā)，保障公司產(chǎn)品長期供應(yīng)的安全性和可靠性。

參股公司山東安特納米材料有限公司開發(fā)的多款硅溶膠已在公司多款拋光液產(chǎn)品中通過內(nèi)部測試，并在積極與客戶合作進行測試論證中，部分已完成驗證，實現(xiàn)銷售；

公司通過自研自建的方式持續(xù)加強了氧化鈰顆粒的制備的自主可控能力，自產(chǎn)氧化硅磨料在公司產(chǎn)品中的測試論證進展順利，多款產(chǎn)品已通過客戶端的驗證，已經(jīng)開始量產(chǎn)供應(yīng)，將隨著客戶的進程逐步上量、實現(xiàn)銷售。

研發(fā)能力

公司的核心技術(shù)涵蓋了整個產(chǎn)品配方和工藝流程，包括金屬表面氧化（催化）技術(shù)、金屬表面腐蝕抑制技術(shù)、拋光速率調(diào)節(jié)技術(shù)、化學機械拋光晶圓表面形貌控制技術(shù)、光阻清洗中金屬防腐蝕技術(shù)、化學機械拋光后表面清洗技術(shù)、光刻膠殘留物去除技術(shù)、選擇性刻蝕技術(shù)、電子級添加劑純化技術(shù)、磨料制備技術(shù)、電鍍液添加劑技術(shù)等。

公司核心技術(shù)的應(yīng)用主要體現(xiàn)在產(chǎn)品配方和生產(chǎn)工藝流程兩個方面。一方面，公司基于核心技術(shù)研發(fā)產(chǎn)品配方并通過申請專利等方式加以保護，產(chǎn)品配方是核心技術(shù)的具體體現(xiàn)。另一方面，生產(chǎn)工藝流程是公司產(chǎn)品生產(chǎn)過程的關(guān)鍵，也是核心技術(shù)轉(zhuǎn)化為最終產(chǎn)品的實現(xiàn)手段，公司通過技術(shù)秘密等形式對生產(chǎn)工藝流程予以保護。

成本

產(chǎn)量與銷量

發(fā)展戰(zhàn)略

持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新，完善高端半導體材料業(yè)務(wù)布局

深化客戶合作，適時擴大海內(nèi)外生產(chǎn)和銷售布局

圍繞產(chǎn)業(yè)鏈投資并購，積極尋求穩(wěn)健的外延式發(fā)展

加強組織建設(shè)，提升運營能力和運營品質(zhì)，實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展長期目標

財務(wù)情況

23年公司實現(xiàn)營業(yè)收入12.38億元，較去年同期增長14.96%，發(fā)生營業(yè)成本5.47億元，較去年同期增長10.93%。其中化學機械拋光液實現(xiàn)營收為10.75億，毛利59.19%。

3、上海新陽

公司化學機械研磨液主要包括適用于淺槽隔離研磨液（STISlurry）、金屬鎢研磨液(WSlurry)、金屬銅研磨液(CuSlurry),硅氧化層研磨液(OxideSlurry)，多晶硅層研磨液(PolySlurry)等系列產(chǎn)品，研磨液產(chǎn)品可覆蓋14nm及以上技術(shù)節(jié)點。

在研磨液系列產(chǎn)品方面，基礎(chǔ)研發(fā)、生產(chǎn)工藝、分析開發(fā)等方面工作進展迅速，已形成成熟的STISlurry、Polyslurry，Wslurry系列產(chǎn)品在超過20余家客戶端測試驗證，其中Wslurry系列產(chǎn)品在客戶端驗證順利，有望率先量產(chǎn)應(yīng)用。2023年，公司化學機械研磨液已有多款產(chǎn)品通過客戶測試，實現(xiàn)銷售。

4、江豐電子

江豐電子自成立以來一直從事高純?yōu)R射靶材的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售業(yè)務(wù)。CMP產(chǎn)品主要有CMP用保持環(huán)（RetainerRing）、拋光墊（Pad）、活化盤（Disk）以及組頭服務(wù)等。2016年11月，江豐電子與美國嘉柏（即CMCMaterials）合作CMP拋光墊項目；2017年11月，獲得首張國產(chǎn)CMP拋光墊訂單；2023年6月，為了進一步拓展公司CMP業(yè)務(wù)，江豐電子控股子公司上海上海潤平電子收購了寧波贏偉泰科100%股權(quán)。

二、非上市公司盤點（CMP拋光墊）

5、蘇州觀勝半導體

公司成立2017年12月8日，是由頂尖團隊組成，從原料、配方等，擁有全套的自主技術(shù)，面向國內(nèi)半導體市場生產(chǎn)以PU聚氨酯為基材制作的CMP拋光墊，是國內(nèi)獨有的在CMP研磨墊方面擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的公司。

融資情況：由張家港以諾天使源投資企業(yè)、梵爾辰半導體(上海)和臺灣智勝科技三方合資成立

6、上海芯謙集成電路

公司成立于2021年1月，致力于成為中國技術(shù)領(lǐng)先的CMP拋光墊、保持環(huán)生產(chǎn)制造商。

公司董事長張莉娟從事拋光墊制造20年了，也是國產(chǎn)拋光墊領(lǐng)域第一人。11年前，她的第一家創(chuàng)業(yè)公司成立后，打破了整個中國在拋光墊領(lǐng)域被國外100%壟斷的局面。公司團隊已經(jīng)在中國第一批研發(fā)并實現(xiàn)量產(chǎn)8英寸及12英寸CMP拋光墊，成為國內(nèi)CMP拋光墊制造領(lǐng)域中的先驅(qū)團隊。

預計員工人數(shù)：40+

產(chǎn)能：2022年1月年產(chǎn)10萬片的半導體用拋光墊生產(chǎn)線投產(chǎn)運營，目前已可以實現(xiàn)年產(chǎn)15萬片的產(chǎn)能。二期的目標是擴產(chǎn)到20萬片，三期則是擴產(chǎn)到近40萬片的產(chǎn)能，三期的目標預計將在2025年中到2025年底實現(xiàn)。

估值：近十個億

融資情況：

7、浙江博來納潤電子材料

博來納潤成立于2021年，公司擁有近10年的CMP（化學機械拋光）研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)，以自主創(chuàng)新為本，致力于提供CMP材料整體解決方案。目前公司產(chǎn)品包括：研磨顆粒、拋光液和拋光墊三大類，應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋：

（1）大硅片、砷化鎵、碳化硅等半導體晶圓的CMP制程；

（2）集成電路CMP制程；

（3）其他類（LED藍寶石襯底、消費類電子及光學金屬、玻璃等）CMP制程。

博來納潤從研發(fā)出發(fā)，在精益于核心原材料——研磨顆粒突破的同時，整合產(chǎn)品整體解決方案，對提升行業(yè)效率意義重大。公司與業(yè)內(nèi)多家一線客戶共同攻克國家“卡脖子”工程項目，緊抓國內(nèi)外半導體行業(yè)發(fā)展的契機，有望加速CMP材料整體解決方案國產(chǎn)化替代和國際創(chuàng)新的進程。

融資情況：

8、寧波贏偉泰科

公司成立于2019年1月，是一家由海外回國博士和寧波陽明工業(yè)技術(shù)研究院共同出資創(chuàng)立的高新電子材料開發(fā)制造企業(yè)，專業(yè)從事半導體芯片制造用化學機械拋光工藝耗材的研發(fā)及生產(chǎn)，主要產(chǎn)品為化學機械拋光墊和保持環(huán)兩大系列。

融資情況：23年6月，江豐電子控股子公司上海潤平電子收購了寧波贏偉泰科100%股權(quán)。

9、萬華化學集團電子材料有限公司

據(jù)煙臺經(jīng)開區(qū)公開信息顯示，萬華化學集團電子材料有限公司擬在煙臺經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)進出口加工區(qū)內(nèi)建設(shè)大規(guī)模集成電路平坦化關(guān)鍵材料（CMP Pad+slurry）項目，項目投資15.7億元，達產(chǎn)年，研磨液產(chǎn)量1.5~2萬噸/年，CMP拋光墊產(chǎn)量60萬片/年。

10、無錫吉致電子科技

公司創(chuàng)始于1995年，主要研發(fā)生產(chǎn)拋光液、拋光墊等CMP化學機械研磨拋光材料，已有20余年的研發(fā)經(jīng)驗。產(chǎn)品廣泛適用于金屬、光電、集成電路半導體、硬盤、顯示器、陶瓷等行業(yè)。

19年傾心專注化學機械拋光耗材領(lǐng)域，行業(yè)經(jīng)驗豐富；公司面積26.000㎡，員工達275人，每月產(chǎn)能60.000㎡；高品質(zhì)品牌，產(chǎn)品遍銷各國，500強青睞品牌。

融資情況：未見融資

11、合肥宏光研磨科技

公司成立于1988年，是國內(nèi)光學玻璃及工藝玻璃磨具制造行業(yè)新興的高科技企業(yè)，主要產(chǎn)品有聚氨酯拋光片，玻璃金剛石系列磨具及玻璃拋光系列磨具，已成為光學玻璃、導電膜玻璃、藍寶石基板、手機面板玻璃及家具玻璃加工業(yè)的知名品牌，產(chǎn)品已覆蓋國內(nèi)這些加工市場的80%以上。其中聚氨酯拋光片替代了同類進口產(chǎn)品，并且多次出口東南亞及歐洲的部分國家。

融資情況：無

12、萬樺（常州）新材料科技

公司是一家具有現(xiàn)代新型管理模式和強大技術(shù)實力的聚氨酯（PU）新材料的綠色環(huán)保新型企業(yè)，年生產(chǎn)能力為700萬?以聚氨脂為主的高分子復合新材料。主要開發(fā)經(jīng)營3C類；藍寶石、硅片、鍺片、碳化硅、砷化鎵類；晶圓半導體類粗拋、精拋材料如：?磨?、拋光墊、阻尼布、吸附墊、無蠟墊。

融資情況：無

13、興硅科技（江蘇）

2022年1月27日，公司的集成電路CMP關(guān)鍵材料項目云簽約儀式在宜興經(jīng)開區(qū)舉行，該項目總投資45.9億元，分三期建設(shè)，其中一期計劃投資8.7億元，主要建設(shè)月產(chǎn)10000張研磨墊及500噸研磨液項目。

14、南通十方機電設(shè)備

公開資料顯示，公司成立于2021年2月，擬在江蘇啟東市租用南通義利達機電制造有限公司生產(chǎn)廠房進行年產(chǎn)500噸芯片晶圓拋光墊生產(chǎn)項目，目前項目已備案。

三、非上市公司（CMP拋光液）

15、上海新安納電子科技

公司成立于2008年7月，是一家專門致力于電子級納米磨料和拋光液技術(shù)開發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)的高科技企業(yè)。公司與國內(nèi)外著名研究機構(gòu)、國際知名半導體公司共同成立拋光材料聯(lián)合實驗室，形成產(chǎn)、學、研聯(lián)盟，并承擔了國家“十一五”、“十二五”重大專項、863、973、上海市科委重點等項目。

主營產(chǎn)品：硅溶膠、拋光液、涂料等

融資情況：

16、張家港安儲科技

公司成立于2020年10月13日，專注于先進電子材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主營產(chǎn)品為配方型功能電子化學品（如拋光液、清洗液，濕法刻蝕液，光刻膠剝離液等）以及電子特氣安全存儲負壓鋼瓶兩大產(chǎn)品系列。

核心成員包括擁有國際知名材料企業(yè)多年研發(fā)、生產(chǎn)經(jīng)驗的博士和專業(yè)人才，具備多年先進制程節(jié)點以及各種材料表面的拋光、清洗經(jīng)驗，以成為中國領(lǐng)先的電子材料平臺為愿景，致力于為半導體領(lǐng)域提供更佳的拋光清洗方案以及更先進的電子材料。

在碳化硅襯底拋光清洗上，「安儲科技」擁有拋光液、拋光后晶圓清洗液、拋光后機臺拋光墊清洗液全工藝環(huán)節(jié)耗材產(chǎn)品。公司創(chuàng)新性的采用了金屬氧化物作為研磨顆粒，其ACTL-WS系列拋光液不僅擁有較高的拋光速率，同時可獲得低表面粗糙度，低缺陷的晶圓表面。而且拋光液可以循環(huán)使用，降低客戶使用成本。

融資情況：

17、昂士特科技(深圳)

公司成立于2019年初，力求為全球客戶提供最優(yōu)質(zhì)的拋光液以及最佳的表面技術(shù)解決方案。昂士特總部及研發(fā)中心位于粵港澳大灣區(qū)核心城市——深圳市，華東生產(chǎn)基地與先進技術(shù)研究院位于半導體產(chǎn)業(yè)新興基地——合肥市，擁有輻射長三角以及華北華中地區(qū)各大客戶群的優(yōu)勢，可穩(wěn)定保障年產(chǎn)10000噸的生產(chǎn)能力。

集成電路類化學機械拋光液：層間電介質(zhì)（ILD）化學機械拋光液，包括基于氧化硅納米顆粒的拋光液和氧化鈰納米顆粒的拋光液；氧化鈰納米顆粒的淺槽隔離（STI）化學機械拋光液；氧化硅磨料的鎢化學機械拋光液，包括高選擇比的鎢本體拋光液和高稀釋比的鎢本體拋光液

晶圓襯底類化學機械拋光液：硅晶圓襯底類化學機械拋光液；碳化硅晶圓化學機械拋光液

超精密加工化學機械拋光液：氧化鋁體系和硅溶膠體系

融資情況

18、山東百特新材料

公司成立于2009年，專注于生產(chǎn)高端硅溶膠、納米分散液。產(chǎn)品包括大粒徑硅溶膠、小粒徑硅溶膠、陽離子硅溶膠、酸性硅溶膠、中性硅溶膠、高純度硅溶膠、表面改性硅溶膠、彩噴紙硅溶膠、蓄電池硅溶膠、納米拋光液等三十多種產(chǎn)品，應(yīng)用于電子、拋光、催化劑、蓄電池、造紙、紡織、耐火材料、精密鑄造、涂料等行業(yè)，年產(chǎn)能20000噸。

融資情況：無

19、北京國瑞升

公司是一家專業(yè)從事超精密研磨拋光材料、研磨工藝及相關(guān)設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和經(jīng)營的留創(chuàng)企業(yè)。公司成立于2001年6月，總部位于北京中關(guān)村科技園區(qū)，是工業(yè)和信息化部專精特新“小巨人”企業(yè)。

融資情況：

20、山東麥豐新材

“麥豐新材”成立于2012年9月，是一家專業(yè)從事拋光材料制備及應(yīng)用技術(shù)開發(fā)的高科技企業(yè)。企業(yè)立足于高尖端拋光材料的開發(fā)和生產(chǎn)，引進高端人才和先進設(shè)備，采用自主研發(fā)的專利技術(shù)和完備的質(zhì)量管理體系，開發(fā)生產(chǎn)出E、2、AI等五大系列、38種規(guī)格系列產(chǎn)品，主要應(yīng)用于半導體芯片、軍工瞄準鏡、激光透鏡、精密光學鏡頭、顯示玻璃、光掩膜玻璃、光纖及纖精密五金等行業(yè)，產(chǎn)品進入北方光電、京東方、中電熊貓、比亞迪、五方光電股份等國防及國內(nèi)上市公司;進入韓國、臺灣富士康、日本、埃及、越南、德國、美國等市場。

財務(wù)情況：22年營收2115萬，虧損103萬

融資情況：新三板

21、天津晶嶺微電子材料

公司集研究、開發(fā)、制造、銷售和服務(wù)于一體,是一家專業(yè)生產(chǎn)CMP拋光液、清洗劑、硅溶膠等微電子、光電子相關(guān)耗材的高科技企業(yè)。董事長劉玉嶺教授是河北工業(yè)大學微電子材料研究所所長。

本公司有兩千多平米的百級、千級超凈間，并擁有年產(chǎn)6000噸的生產(chǎn)線，同時可以8inch，12inch的晶圓進行化學機械拋光，以及驗證拋光液性能。

融資情況：無

四、國外及中國臺灣企業(yè)CMP拋光材料

美國：杜邦DuPont（CMP拋光墊全球占比75%以上）、Thomas west Inc（TWI）、卡博特、3M

日本：富士紡FUJIBO、JSR、東麗Toray、Nitta DuPont

韓國：FNS Tech、SKC、KPX chemical

中國臺灣：智勝科技股份有限公司（iVT）、貝達先進材料公司（三芳化學）

附錄：五、CMP拋光材料

1、定義

化學機械拋光（CMP）是半導體先進制程中的關(guān)鍵技術(shù)，其主要工作原理是在一定壓力下及拋光液的存在下，被拋光的晶圓對拋光墊做相對運動，借助納米磨料的機械研磨作用與各類化學試劑的化學作用之間的高度有機結(jié)合，使被拋光的晶圓表面達到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。

根據(jù)不同工藝制程和技術(shù)節(jié)點的要求，每一片晶圓在生產(chǎn)過程中都會經(jīng)歷幾道甚至幾十道的CMP拋光工藝步驟。與傳統(tǒng)的純機械或純化學的拋光方法不同，CMP工藝是通過表面化學作用和機械研磨的技術(shù)結(jié)合來實現(xiàn)晶圓表面微米/納米級不同材料的去除，從而達到晶圓表面的高度（納米級）平坦化效應(yīng)。CMP已成為0.35μm以下制程不可或缺的平坦化工藝。

按照被拋光的材料類型，具體可以劃分為三大類：

（1）襯底：主要是硅材料；

（2）金屬：包括Al/Cu金屬互聯(lián)層，Ta/Ti/TiN/TiNxCy等擴散阻擋層、粘附層；

（3）介質(zhì)：包括SiO2/BPSG/PSG等ILD（層間介質(zhì)），Si3N4/SiOxNy等鈍化層、阻擋層。

在CMP工作過程中，CMP用的拋光液中的化學試劑將使被拋光基底材料氧化，生成一層較軟的氧化膜層，然后再通過機械摩擦作用去除氧化膜層，這樣通過反復的氧化成膜-機械去除過程，從而達到了有效拋光的目的。

在CMP材料細分占比當中，拋光液和拋光墊是最核心的材料，其他拋光材料還包括拋光頭、研磨盤、檢測設(shè)備、清洗設(shè)備等。

拋光液

拋光液是影響化學機械拋光質(zhì)量和拋光效率的關(guān)鍵因素，一般通過測定材料去除率（MRR）和表面粗糙度（Ra）的方法來評價拋光液性能優(yōu)良程度。其組分一般包括磨料、氧化劑和其它添加劑，通常根據(jù)被拋光材料的物理化學性質(zhì)及對拋光性能的要求，來選擇所需的成分配置拋光液。

CeO2氧化鈰拋光液——適合用于軟金屬、硅等材料的拋光，是應(yīng)用最廣泛的拋光液，被廣泛用于手機屏幕、光學玻璃、液晶顯示器和硬盤等產(chǎn)品的化學機械拋光中

Al2O3氧化鋁拋光液——硬度較高成本較低，大多用于鋁合金、不銹鋼等金屬材質(zhì)以及藍寶石襯底等。

SiO2氧化硅拋光液——粒徑較小，高純納米級別，適用于集成電路半導體、藍寶石、碳化硅襯底的拋磨。

金剛石拋光液——硬度很高，磨粒有棱角，適用于光學晶體、磁頭、硬盤、超硬合金、陶瓷等硬質(zhì)材料。

根據(jù)工藝要求不同，拋光液還分為粗拋液、中拋液、精拋液。根據(jù)拋磨材料屬性不同，需要調(diào)整和改進拋光液配方。

拋光墊

在化學機械拋光過程中，拋光墊的作用主要有：

(1)儲存拋光液，并將拋光液輸送到拋光區(qū)域，以保證拋光能夠連續(xù)均勻地進行；

(2)轉(zhuǎn)移材料以去除所需的機械負荷；

(3)拋光過程中產(chǎn)生的副產(chǎn)物（氧化產(chǎn)物、拋光碎屑等）帶出拋光區(qū)域；

(4)形成一定厚度的拋光液層，為拋光過程中發(fā)生化學反應(yīng)和機械去除提供場所。

拋光墊根據(jù)材料可以分為硬質(zhì)和軟質(zhì)兩類，硬質(zhì)拋光墊可以較好的保證工件表面的平面度，軟質(zhì)拋光墊可以獲得表面損傷層薄和表面粗糙度低的拋光表面。常用的硬質(zhì)拋光墊有粗布墊、纖維織物墊、聚乙烯墊等，軟質(zhì)拋光墊有聚氨酯墊、復合拋光墊、絨毛布墊等。精加工表面使用精拋墊如阻尼布拋光墊等。

2、產(chǎn)業(yè)鏈情況

3、技術(shù)壁壘

CMP拋光材料具有較高的技術(shù)壁壘，我國由于起步較晚，大量專利掌握在國外巨頭手中。美國和日本等龍頭企業(yè)在進行更新升級的同時，會實行嚴格的專利保護封鎖技術(shù)防止外泄，形成較高的技術(shù)壁壘。

拋光墊開發(fā)需要結(jié)合有機、高分子、材料科學、粉體技術(shù)、精密加工等學科，技術(shù)難度高。合理的溝槽結(jié)構(gòu)設(shè)計能夠促進拋光液流動和分布，提高拋光效率。表面溝槽形狀、尺寸和傾斜角度都對拋光效果產(chǎn)生影響。目前我國拋光墊專利集中于應(yīng)用領(lǐng)域，側(cè)重研究如何改進拋光墊溝槽設(shè)計以及改善拋光方法和拋光效果，在拋光墊的制作方法及材料方面專利很少。

拋光液成分的復雜度較高，開發(fā)周期長，對研發(fā)團隊技術(shù)要求極高，設(shè)計合理的生產(chǎn)方案是重要的技術(shù)壁壘。另外，原材料磨粒依賴進口，核心技術(shù)被海外企業(yè)長期壟斷。

客戶壁壘

拋光墊和拋光液技術(shù)含量高，其產(chǎn)品質(zhì)量、性能指標直接決定了終端產(chǎn)品的品質(zhì)和穩(wěn)定性，屬于下游客戶的關(guān)鍵材料。因此，拋光材料下游客戶實施嚴格的供應(yīng)商認證機制，只有通過嚴格的認證滿足客戶對質(zhì)量標準和性能的要求，才能成為下游客戶的合格供應(yīng)商。下游客戶的供應(yīng)商認證流程通常包括供應(yīng)商初評、產(chǎn)品報價、樣品檢測、小批量試用、穩(wěn)定性檢測、批量生產(chǎn)等多個環(huán)節(jié)，認證流程復雜，認證要求嚴苛。

為了保證認證的準確性和真實性，認證通常具有復雜的流程并且持續(xù)較長時間，這提高了供應(yīng)商的時間成本，進一步提高了行業(yè)壁壘。但是供應(yīng)商一旦通過下游客戶的認證成為其合格供應(yīng)商，就會形成相對穩(wěn)定的合作關(guān)系。

4、市場情況

隨著制程節(jié)點的進步，多層布線的數(shù)量及密度增加，CMP工藝步驟增加，CMP技術(shù)越來越重要，其對后續(xù)工藝良率的影響越來越大。例如14納米技術(shù)節(jié)點的邏輯芯片制造工藝所要求的CMP工藝步驟數(shù)將由180納米技術(shù)節(jié)點的10次增加到20次以上，而7納米及以下技術(shù)節(jié)點的邏輯芯片制造工藝所要求的CMP工藝步驟數(shù)甚至超過30次。

此外，更先進的邏輯芯片工藝可能會要求拋光新的材料。同樣地，對于存儲芯片，隨著由2DNAND向3DNAND演進的技術(shù)變革，也會使CMP工藝步驟數(shù)快速增加，帶動了CMP拋光材料需求的持續(xù)快速增長。

此外，先進封裝技術(shù)的應(yīng)用使CMP從集成電路前道制造環(huán)節(jié)走向后道封裝環(huán)節(jié)，在如硅通孔（TSV）、混合鍵合（HybridBonding）等工藝中得到廣泛應(yīng)用。

根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，CMP拋光材料在集成電路制造材料成本中占比7%，其中CMP拋光墊、CMP拋光液分別占CMP拋光材料成本33%、49%。根據(jù)TECHCET，2024年全球半導體CMP拋光材料市場規(guī)模將從2023年預測值33億美元增長至近35億美元。隨著全球晶圓產(chǎn)能的持續(xù)增長以及先進技術(shù)節(jié)點、新材料、新工藝的應(yīng)用需要更多的CMP工藝步驟，TECHCET預計2027年全球半導體CMP拋光材料市場規(guī)模將超過42億美元。

5、競爭格局

前二十大CMP拋光材料企業(yè)占據(jù)全球96%的市場份額

六、CMP拋光墊

1、定義與分類

拋光墊（pad）是CMP過程中的核心耗材，在CMP工藝中，拋光墊粘附在拋光臺上，與工作件接觸，對硅片提供一定的壓力并對其表面進行機械摩擦。

拋光墊種類可按材質(zhì)結(jié)構(gòu)主要有：聚合物拋光墊、無紡布拋光墊、帶絨毛結(jié)構(gòu)的無紡布拋光墊、復合型拋光墊。

①聚合物拋光墊

聚合物拋光墊的主要成分是發(fā)泡體固化聚氨酯，聚氨酯拋光墊具有抗撕裂強度高、耐磨性強、耐酸堿腐蝕性優(yōu)異的特點，是最常用的拋光墊材料之一。

在拋光過程中，聚氨酯拋光墊表面微孔可以軟化和使拋光墊表面粗糙化，并且能夠?qū)⒛チ项w粒保持在拋光液中，可以實現(xiàn)高效的平坦化加工。聚氨酯拋光墊表面的溝槽有利于拋光殘渣的排出。但聚氨酯拋光墊硬度過高，拋光過程中變形小，加工過程中容易劃傷芯片表面。粗拋選用發(fā)泡固化聚氨酯拋光墊。

②無紡布拋光墊

無紡布又稱不織布，由定向的或隨機的纖維構(gòu)成，微觀組織對拋光墊性能產(chǎn)生重要影響。無紡布拋光墊的原材料聚合物棉絮類纖維滲水性能好，容納拋光液的能力強，但是其硬度較低、對材料去除率低，因此會降低拋光片平坦化效率。常用在細拋工藝中。

③帶絨毛結(jié)構(gòu)的無紡布拋光墊

帶絨毛結(jié)構(gòu)的無紡布拋光墊是以無紡布為基體，中間一層為聚合物，表層結(jié)構(gòu)為多孔的絨毛結(jié)構(gòu)，絨毛的長短和均勻性影響拋光效果。當拋光墊受壓時，拋光液進入空洞中，壓力釋放時恢復原來的形狀，將舊的拋光液和反應(yīng)物排出，并補充新的拋光液。

帶絨毛結(jié)構(gòu)的無紡布拋光墊硬度小、壓縮比大、彈性好，在精拋工序中常被采用。

④復合型拋光墊

復合型拋光墊采用“上硬下軟”的上下兩層復合結(jié)構(gòu)，兼顧平坦度和非均勻性要求。復合型拋光墊含有雙重微孔結(jié)構(gòu)，將目前拋光墊的回彈率大幅降低，減少了拋光墊的凹陷和提高了均勻性，解決了因拋光墊使用過程中易釉化的問題。

基體中加入了能溶于拋光液的高分子或無機填充物，如聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮等，這些填充物在拋光過程中溶于拋光液，形成二級微孔，延長拋光墊的使用壽命并降低缺陷率，減少拋光液的使用量。

2、市場規(guī)模

受益于3D NAND以及先進制程工藝的快速發(fā)展，CMP材料需求量大幅提升。全球拋光墊市場規(guī)模由2016年的6.5億美元提升至2021年的11.3億美元，2021年同比提升10.78%，CARG為11.69%，同期中國拋光墊市場規(guī)模也在持續(xù)增長，2016-2021年市場規(guī)模由8.1億元提升至13.1億元，復合增速與全球基本保持一致，CAGR為10.09%。

3、競爭格局

拋光墊產(chǎn)品相對單一，產(chǎn)品大致分為硬墊和軟墊兩種，硬墊不同的技術(shù)節(jié)點對于拋光墊的變化較小，由此龍頭公司易保持產(chǎn)品的一致性與穩(wěn)定性，全球 CMP 拋光墊市場格局中，陶氏杜邦占比79%，占據(jù)市場絕對主導地位，卡博特（Cabot）與 Thomas West分別占比5%及4%，基本為美日企業(yè)所壟斷。

國內(nèi)鼎龍股份攻堅克難，成為國內(nèi)唯一一家全面掌握拋光墊全流程核心研發(fā)和制造技術(shù)的CMP拋光墊國產(chǎn)供應(yīng)商，實現(xiàn)中國拋光墊領(lǐng)域從零到一的突破。

國內(nèi)蘇州觀勝于2017年投入了拋光墊生產(chǎn)項目，股東臺灣智勝在聚氨酯領(lǐng)域已經(jīng)積累了30多年的經(jīng)驗，將聚氨酯應(yīng)用到CMP領(lǐng)域也已經(jīng)有15年的經(jīng)驗，在這一領(lǐng)域已經(jīng)積累了100多項專利技術(shù)。

CMP材料作為半導體芯片加工環(huán)節(jié)的核心材料之一，近年來，隨著我國內(nèi)資晶圓廠不斷擴產(chǎn)，以及晶圓制程工藝不斷的提高，對國產(chǎn) CMP材料的需求不斷加大。鑒于我國已是全球半導體需求最大的市場，半導體材料作為半導體產(chǎn)業(yè)的重要組成，而作為的半導體材料核心的CMP材料，自給率僅7%，國產(chǎn)替代仍有較大的提升空間。

全球CMP拋光墊生產(chǎn)企業(yè)（部分）

4、制約國內(nèi)發(fā)展因素

西方發(fā)達國家的技術(shù)封鎖：半導體CMP 拋光材料行業(yè)屬于技術(shù)密集型行業(yè)，國際巨頭擁有先發(fā)優(yōu)勢，掌握核心技術(shù)，對專有技術(shù)嚴格保密并申請專利保護，從產(chǎn)品的外形、設(shè)計、功能、工藝、生產(chǎn)過程、相關(guān)因素等方面申請專利，形成專利包，其他企業(yè)一旦使用相關(guān)技術(shù)便會侵犯專利。

客戶認證壁壘高、周期長：芯片生產(chǎn)采取大批量制作模式，工藝復雜、流程多，需要歷經(jīng)2000～5000道工序，每一道工序使用材料的穩(wěn)定性對最終晶圓良率有重大影響。

若拋光材料的品質(zhì)無法保持穩(wěn)定，將造成大批量硅片磨損，損失巨大。同時，更換 CMP 材料供應(yīng)商意味著對已形成穩(wěn)定的工藝流程進行調(diào)整，需要花費很多的人力和成本，產(chǎn)生不可控制的風險，影響最終成品質(zhì)量。

故下游客戶對材料供應(yīng)商的認證十分嚴格，整個認證周期可達1～2年，需要經(jīng)過初評、產(chǎn)品報價、樣品檢測、穩(wěn)定性檢測、考察關(guān)鍵指標、與主流產(chǎn)品對比分析、長達半年至一年的小批量試用、生產(chǎn)線考察等認證步驟。

通過認證后，雙方進行談判，客戶從更換成本、所需時間、對生產(chǎn)的影響等方面進行評估,決定是否采用供應(yīng)企業(yè)產(chǎn)品。供應(yīng)企業(yè)一旦通過整個過程,雙方便會形成穩(wěn)定供應(yīng)關(guān)系。嚴格的認證流程和漫長的認證周期導致新進入企業(yè)難以快速打開市場,客戶也更傾向于同產(chǎn)品品質(zhì)成熟、穩(wěn)定的國際企業(yè)合作。

相關(guān)領(lǐng)域人才緊缺：半導體 CMP拋光材料技術(shù)含量高，中國缺少在研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方面的專業(yè)技術(shù)人員。一方面，專業(yè)人才在研究背景和實踐操作方面都需具有豐富經(jīng)驗，理解生產(chǎn)工藝中的關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點;另一方面專業(yè)人才還需把握半導體整個產(chǎn)業(yè)和技術(shù)未來的發(fā)展趨勢，配合下游產(chǎn)業(yè)開發(fā)出客戶需要的產(chǎn)品，并在之后的供應(yīng)中提供專業(yè)技術(shù)支持。而中國目前在半導體領(lǐng)域的人才儲備少、企業(yè)院校對人才的培養(yǎng)滯后導致專業(yè)人才匱乏。

6、泛半導體領(lǐng)域

泛半導體領(lǐng)域是指除半導體外的消費電子產(chǎn)業(yè)和顯示器產(chǎn)業(yè)，如智能手機、智能穿戴、PC、LED、OLED等。主要包括光學玻璃、藍寶石、手機蓋板、陶瓷、金屬等材料的拋光。

1965年CMP拋光概念首次提出就是應(yīng)用于玻璃拋光領(lǐng)域，CMP拋光可以有效地去除玻璃表面的缺陷、瑕疵，降低其粗糙度，獲得一致的平坦度。陶瓷制品經(jīng)拋光后表面變得光滑、明亮，提升了外觀和質(zhì)感。在金屬制品的拋光中，CMP拋光去除氧化層和腐蝕，延長材料的壽命并可以提高耐腐蝕性?？偟膩碚f，凡是提高物體表面的質(zhì)量、性能和外觀的工件，均可使用CMP拋光墊進行拋光。

市場規(guī)模

近年來，隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，玻璃拋光墊已成為一種新興的行業(yè)，在國內(nèi)市場上占有重要地位。根據(jù)市場調(diào)研在線網(wǎng)發(fā)布的2023-2029年中國玻璃拋光墊行業(yè)市場現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢分析報告分析，截至2020年，中國玻璃拋光墊行業(yè)市場規(guī)模約為300億元，年均增長率約為10.3%。

玻璃拋光墊在國內(nèi)市場上的發(fā)展迅速，主要是由于其獨特的性能，比如耐磨性、耐酸堿性、耐高溫性以及耐沖擊性，使其成為國內(nèi)拋光墊的主要材料可以滿足不同的需求。預計未來，中國玻璃拋光墊行業(yè)將繼續(xù)保持快速增長，隨著市場需求的不斷增加，行業(yè)市場規(guī)模將進一步擴大。同時，玻璃拋光墊將繼續(xù)優(yōu)化性能，并持續(xù)改進產(chǎn)品。此外，中國玻璃拋光墊行業(yè)還將積極開展技術(shù)創(chuàng)新，提升其產(chǎn)品的性能和質(zhì)量，進一步拓展市場份額?？傊?，隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，中國玻璃拋光墊行業(yè)市場規(guī)模將繼續(xù)增長，未來市場前景廣闊，有望迎來爆發(fā)式增長。

競爭格局

不同于半導體拋光墊較高技術(shù)壁壘，泛半導體領(lǐng)域拋光墊入門門檻低、技術(shù)要求相對不高，近年來在國家大力支持下以合肥宏光研磨科技有限公司為首的多家拋光墊生產(chǎn)企業(yè)異軍突起。但同半導體拋光墊境遇相同，在泛半導體拋光墊領(lǐng)域，美國依然占據(jù)全球領(lǐng)先地位，其中環(huán)球光學一騎絕塵，占領(lǐng)全球六成以上市場，尼塔哈斯緊隨其后。在國內(nèi)CMP拋光墊仍多以貿(mào)易企業(yè)為主，實際生產(chǎn)CMP拋光墊的企業(yè)仍與環(huán)球、尼塔哈斯等存在巨大差距。

中國CMP拋光墊生產(chǎn)企業(yè)

下游客戶

泛半導體拋光墊的下游應(yīng)用領(lǐng)域主要為資訊產(chǎn)業(yè)、光電通訊產(chǎn)業(yè)和硬質(zhì)材料結(jié)構(gòu)件產(chǎn)業(yè)。主要客戶群體為：

（1）為蘋果、華為等做手機蓋板玻璃、手機屏幕玻璃、藍寶石代加工企業(yè)，如藍思科技、伯恩光學。

（2）光學玻璃加工企業(yè)，如虹美光學、鏡辰美。

（3）電子元件制造企業(yè)，如立濠光電、三安光電。

（4）特種玻璃加工企業(yè)，如鑫景玻璃。

七、CMP拋光液

1、定義

CMP拋光液，由超細固體粒子研磨劑、氧化劑、表面活性劑、穩(wěn)定劑等物質(zhì)組成。CMP拋光液中發(fā)揮主要作用的是固體粒子研磨劑和氧化劑，固體粒子研磨劑一般為納米級，發(fā)揮研磨作用，氧化劑發(fā)揮腐蝕溶解作用。拋光液濃度、研磨劑種類和大小、酸堿性、流速等對拋光速度和加工質(zhì)量均有影響，拋光液的技術(shù)難點在于需根據(jù)不同的材料調(diào)整配方組合，以改善拋光速度和效果。

根據(jù)拋光對象的不同，拋光液可分為硅拋光液、鈷拋光液、硅氧化物拋光液、銅拋光液、鎢拋光液等;根據(jù)酸堿性不同，拋光液可分為酸性拋光液和堿性拋光液，酸性拋光液常用于拋光金屬材料，如銅、鎢、鈦等;堿性拋光液常用于拋光非金屬材料，如硅、硅氧化物等。

2、行業(yè)發(fā)展歷程

中國CMP拋光液發(fā)展主要可分為兩個發(fā)展階段：

一是2000年以前，中國CMP拋光液行業(yè)乃至整個CMP拋光材料行業(yè)處于真空期，CMP工藝和拋光材料制造核心技術(shù)被國際巨頭壟斷;

二是2000年以后，全球半導體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移至中國，中國CMP拋光液行業(yè)隨之開始發(fā)展，但從全球看，美國、日本等國仍占據(jù)行業(yè)主導地位。

從政策發(fā)展來看，CMP拋光液作為半導體的重要材料之一，由于其具有人才要求高、投資風險大、技術(shù)積累周期長和規(guī)模經(jīng)濟效應(yīng)強等的特征，決定了CMP拋光液行業(yè)的發(fā)展壯大不可能一蹴而就，而且發(fā)展周期相對一般產(chǎn)業(yè)較長，在這一過程中為了保障其良好地發(fā)展，針對且有效的扶持政策不可或缺。從“十二五”時期開始，我國的CMP拋光液行業(yè)政策發(fā)展演變情況如下：

行業(yè)政策背景：政策加持，CMP拋光液將實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)優(yōu)化升級

國家“十四五”規(guī)劃中對CMP拋光液行業(yè)的具體表述主要集中在推動半導體制造業(yè)優(yōu)化升級和加強原創(chuàng)性引領(lǐng)性科技攻關(guān)。在推動制造業(yè)優(yōu)化升級方面，培育先進制造業(yè)集群，推動半導體等產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。在加強原創(chuàng)性引領(lǐng)性科技攻關(guān)，國家“十四五”規(guī)劃中提出要瞄準集成電路等前沿領(lǐng)域，實施一批具有前瞻性、戰(zhàn)略性的國家重大科技項目。

3、市場規(guī)模

全球拋光液市場規(guī)模由2016年的11億美元提升至2021年的14.3億美元，2021年同比提升6.72%，CARG為5.39%，同期中國拋光液市場規(guī)模大幅增長，2016-2021年市場規(guī)模由12.3億元提升至22億元，CAGR達到12.28%，復合增速明顯快于全球。

4、產(chǎn)業(yè)鏈分析

CMP拋光液產(chǎn)業(yè)鏈上游主要為研磨顆粒、PH調(diào)節(jié)劑、分散劑、氧化劑以及表面活性劑等原材料，其中，研磨顆粒是CMP拋光液生產(chǎn)關(guān)鍵原材料;CMP拋光液產(chǎn)業(yè)鏈中游主要為CMP拋光液的生產(chǎn)制備;CMP拋光液產(chǎn)業(yè)鏈下游應(yīng)用領(lǐng)域為半導體產(chǎn)業(yè)，其中集成電路為主要領(lǐng)域，其他領(lǐng)域包括分立器件、光電子器件(LED芯片等)和傳感器等。

上游供給情況：核心原材料以國外壟斷為主

半導體產(chǎn)業(yè)制造流程復雜，特別是集成電路領(lǐng)域?qū)κ褂玫腃MP拋光材料要求高，

CMP拋光液產(chǎn)業(yè)鏈上游主要為原材料，原材料主要包括研磨顆粒、PH調(diào)節(jié)劑、分散劑、氧化劑以及表面活性劑，其中，研磨顆粒是CMP拋光液生產(chǎn)關(guān)鍵原材料。

添加劑的種類根據(jù)產(chǎn)品應(yīng)用也有所不同，在加料、混合和過濾等關(guān)鍵生產(chǎn)流程中，各種組分的比例、順序、速度和時間等都會影響到最終的產(chǎn)品性能，需要企業(yè)不斷優(yōu)化研究來找出最合適的方案，因此產(chǎn)品配方和生產(chǎn)工藝流程是每家企業(yè)的核心競爭力。

研磨顆粒制造技術(shù)掌握在國際企業(yè)手中，如日本富士、美國嘉柏等，中國企業(yè)主要從美國、日本、韓國等國家的一些企業(yè)進口原材料，全球行業(yè)格局呈現(xiàn)寡頭壟斷態(tài)勢。以安集科技為例，產(chǎn)品所需主要原材料為硅溶膠和氣相二氧化硅等研磨顆粒從日本等國家進口。

但隨著中國企業(yè)技術(shù)的發(fā)展，部分企業(yè)實現(xiàn)了研磨粒子的自主制備，但整體來看供應(yīng)商數(shù)量較少，且由于外國企業(yè)壟斷，市場集中度較高。主要原材料研磨劑的

下游發(fā)展情況：下游以集成電路領(lǐng)域為主

下游應(yīng)用領(lǐng)域為半導體產(chǎn)業(yè)，其中集成電路為主要領(lǐng)域，其他領(lǐng)域包括分立器件、光電子器件和傳感器等。下游企業(yè)主要有中芯國際、華虹集團、晶合集成等。

5、成本結(jié)構(gòu)

CMP拋光液行業(yè)成本項目主要由直接材料、人工成本及制造費用構(gòu)成。其中，直接材料主要為研磨顆粒、PH調(diào)節(jié)劑、分散劑、氧化劑以及表面活性劑等采購投入。

從我國CMP拋光液龍頭企業(yè)-安集科技的成本結(jié)構(gòu)來看，2019-2021年，CMP拋光液直接材料成本占比在75%-80%之間，制造費用成本占比在17%-21%之間，直接人工成本占比在4%以下。直接材料成本為CMP拋光液生產(chǎn)成本的主要構(gòu)成部分。

6、全球供需分析

全球CMP拋光液供給區(qū)域發(fā)展格局：企業(yè)主要分布在美國

全球CMP拋光液市場中，代表企業(yè)包括卡博特(Cabot)、VersumMaterials、日立(Hitach)、富士美(Fujimi)、陶氏(Dow)等美日龍頭廠商
。

整體來看，企業(yè)主要分布在美國、日本、韓國、德國和中國大陸等地。中國臺灣雖然是半導體制造的重要地區(qū)，但在CMP拋光液這項耗材上，尚無代表性公司。全球CMP拋光液市場代表企業(yè)區(qū)域分布如下：

全球CMP拋光液需求區(qū)域發(fā)展格局：需求主要分布在中國

從需求來看，根據(jù)國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)的數(shù)據(jù)，2021年全球半導體材料主要分布在亞洲、北美和歐洲地區(qū)。

2021年中國半導體材料市場總規(guī)模為266.4億美元(中國大陸+中國臺灣)，占世界總規(guī)模超過40%，成為世界第一大半導體材料消費國，韓國、日本緊隨其后。

全球CMP拋光液專利區(qū)域發(fā)展格局：中國和美國領(lǐng)先

從專利分布情況來看，中國大陸為全球CMP拋光液行業(yè)專利數(shù)量最多的地區(qū)。美國、日本和韓國當前CMP拋光液專利數(shù)量均超過200項。全球CMP拋光液專利來源國家和地區(qū)還包括中國臺灣、德國、歐洲專利局和法國。

全球CMP拋光液行業(yè)企業(yè)派系分析：主要分為四大派系

從全球CMP拋光液行業(yè)市場競爭派系來看，按照產(chǎn)品種類來分：

硅拋光液的主要企業(yè)包括富士美(Fujimi)、卡博特(Cabot)、Versum Materials、安集科技等;

鎢拋光液的主要企業(yè)包括卡博特(Cabot)、Versum Materials、安集科技等;

氧化物拋光液的主要企業(yè)包括卡博特(Cabot)、Versum Materials、Hitach等;

其他金屬(銅、鋁等)拋光液的主要企業(yè)包括安集科技、富士美(Fujimi)、VersumMaterials。

7、中國供需分析

供給：各公司加速布局CMP拋光液產(chǎn)能建設(shè)

從產(chǎn)能布局上看，當前，安集科技、鼎龍股份、萬華化學等企業(yè)正在加速布局CMP拋光液產(chǎn)能建設(shè)。根據(jù)安集科技招股書披露，公司現(xiàn)有CMP拋光液產(chǎn)能合計13266.38噸，未來，公司將在寧波建設(shè)寧波安集化學機械拋光液生產(chǎn)線，項目建成后將新增1.5萬噸化學機械拋光液生產(chǎn)能力。隨著各企業(yè)CMP拋光液產(chǎn)能相繼布局，我國CMP產(chǎn)能將大量釋放。

需求：CMP拋光液市場規(guī)模進一步提升

根據(jù)SEMI統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2012-2021年期間我國半導體材料市場規(guī)?？傮w呈波動增長態(tài)勢。2021年我國臺灣地區(qū)半導體材料市場規(guī)模達147.1億美元，大陸地區(qū)半導體材料市場規(guī)模達119.3億美元。SEMI預測，2022年全球半導體材料市場整體規(guī)模預計將增長8.6%，達到698億美元。結(jié)合中國半導體材料在全球的規(guī)模占比情況，初步估算，2022年，我國半導體材料市場規(guī)模在全球占比將超過41%，市場規(guī)?；?qū)⒊^290億美元。

我國的半導體材料仍然集中在后端封裝材料上，前端晶圓制造材料核心優(yōu)勢仍然不足。據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，我國半導體材料中，封裝材料占比約67%，晶圓制造材料占比約33%。在晶圓制造材料中，CMP拋光材料占比約為7%;在CMP拋光材料中，CMP拋光液占比約為49%。

綜合來看，在半導體制造過程中，各類細分材料比重相對穩(wěn)定，若以上述材料結(jié)構(gòu)進行測算，2021年，我國CMP拋光液市場規(guī)模約為18億元，2022年，我國CMP拋光液市場規(guī)模約為20億元。

注：測算邏輯：CMP拋光液市場規(guī)模=半導體材料市場規(guī)模*晶圓制造材料占比*拋光材料占比*CMP拋光液占比*當期匯率

8、競爭格局

全球CMP拋光液行業(yè)企業(yè)競爭格局：美日龍頭廠商壟斷

全球CMP拋光液市場的競爭格局來看，第一梯隊主要為市場份額占比較大且業(yè)務(wù)布局相對全面的國外企業(yè);第二梯隊則為市場份額相對較小的企業(yè)，其中中國CMP拋光液龍頭企業(yè)安集科技憑借不斷提升的技術(shù)和不斷豐富的產(chǎn)品線躋身全球CMP拋光液市場第二梯隊;第三梯隊為市場份額小或CMP拋光液業(yè)務(wù)不夠成熟的企業(yè)。

從市場份額來看，全球CMP拋光液市場主要被美國和日本廠商壟斷。其中卡博特(Cabot)、VersumMaterials、日立(Hitach)、富士美(Fujimi)、陶氏(Dow)等美日龍頭廠商占據(jù)全球CMP拋光液市場近80%市場份額，安集全球占比上升到5%左右。

卡博特(Cabot)作為行業(yè)龍頭，其在全球拋光液市場的市占率逐年下滑，主要是因為隨著制程工藝的發(fā)展，拋光液種類越來越多，客戶要求也逐漸多樣化，一家公司很難滿足所有要求，這也為很多公司提供了新進入拋光液細分領(lǐng)域的機會。

國內(nèi)競爭格局：中國CMP拋光液行業(yè)市場集中度較高

中國CMP拋光液行業(yè)目前主要依賴于國外進口，美國日本等全球CMP拋光液龍頭企業(yè)均在中國市場有所布局。由于國外龍頭企業(yè)產(chǎn)品技術(shù)先進、產(chǎn)品線也更為成熟，因此處于中國市場的第一梯隊。

安集科技作為中國CMP拋光液的龍頭企業(yè)，在中國大陸市場占據(jù)了較大的市場份額，同時多樣化布局產(chǎn)品線滿足了企業(yè)的需求，實現(xiàn)了中國CMP拋光液國產(chǎn)替代的發(fā)展，因此在中國市場也屬于第一梯隊。

鼎龍股份、上海新陽等上市企業(yè)在半導體行業(yè)有所布局，但CMP拋光液起步較晚，且在企業(yè)中的占比較小，因此被列為第二梯隊;

上海新安納、天津晶嶺、北京國瑞升等企業(yè)為非上市企業(yè)，規(guī)模較小，因此也被列為第二梯隊。

中國CMP拋光液行業(yè)企業(yè)數(shù)量較少，其中主要的龍頭企業(yè)為安集科技。隨著安集科技產(chǎn)品技術(shù)的研發(fā)與突破，打破了國外CMP拋光液寡頭壟斷的格局，2021年安集科技在全球的CMP拋光液市場占據(jù)了5%左右的市場份額。

CMP拋光液行業(yè)鏈區(qū)域熱力地圖：企業(yè)主要分布在沿海地區(qū)

從選取的代表公司區(qū)域分布來看，目前我國CMP拋光液行業(yè)公司主要分布在華東沿海地區(qū)。其中選取的代表企業(yè)中，大部分分布在上海地區(qū)，代表企業(yè)有安集科技等。

9、發(fā)展前景及趨勢預測

發(fā)展趨勢：CMP拋光液行業(yè)將國產(chǎn)化、多元化發(fā)展

從行業(yè)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢來看，將朝著國產(chǎn)化、本土化方向發(fā)展;產(chǎn)品發(fā)展將朝著專用化、定制化方向發(fā)展;行業(yè)競爭將朝著多元化方向發(fā)展。

發(fā)展前景：CMP拋光液行業(yè)將保持穩(wěn)健增長

根據(jù)TECHCET，2021年全球拋光液市場規(guī)模為18.9億美元，同比增長13%，預計未來五年復合增長率為6%。國內(nèi)CMP拋光液市場增速有望顯著高于全球市場，未來復合增長率達15%，2023年市場規(guī)模約達23億元，2028年約達46億元。

CMP拋光液行業(yè)兼并重組情況分析：處于起步階段

中國CMP拋光液行業(yè)處于剛起步階段，行業(yè)的國產(chǎn)化率較低，兼并重組事件較少。目前CMP拋光液行業(yè)存在品牌、技術(shù)等行業(yè)壁壘，因此，目前CMP拋光液行業(yè)的并購動因主要是避開進入壁壘，迅速進入市場，爭取市場機會，規(guī)避各種風險。從行業(yè)發(fā)展來看，中國CMP拋光液行業(yè)兼并與重組重點案例分析如下：

八、CMP拋光材料怎么投？

CMP拋光材料：下游需求多樣化，新玩家有機會

CMP（化學機械拋光）是半導體硅片表面加工的關(guān)鍵技術(shù)，主要耗材有拋光液和拋光墊，分別占拋光材料成本的49%和33%。

未來，一方面芯片制程升級，驅(qū)動CMP材料市場擴容；另一方面，先進封裝的運用使CMP從前道走向后道，應(yīng)用面更廣。

● 行業(yè)特點：產(chǎn)品專用程度高，配方依賴實際經(jīng)驗

CMP拋光墊行業(yè)呈寡頭壟斷格局，CR1達79%，且進入門檻高、下游客戶替換意愿低。其中微孔發(fā)泡工藝是生產(chǎn)中的主要技術(shù)難點。但整體技術(shù)迭代已經(jīng)放緩，國內(nèi)企業(yè)有機會實現(xiàn)技術(shù)追趕和突破。目前已有國產(chǎn)廠商跑出，實現(xiàn)批量供貨。

CMP拋光液被美日巨頭壟斷，CR5占比67%。種類差異化使競爭格局相對分散，本土化自給率提升。拋光液的生產(chǎn)具備較高的環(huán)境準入資格，且成分復雜，配方需要長時間經(jīng)驗積累；研發(fā)過程需要拋光液廠商和晶圓廠緊密配合不斷試錯，進入壁壘高且客戶替換意愿低。

● 重點領(lǐng)域：拋光材料走向?qū)Ｓ没?定制化

專用化、定制化拋光材料為未來發(fā)展趨勢。當前，芯片制造不斷用到新材料，這些材料對拋光液有很高的選擇性，因此拋光液也不斷演變，種類繁多?？蛻粢笠沧呦蚨鄻踊?，龍頭公司很難在所有細分領(lǐng)域掌握核心技術(shù)形成壟斷，為很多公司提供了新進入該領(lǐng)域的機會。

拋光液的上游材料中，二氧化硅磨粒長期依賴進口，原材料被海外企業(yè)壟斷，而磨粒正是卡脖子的技術(shù)難點。

建議關(guān)注兩類機會：一是新技術(shù)帶來的新增拋光液需求，如SiC相關(guān)拋光液研發(fā)廠商；二是掌握上游磨粒研發(fā)技術(shù)和拋光墊微孔發(fā)泡工藝的公司。

來源：前瞻網(wǎng)，前瞻經(jīng)濟學人，艾邦半導體網(wǎng)，CMP拋光資訊，太平洋證券，各公司年報及官網(wǎng)，指數(shù)資本，網(wǎng)絡(luò)等，版權(quán)歸原作者所有。